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首页 > 热门关键词 > FRAM存储器芯片
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MR44V064B是一款非易失性的8,192字 x 8位铁电随机存取存储器(FeRAM)。该存储器使用两线串行接口(I2C BUS)访问,具有3.3V典型供电电压,支持3.4MHz(HS模式)和1MHz(F/S模式)的最高工作频率。其数据保留时间为10年,工作温度范围为-40至85°C(扩展温度版本)。
数据手册
  • 1+

    ¥20.13
  • 10+

    ¥17.42
  • 30+

    ¥15.72
  • 100+

    ¥13.44
  • 500+

    ¥12.66
  • 1000+

    ¥12.32
  • 订货
  • CY15B004Q是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
    • 1+

      ¥25.28
    • 10+

      ¥21.63
    • 30+

      ¥19.46
    • 100+

      ¥17.27
    • 500+

      ¥16.26
    • 1000+

      ¥15.81
  • 订货
  • FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
    • 1+

      ¥44.64
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      ¥38.4
    • 30+

      ¥34.6
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      ¥31.41
  • 订货
    • 25+

      ¥77.97339
    • 50+

      ¥68.494272
    • 500+

      ¥63.066713
    是 32 × 8 非易失性存储器,读写方式与标准 SRAM 类似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,意味着断电后数据仍可保留。它可提供超过 151 年的数据保留时间,同时消除了电池备用 SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使 F-RAM 优于其他类型的存储器
    • 1+

      ¥113.5
    • 10+

      ¥108.39
    • 30+

      ¥99.54
    • 100+

      ¥91.82
  • 订货
  • FM24V10 是一款采用先进铁电工艺的 1 Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F - RAM)具有非易失性,其读写操作与随机存取存储器(RAM)类似。它能可靠保存数据达 151 年,同时消除了电可擦可编程只读存储器(EEPROM)和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销以及系统级可靠性问题
    • 1+

      ¥136.98
    • 30+

      ¥130.57
  • 订货
    • 1+

      ¥295.21
    • 200+

      ¥117.79
    • 480+

      ¥113.86
    • 960+

      ¥111.91
  • 订货
    • 1+

      ¥13.84
    • 10+

      ¥13.53
    • 30+

      ¥13.32
    • 100+

      ¥13.12
  • 订货
  • MB85RS64 是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为 8192 字×8 位,采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS64 采用串行外设接口(SPI)。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.63
    • 10+

      ¥27.9
    • 30+

      ¥27.41
    • 100+

      ¥26.92
  • 订货
    • 1+

      ¥47.74
    • 10+

      ¥43.22
    • 30+

      ¥40.54
    • 100+

      ¥37.82
    • 500+

      ¥36.57
    • 1000+

      ¥36
  • 订货
  • 256-Kbit(32K × 8bit),I2C接口,工作电压:2.7V to 5.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥50.92
    • 10+

      ¥50.06
    • 30+

      ¥26.84
    • 100+

      ¥26.27
  • 订货
  • 2M(256K × 8bit) SPI接口 1.8V ~ 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥51.56
    • 10+

      ¥50.7
    • 24+

      ¥50.13
    • 96+

      ¥49.56
  • 订货
  • FM25V02A 是一款 256-Kbit 的铁电随机存取存储器 (F-RAM),采用 32K x 8 的组织方式,支持高速 SPI 接口,最高时钟频率可达 33 MHz。该存储器具有高耐久性和低功耗,适用于频繁写入的应用场景。
    • 1+

      ¥54.33
    • 10+

      ¥52.09
  • 订货
    • 1+

      ¥54.84
    • 10+

      ¥49.4
    • 30+

      ¥46.08
    • 100+

      ¥43.31
  • 订货
  • CY15B102Q 是一款2-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。该存储器具有高耐久性(10万亿次读写),快速SPI接口(最高25MHz),低功耗(5mA active current at 25MHz,750μA standby current,20μA sleep mode current),支持SPI模式0和3,工作电压2.0V至3.6V,工作温度范围-40°C至+125°C,符合AEC-Q100 Grade 1标准。
    • 1+

      ¥60.28
    • 10+

      ¥58.35
  • 订货
    • 1+

      ¥77.61
    • 10+

      ¥73.97
    • 30+

      ¥67.67
    • 100+

      ¥62.17
  • 订货
  • FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口,最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景,如数据采集和工业控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥90.88
    • 10+

      ¥88.28
  • 订货
  • 是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI),无需使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³ 次读写操作,比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提高。写入数据不像闪存或E²PROM那样需要很长时间,且无需等待时间。
    • 1+

      ¥101.89
    • 200+

      ¥39.43
    • 500+

      ¥38.05
    • 1000+

      ¥37.36
  • 订货
  • FM16W08是一款8Kx8非易失性存储器,读写操作类似于标准SRAM。它具有高耐久性,可进行100万亿次读写操作,数据保留时间超过151年。支持2.7V到5.5V宽电压范围,适用于工业温度范围。
    数据手册
    • 1+

      ¥111.86
    • 10+

      ¥108.52
  • 订货
    • 1+

      ¥115.11
    • 10+

      ¥113.92
    • 30+

      ¥113.13
    • 100+

      ¥112.33
  • 订货
  • FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺。它提供高达100万亿次的读写耐久性和151年的数据保持时间。支持SPI接口,最高时钟频率为40MHz,具有低功耗和高速写入能力。适用于需要高耐久性和快速写入的应用场景。
    • 1+

      ¥42.9
    • 10+

      ¥41.89
    • 30+

      ¥41.22
    • 100+

      ¥40.55
  • 订货
  • MB85RC256V是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为32,768字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与SRAM不同,MB85RC256V无需使用数据备份电池即可保留数据。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.67
    • 10+

      ¥10.68
    • 30+

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      ¥7.58
    • 1000+

      ¥7.33
  • 订货
    • 1+

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    • 10+

      ¥23.94
    • 30+

      ¥20.63
    • 100+

      ¥18.2
    • 500+

      ¥17.08
    • 1000+

      ¥16.57
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      ¥28.52
    • 10+

      ¥24.54
    • 30+

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    • 100+

      ¥17.96
    • 500+

      ¥16.86
    • 1000+

      ¥16.36
  • 订货
  • 采用先进铁电工艺的128-Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 1+

      ¥120
    • 200+

      ¥46.44
    • 485+

      ¥44.81
    • 970+

      ¥44
  • 订货
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      ¥0.8751
    • 200+

      ¥0.3387
    • 500+

      ¥0.3268
    • 970+

      ¥0.3209
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