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首页 > 热门关键词 > FRAM存储器芯片
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MB85RC04PNF-G-JNERE1
型号：MB85RC04PNF-G-JNERE1 编号：C575399
封装：SOP-8
品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
数据手册

  • 1+

    ￥13.2

  • 10+

    ￥11.21

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    ￥9.97

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    ￥8.69

  • 500+

    ￥8.11

  • 1500+

    ￥7.86
  • 订货
    • 我要订货
    FM24CL04B-G
    型号：FM24CL04B-G 编号：C2953566
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥17.49

    • 10+

      ￥17.06

    • 30+

      ￥16.77

    • 100+

      ￥16.49
  • 订货
    • 我要订货
    MR44V064BMAZAATL
    型号：MR44V064BMAZAATL 编号：C5336528
    封装：SOP-8
    品牌：ROHM(罗姆)
    MR44V064B是一款非易失性的8,192字 x 8位铁电随机存取存储器（FeRAM）。该存储器使用两线串行接口（I2C BUS）访问，具有3.3V典型供电电压，支持3.4MHz（HS模式）和1MHz（F/S模式）的最高工作频率。其数据保留时间为10年，工作温度范围为-40至85°C（扩展温度版本）。
    数据手册

    • 1+

      ￥20.13

    • 10+

      ￥17.42

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      ￥15.72

    • 100+

      ￥13.44

    • 500+

      ￥12.66

    • 1000+

      ￥12.32
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    4-Kbit 串行 (SPI) 汽车级 A F-RAM
    型号：CY15B004Q-SXET 编号：C2953364
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B004Q是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。

    • 1+

      ￥25.28

    • 10+

      ￥21.63

    • 30+

      ￥19.46

    • 100+

      ￥17.27

    • 500+

      ￥16.26

    • 1000+

      ￥15.81
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    CY15B064J-SXE
    型号：CY15B064J-SXE 编号：C2953601
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥31.05

    • 30+

      ￥29.52
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    32k FeRAM SPI
    型号：MR45V032AMAZBATL 编号：C2062077
    封装：SOP-8
    品牌：ROHM(罗姆)
    MR45V032A 是一个非易失性的 4.096-word x 8-bit 铁电随机存取存储器 (FeRAM)，采用铁电工艺和硅门CMOS技术。该设备通过串行外设接口 (SPI) 访问，具有单电源供电（2.7V~3.6V）、15MHz的工作频率、10年的数据保留时间和扩展温度范围（-40°C~85°C）。它适用于各种需要高写入/读取耐久性的应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥42.26

    • 10+

      ￥36.56

    • 30+

      ￥33.09

    • 100+

      ￥30.18
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    • 我要订货
    16-Kbit 串行 (SPI) F-RAM
    型号：FM24CL64B-DGTR 编号：C2952644
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

    • 1+

      ￥44.64

    • 10+

      ￥38.4

    • 30+

      ￥34.6

    • 100+

      ￥31.41
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    256-Kbit F-RAM 存储器
    型号：FM1808B-SG 编号：C2953762
    封装：SOIC-28
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是 32 × 8 非易失性存储器，读写方式与标准 SRAM 类似。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，意味着断电后数据仍可保留。它可提供超过 151 年的数据保留时间，同时消除了电池备用 SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使 F-RAM 优于其他类型的存储器

    • 1+

      ￥113.5

    • 10+

      ￥108.39

    • 30+

      ￥99.54

    • 100+

      ￥91.82
  • 订货
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    通信接口:SPI 128Kbit 3V
    型号：MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 编号：C189906
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    数据手册

    • 1+

      ￥13.84

    • 10+

      ￥13.53

    • 30+

      ￥13.32

    • 100+

      ￥13.12
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    MB85R1001ANC-GE1
    型号：MB85R1001ANC-GE1 编号：C126736
    封装：TSOPI-48
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    数据手册

    • 1+

      ￥47.74

    • 10+

      ￥43.22

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      ￥40.54

    • 100+

      ￥37.82

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      ￥36.57

    • 1000+

      ￥36
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    256K (32 K × 8) Bit SPI FRAM
    型号：MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 编号：C190125
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    256-Kbit(32K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 5.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥50.92

    • 10+

      ￥50.06

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      ￥26.84

    • 100+

      ￥26.27
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    MB85RS2MTAPNF-G-BDE1
    型号：MB85RS2MTAPNF-G-BDE1 编号：C209972
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    2M（256K × 8bit） SPI接口 1.8V ~ 3.6V
    数据手册

    • 1+

      ￥51.56

    • 10+

      ￥50.7

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      ￥50.13

    • 96+

      ￥49.56
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    256-Kbit 串行 F-RAM，带扩展温度
    型号：FM25V02A-DGQ 编号：C2954179
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V02A 是一款 256-Kbit 的铁电随机存取存储器 (F-RAM)，采用 32K x 8 的组织方式，支持高速 SPI 接口，最高时钟频率可达 33 MHz。该存储器具有高耐久性和低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

    • 1+

      ￥54.33

    • 10+

      ￥52.09
  • 订货
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    MB85R1002ANC-GE1
    型号：MB85R1002ANC-GE1 编号：C126737
    封装：TSOPI-48
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    数据手册

    • 1+

      ￥54.84

    • 10+

      ￥49.4

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      ￥46.08

    • 100+

      ￥43.31
  • 订货
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    CY15B102Q-SXE
    型号：CY15B102Q-SXE 编号：C2953736
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B102Q 是一款2-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。该存储器具有高耐久性（10万亿次读写），快速SPI接口（最高25MHz），低功耗（5mA active current at 25MHz，750μA standby current，20μA sleep mode current），支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40°C至+125°C，符合AEC-Q100 Grade 1标准。

    • 1+

      ￥60.28

    • 10+

      ￥58.35
  • 订货
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    FM22L16-55-TGTR
    型号：FM22L16-55-TGTR 编号：C2952339
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥77.61

    • 10+

      ￥73.97

    • 30+

      ￥67.67

    • 100+

      ￥62.17
  • 订货
    • 我要订货
    通信接口:SPI 2Mbit 3V
    型号：FM25V20A-DG 编号：C466868
    封装：DFN-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口，最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景，如数据采集和工业控制。
    数据手册

    • 1+

      ￥90.88

    • 10+

      ￥88.28
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    • 我要订货
    FM16W08-SG
    型号：FM16W08-SG 编号：C466867
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM16W08是一款8Kx8非易失性存储器，读写操作类似于标准SRAM。它具有高耐久性，可进行100万亿次读写操作，数据保留时间超过151年。支持2.7V到5.5V宽电压范围，适用于工业温度范围。
    数据手册

    • 1+

      ￥111.86

    • 10+

      ￥108.52
  • 订货
    • 我要订货
    FM18W08-SG
    型号：FM18W08-SG 编号：C466863
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    数据手册

    • 1+

      ￥114.27

    • 10+

      ￥110.99
  • 订货
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    MB85RQ4MLPF-G-BCERE1
    型号：MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 编号：C189907
    封装：SOP-16-300mil
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    数据手册

    • 1+

      ￥115.11

    • 10+

      ￥113.92

    • 30+

      ￥113.13

    • 100+

      ￥112.33
  • 订货
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    1-Mbit 串行 F-RAM
    型号：FM24V10-G 编号：C2951513
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24V10 是一款采用先进铁电工艺的 1 Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）具有非易失性，其读写操作与随机存取存储器（RAM）类似。它能可靠保存数据达 151 年，同时消除了电可擦可编程只读存储器（EEPROM）和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销以及系统级可靠性问题

    • 1+

      ￥136.98

    • 30+

      ￥130.57
  • 订货
    • 我要订货
    2-Mbit 串行 (SPI) F-RAM，带扩展温度
    型号：FM25V20A-DGQ 编号：C2953941
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，组织为256K×8。它采用先进的铁电工艺，提供高达10万亿次读写操作的高耐久性和121年的数据保留时间。该器件支持最高33 MHz的SPI接口，具有低功耗特性，支持扩展温度范围（-40°C至+105°C）。

    • 1+

      ￥145.92

    • 10+

      ￥141.47
  • 订货
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    FM28V100-TG
    型号：FM28V100-TG 编号：C2959453
    封装：TFSOP-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥169.87

    • 10+

      ￥164.97
  • 订货
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    4Mb铁电随机存取存储器(F-RAM)，串行(四路SPI)，512K x 8，108 MHz，工业级
    型号：CY15B104QSN-108SXI 编号：C6814918
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    高性能、4Mbit非易失性存储器，采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可实现151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写耐久性，能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM多1亿次写循环

    • 1+

      ￥197.91

    • 30+

      ￥187.71
  • 订货
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    8Mb铁电随机存取存储器，串行，1024K×8，50MHz，工业级
    型号：CY15B108QN-20LPXC 编号：C2950819
    封装：UQFN-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是低功耗、8 Mbit非易失性存储器，采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

    • 1+

      ￥221.84

    • 30+

      ￥210.84
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    256 K (32 K × 8) Bit I2C Memory FRAM
    型号：MB85RC256VPNF-G-JNERE1 编号：C47538
    封装：SOIC-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    256-Kbit(32K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 5.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥15.6

    • 10+

      ￥13.2

    • 30+

      ￥11.7

    • 100+

      ￥10.16

    • 500+

      ￥9.47

    • 1500+

      ￥9.17
  • 订货
    • 我要订货
    MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 停产
    型号：MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126730
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。
    数据手册

    • 1+

      ￥36.253635

    • 20+

      ￥34.77991

    • 100+

      ￥33.895675

    • 200+

      ￥33.01144

    • 500+

      ￥32.42195
    我要订货
    2-Mbit 串行 (SPI) F-RAM
    型号：FM25V20A-G 编号：C2953560
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺。它提供高达100万亿次的读写耐久性和151年的数据保持时间。支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，具有低功耗和高速写入能力。适用于需要高耐久性和快速写入的应用场景。

    • 1+

      ￥42.9

    • 10+

      ￥41.89

    • 30+

      ￥41.22

    • 100+

      ￥40.55
  • 订货
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    MB85RC256VPF-G-JNERE2 停产
    型号：MB85RC256VPF-G-JNERE2 编号：C126728
    封装：SOP-8-208mil
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    MB85RC256V是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC256V无需使用数据备份电池即可保留数据。
    数据手册

    • 1+

      ￥12.67

    • 10+

      ￥10.68

    • 30+

      ￥9.43

    • 100+

      ￥8.16

    • 500+

      ￥7.58

    • 1000+

      ￥7.33
  • 订货
    • 我要订货
    FM25CL64B-DG
    型号：FM25CL64B-DG 编号：C2953585
    封装：-
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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