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首页 > 热门关键词 > FRAM存储器芯片
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FM25CL64B-DGTR
型号：FM25CL64B-DGTR 编号：C2952967
封装：WDFN-8-EP
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

  • 1+

    ￥33.91

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    256-Kbit宽电压字节式F-RAM存储器
    型号：FM18W08-SGTR 编号：C55945
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM18W08是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有宽电压操作范围和工业温度范围。它支持快速写入和高耐久性，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
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      ￥45.18 / 个
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    FM24V10 F-RAM存储器
    型号：FM24VN10-G 编号：C2953639
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24VN10 是一种 1-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有 128K × 8 的逻辑组织结构。它采用先进的铁电工艺，支持高速写入，具有 100 万亿次读/写耐久性和 151 年的数据保留时间。该存储器支持 I2C 接口，最高频率可达 3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

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      ￥87.5004 ￥123.24

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      ￥85.2568 ￥120.08
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    2Mb汽车铁电随机存取存储器(F-RAM)，串行(SPI)，256K × 8，汽车1级
    型号：CY15B102QN-50SXE 编号：C2953691
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的汽车级2Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品能以总线速度执行写操作，无写延迟

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    FM25VN10-GTR
    型号：FM25VN10-GTR 编号：C2952325
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥145.32

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    8Mb低功耗铁电随机存取存储器（F-RAM），串行（SPI）接口，1024K×8，50MHz，工业级
    型号：CY15B108QN-20LPXC 编号：C2950819
    封装：UQFN-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是低功耗、8 Mbit非易失性存储器，采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

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      ￥221.84

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    256 K (32 K × 8) Bit I2C FRAM存储器
    型号：MB85RC256VPNF-G-JNERE1 编号：C47538
    封装：SOIC-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    256-Kbit(32K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 5.5V
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    CY15B004Q-SXE
    型号：CY15B004Q-SXE 编号：C5278093
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B004Q 是一款4Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达16MHz，具有高耐久性和低功耗特性，适用于汽车级应用。
    数据手册

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    FM24CL16B-DG
    型号：FM24CL16B-DG 编号：C2953583
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    1M Bit SPI非易失性铁电随机存取存储器
    型号：MB85RS1MTPW-G-APEWE1 编号：C2061103
    封装：BGA-8(2.3x3.1)
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。
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    CY15B104QN-50SXI
    型号：CY15B104QN-50SXI 编号：C2954184
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY15B104Q-LHXI
    型号：CY15B104Q-LHXI 编号：C2953608
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

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      ￥197.17

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      ￥187.49
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    FM25L04B DG
    型号：FM25L04B-DG 编号：C1348910
    封装：DFN-8-EP(4x4.5)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的4Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品能以总线速度执行写操作，无写延迟
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    FM25C160B-GTR
    型号：FM25C160B-GTR 编号：C2951871
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25C160B是一款采用先进铁电工艺的16 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它能可靠保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题

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    128-Kbit 串行 F-RAM
    型号：FM25V01A-G 编号：C1349305
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V01A 是一种128-Kbit的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，通过标准的SPI接口访问。它具有高耐久性（100万亿次读写）、快速写入速度（最高40 MHz）和低功耗特性。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工业控制。
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    FM24V02A-G
    型号：FM24V02A-G 编号：C2953710
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的256-Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟
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    • 单价：

      ￥64.76 / 个
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    4-Mb 汽车用铁电随机存取存储器（F-RAM），串行（SPI），512Kx8，汽车一级标准
    型号：CY15B204QN-40SXET 编号：C20189689
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款低功耗、4-Mb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供121年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性，能够支持10¹³次读写循环，比EEPROM多1000万次写入循环

    • 1+

      ￥212.77

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      ￥206.29
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    MB85RC64TAPN-G-AMEWE1
    型号：MB85RC64TAPN-G-AMEWE1 编号：C189905
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
    数据手册

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      ￥7.62

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    CY15B004J-SXE
    型号：CY15B004J-SXE 编号：C2954206
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥13.35

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      ￥13.04

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    CY15B256J-SXE 停产
    型号：CY15B256J-SXE 编号：C2957981
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

    • 1+

      ￥71.94

    • 10+

      ￥69.43
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    FM25V20A-DG
    型号：FM25V20A-DG 编号：C22443253
    封装：DFN-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    2-Mbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

    • 1+

      ￥79.78

    • 10+

      ￥77.48
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    FM25V10-DG
    型号：FM25V10-DG 编号：C20190949
    封装：DFN-8(4x4.5)
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥127.72

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      ￥121.97

    • 30+

      ￥112.01
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    MB85RS64VYPN-G-AMEWE1
    型号：MB85RS64VYPN-G-AMEWE1 编号：C1518689
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    数据手册

    • 1+

      ￥39.4

    • 10+

      ￥38.48

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      ￥37.87
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    MB85RS128TYPNF-G-BCERE1
    型号：MB85RS128TYPNF-G-BCERE1 编号：C2061966
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

    • 1+

      ￥49.97

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      ￥48.8

    • 30+

      ￥48.02
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    MB85RS256TYPNF-G-BCERE1
    型号：MB85RS256TYPNF-G-BCERE1 编号：C2061789
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    MB85RS256TY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境，如汽车应用。MB85RS256TY采用串行外设接口（SPI）

    • 1+

      ￥53.4

    • 10+

      ￥52.06

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      ￥51.16
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    FM25VN10-G
    型号：FM25VN10-G 编号：C2953584
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的1 Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，FM25V10以总线速度执行写操作，无写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性，能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM多1亿倍的写入循环

    • 1+

      ￥126.95

    • 30+

      ￥120.66
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    MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2
    型号：MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 编号：C1518699
    封装：SOIC-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

    • 1+

      ￥149.43

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      ￥144.65
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    CY15B116QN-40BKXI
    型号：CY15B116QN-40BKXI 编号：C6206323
    封装：FBGA-24(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥155.03

    • 30+

      ￥147.78
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    2-Mbit F-RAM 内存
    型号：FM28V202A-TG 编号：C2949074
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是 128 × 16 的非易失性存储器，读写方式与标准 SRAM 类似。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，断电后数据可保留超 151 年，消除了电池备用 SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使其优于其他类型的存储器。操作与其他 RAM 设备类似，可作为系统中标准 SRAM 的直接替代品

    • 1+

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      ￥199.35
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    CY15V104QSN-108LPXI
    型号：CY15V104QSN-108LPXI 编号：C2950810
    封装：UQFN-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥208.19

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      ￥197.97
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