EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

CAT24C04TDI-GT3是一款8Kb I2C串行EEPROM，支持标准和快速I2C协议，具有1.7V到5.5V的工作电压范围，16字节页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，超过1,000,000次擦写周期，100年的数据保留时间和工业及扩展温度范围。

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型号：FT24C64A-EDR-B 编号：C5263779

封装：DIP-8

品牌：FMD(辉芒微)

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型号：P24C256B-TSH-MIR 编号：C2925577

封装：TSSOP-8

品牌：PUYA(普冉)

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型号：M24C08-FDW6TP 编号：C2063285

封装：TSSOP-8

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：AT24C256C-XHM-T-TUDI 编号：C36533645

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C256/CAT24C256提供262,144位串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为32,768个8位字。该设备的级联特性允许多达八个设备共享一个公共两线总线。该设备适用于多种工业和消费类应用。

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型号：M24C04-FMN6TP 编号：C2062025

封装：SOP-8

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：HT24LC02 编号：C73853

封装：SOP-8

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

HT24LC02是一款采用CMOS浮栅工艺的2K位串行读写非易失性存储器件。其2048位的存储器被组织成256个字，每个字为8位。该器件针对众多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化

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型号：HT24LC16 编号：C73709

封装：DIP-8

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

HT24LC16是一款16K位的串行读/写非易失性存储设备，使用CMOS浮动栅工艺制造。其16384位的存储空间被组织成2048个字，每个字8位。该设备适用于多种工业和商业应用，特别强调低功耗和低压操作。HT24LC16支持1M次擦写周期和40年的数据保留时间。

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型号：M95010-RMN6TP 编号：C2061643

封装：SO-8

1Kbit串行SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：M24C64-RDW6TP 编号：C189763

封装：TSSOP-8

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：HT24C64ARZ 编号：C3019553

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT24C64A是一款64K位的串行EEPROM，组织为8,192个8位字，具有128位唯一ID和32字节安全区。支持8个设备共享2线总线，适用于低功耗和低电压应用。

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型号：24FC01T-I/OT 编号：C2066032

封装：SOT-23-5

24XXX01是一款1 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储组织为一个128×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：AT24C08C-PUM 编号：C111545

封装：DIP-8

AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并通过两线串行接口进行访问

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型号：NV24C04DWVLT3G 编号：C894115

封装：SOIC-8

NV24C04LV 是一款 4-Kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 32 个词，每个词 16 位。它具有 16 字节页写缓冲区，支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast?Plus (1 MHz) I2C 协议。

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型号：CAT34C02YI-GT5 编号：C233784

封装：TSSOP-8

CAT34C02是一款2 Kb的串行EEPROM I²C器件，内部组织为16页，每页16字节，总共256字节，每字节8位。它具有一个16字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。

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型号：24AA04T-I/SN 编号：C2061464

封装：SOIC-8

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：CAT24S128C4ATR 编号：C895349

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

CAT24S128是一款128 Kb Serial CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有64字节页写缓冲区和用户可编程块写保护功能。

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型号：24AA02-I/P-TUDI 编号：C41410965

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

2K SERIAL EEPROM：Internally organized with 16 pages of 16 bytes each, the 2K requires an 8-bit data word address for random word addressing.

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型号：AT24C16D-PUM-TUDI 编号：C22469408

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

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型号：M93S56-WMN6P 编号：C1350521

封装：SO-8

M93S46、M93S56、M93S66器件是电可擦除可编程存储器（EEPROM），存储容量分别为64、128或256字（1字为16位），可通过MICROWIRE总线访问。M93S46、M93S56、M93S66可在2.5 V至5.5 V的电源电压下工作，环境温度范围为 -40℃至 +85℃。

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型号：M24C01-RMN6P 编号：C1349654

封装：SO-8

M24C01(C02) 是一款 1(2) Kbit 的 I²C 兼容 EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为 128 (256)×8 位。M24C01/02-W 可在 2.5 V 至 5.5 V 的电源电压下访问；M24C01/02-R 可在 1.8 V 至 5.5 V 的电源电压下访问，而 M24C02-F 可在……

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型号：93LC66B-I/P 编号：C511261

封装：DIP-8

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型号：24LC025-I/ST 编号：C619655

封装：TSSOP-8

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。

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型号：M24C02-DRMN8TP/K 编号：C2061113

封装：SOP-8