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CAT24C04是一款4Kb I2C接口的串行EEPROM，支持标准和快速I2C协议，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有16字节的页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，超过1,000,000次擦写周期，100年的数据保留时间，工业和扩展温度范围。

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型号：M93C76-WMN6TP 编号：C7566

封装：SOIC-8

8 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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型号：M24C64-RDW6TP 编号：C189763

封装：TSSOP-8

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：BR24G04FJ-3GTE2 编号：C5158103

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G04 - 3 是一款采用 I²C 总线接口方式的串行 EEPROM。

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型号：M93C56-WDW6TP 编号：C2061074

封装：TSSOP-8

2 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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型号：HT24LC16 编号：C73709

封装：DIP-8

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

HT24LC16是一款16K位的串行读/写非易失性存储设备，使用CMOS浮动栅工艺制造。其16384位的存储空间被组织成2048个字，每个字8位。该设备适用于多种工业和商业应用，特别强调低功耗和低压操作。HT24LC16支持1M次擦写周期和40年的数据保留时间。

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型号：AT24C01D-STUM-T 编号：C616250

封装：SOT-23-5

AT24C01D是一款1-Kbit (128 x 8) I2C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM，工作电压1.7V至3.6V，工业温度范围-40°C至+85°C，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为100年。

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型号：24AA16T-I/SN 编号：C2061027

封装：SOIC-8

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：N24S64BC4DYT3G 编号：C895506

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

N24S64B是一款64 Kb串行CMOS EEPROM，内部组织为8,192个8位字。支持标准、快速和快速增强型I2C协议，具有32字节页写缓冲区，可编程设备地址和软件写保护功能。

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型号：AT34C02D-MAHM-T 编号：C616892

封装：UDFN-8-EP(2x3)

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型号：BR24L02NUX-WTR 编号：C308609

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：ROHM(罗姆)

是I²C总线接口方式的串行EEPROM

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型号：M24C04-RMC6TG 编号：C2061665

封装：DFN-8-EP(2x3)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：NV24C04DWVLT3G 编号：C894115

封装：SOIC-8

NV24C04LV 是一款 4-Kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 32 个词，每个词 16 位。它具有 16 字节页写缓冲区，支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast?Plus (1 MHz) I2C 协议。

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型号：M24128-BFMN6TP 编号：C1857500

封装：SOIC-8

M24128-BFMN6TP是一款128Kbit的I2C串行访问EEPROM，支持1MHz的I2C总线模式，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：M24C64-DFMN6TP 编号：C2061337

封装：SOP-8

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：93LC66B-I/SN 编号：C21712

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 93LC66B 是一个4K位低电压串行EEPROM，支持16位组织，具有自动擦除/写入功能，适用于低功耗、非易失性存储应用。

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型号：CAT34C02YI-GT5 编号：C233784

封装：TSSOP-8

CAT34C02是一款2 Kb的串行EEPROM I²C器件，内部组织为16页，每页16字节，总共256字节，每字节8位。它具有一个16字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。

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型号：M24256E-FDW6TP 编号：C20883521

封装：TSSOP-8-169mil

M24256E-F是一款256 Kbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程只读存储器），其组织形式为32×8位。M24256E-F的工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为-40℃至+85℃。在某些限制条件下，它也能在低至1.6 V的电压下工作

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型号：M24C04-DRDW8TP/K 编号：C2061653

封装：TSSOP-8

4 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度

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型号：M24C64-UFMN6TP 编号：C44989490

封装：SO-8

是 64 kbit I²C 兼容 EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织为 8k×8 位。它可以在 1.7 V 至 5.5 V 的电源电压下，在 -40℃ 至 +85℃ 的环境温度范围内工作。该器件提供一个额外的页面，名为识别页面（32 字节）。此页面存储一个 128 位（16 字节）的唯一工厂编程序列号，该序列号在出厂时被锁定为只读模式。该序列号在意法半导体制造的整个串行 EEPROM 产品组合中是唯一的，提供了一个独特的标识符。

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型号：24LC08B-I/P-TUDI 编号：C41410977

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24XX08是一款8 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。24XX08还具备最多16字节数据的页写入能力。24XX08有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、TSSOP、DIP和MSOP封装可供选择，也有5引脚SOT - 23封装

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型号：24LC16B-I/P-TUDI 编号：C41410978

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA16/24LC16B（24XX16）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，并具备两线串行接口。24XX16还支持高达16字节数据的页写入功能

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型号：AT21CS01-SSHM10-B 编号：C615450

封装：SOIC-8

AT21CS01是一款单线接口的1Kbit（128 x 8）串行EEPROM，具有唯一的64位工厂编程序列号。支持I2C协议结构，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业环境。

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型号：24LC00T-I/SN 编号：C615662

封装：SOIC-8

24AA00/24LC00/24C00（24××00*）是一款128位电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），采用16×8结构，具备两线串行接口。24AA00版本采用低电压设计，可低至1.8伏工作，且每个版本的最大待机电流仅为1 μA，典型工作电流仅为500 μA。

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型号：24AA02-I/P-TUDI 编号：C41410965

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

2K SERIAL EEPROM：Internally organized with 16 pages of 16 bytes each, the 2K requires an 8-bit data word address for random word addressing.

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型号：M24C16-DFCU6TP/K 编号：C2061118

封装：WLCSP-4

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：CAT25010VI-GT3 编号：C233777

封装：SOIC-8

CAT25010 是一款 EEPROM 串行 1-Kb SPI 器件，内部组织为 128x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25010 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：AT93C66B-SSHM-B 编号：C615516

封装：SOIC-8

AT93C56B/AT93C66B 提供 2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 VCC 时，其组织形式为 128/256 个 16 位字；当 ORG 引脚连接到 GND 时，则为 256/512 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的汽车应用进行了优化。AT93C56B/AT93C66B 采用节省空间的 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 TSSOP 封装

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型号：N24C02UDTG 编号：C603340

封装：US-8