EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CAV25640VE-GT3 编号：C512880

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640是一款64 Kb的串行EEPROM SPI器件，内部组织为8Kx8位。它具有一个64字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

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型号：AT24CS01-XHM-T 编号：C616773

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS01/AT24CS02 是 I2C 兼容的串行 EEPROM，具有 128 位唯一工厂编程的序列号。存储容量分别为 1Kbit 和 2Kbit。支持 1.7V 至 5.5V 的低电压操作，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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型号：AT24C128-10PI-TUDI 编号：C36533639

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C128/CAT24C128提供131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为16,384个8位字。设备支持1.7V到5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能，支持64字节页写模式，写周期寿命为1,000,000次，数据保留时间为40年。

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型号：24AA16-I/P-TUDI 编号：C41410968

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA16/24LC16B（24XX16）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，并具备两线串行接口。24XX16还支持高达16字节数据的页写入功能

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型号：AT24CS02-SSHM-B 编号：C615473

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT93C46D-PU 编号：C177151

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C46D提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当ORG引脚连接到VCC时，其组织形式为64个字，每个字16位；当ORG引脚接地时，为128个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C46D有节省空间的8引脚PDIP、8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN和8球VFBGA封装可供选择

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型号：24LC04B/SN 编号：C1349244

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：BU9889GUL-WE2 编号：C2062351

封装：UFBGA-6

品牌：ROHM(罗姆)

BU9889GUL-W是一款采用I²C总线接口方式的串行EEPROM。

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型号：AT24CSW010-STUM-T 编号：C5224830

封装：TSOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CSW01X/AT24CSW02X 提供 1024/2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个 8 位字。该器件经过优化……

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型号：24LC16B-I/P 编号：C1349497

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16B是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持低功耗CMOS技术，具有两线串行接口，适用于2.5V至5.5V的工作电压范围。

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型号：24LC04BT-I/MS 编号：C2061230

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：93LC66AT-I/OT 编号：C511344

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

4Kbit低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像93AA66C、93LC66C或93C66C这类字可选器件，需依靠驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用8位通信，可选用93XX66A器件；而93XX66B器件则提供专用16位通信

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型号：24LC32A-E/SN 编号：C615212

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XX32A是一款32 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储单元组织为一个4K×8位的单块存储器。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：CAT24C256LI-G-TUDI 编号：C36533647

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C256/CAT24C256提供262,144位串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为32,768个8位字。该设备的级联特性允许多达八个设备共享一个公共两线总线。该设备适用于多种工业和消费类应用。

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型号：93LC56B/SN 编号：C615404

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2-Kbit 低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA56C、93LC56C 或 93C56C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，有相应设备可用；对于专用 16 位通信，也有对应设备。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储应用。

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型号：24AA025E48-I/SN 编号：C46840

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64（24AA02XEXX*）是一款2 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个128×8位存储块组成，具备两线串行接口。低电压设计使其能够在低至1 V的电压下工作

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型号：M24C08-DRMF3TG/K 编号：C2062149

封装：MLP-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24C08-DRMF3TG/K是一款8K位I2C串行EEPROM，支持高达1MHz的时钟频率。它符合AEC-Q100标准，适用于汽车级应用。该器件的工作温度范围为-40°C至125°C，供电电压范围为1.7V至5.5V。它具有400万次写周期寿命，50年的数据保留时间和16字节的可锁定识别页。

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型号：93AA66A-I/SN 编号：C615334

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93AA66A是一款4Kbit低电压串行EEPROM，采用Microwire兼容接口，支持8位组织结构。工作电压范围为1.8V至5.5V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件具有1,000,000次擦写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：93LC56C-E/SN 编号：C1351689

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93LC56C-E/SN 是一款2K位低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织，适用于各种工业和汽车应用。

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型号：24LC04BH-E/SN 编号：C1350824

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC04BH 是一款4K位I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有半阵列写保护功能。

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型号：M93S66-WMN6P 编号：C1350488

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

是电可擦可编程存储器（EEPROM），组织为64、128或256个字（一个字为16位），通过MICROWIRE总线访问。可以在2.5V至5.5V的电源电压下，在-40°C至 + 85°C的环境温度范围内工作。

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型号：BR24G256FVT-3GE2 编号：C2062875

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G256 - 3是一款采用I²C总线接口方式的256Kbit串行EEPROM。

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型号：BR24L16FJ-WE2 编号：C2062145

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

是一款 I²C 总线接口方式的串行 EEPROM。

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型号：93LC46B-E/SN 编号：C1350537

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：93LC56BT-E/OT 编号：C2061300

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit 低电压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA56C、93LC56C 或 93C56C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX56A 设备；对于专用 16 位通信，有 93XX56B 设备。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储器应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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