EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BU9889GUL-WE2 编号：C2062351

封装：UFBGA-6

品牌：ROHM(罗姆)

BU9889GUL-W是一款采用I²C总线接口方式的串行EEPROM。

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型号：AT93C66B-XHM-B 编号：C619884

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/AT93C66B 提供 2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 VCC 时，其组织形式为 128/256 个 16 位字；当 ORG 引脚连接到 GND 时，则为 256/512 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的汽车应用进行了优化。AT93C56B/AT93C66B 采用节省空间的 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 TSSOP 封装

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型号：AT21CS01-MSHM10-T 编号：C618424

封装：XSFN-2(3.5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01是一款单线数字串行接口的1-Kbit EEPROM，具有独特的64位工厂编程序列号。它支持标准速度和高速模式，最高位速率分别为15.4 kbps和125 kbps。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：24AA025-I/SN 编号：C615109

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024/24LC024/24AA025/24LC025是一款2 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由一个256×8位的存储块组成。其低电压设计允许在低至1的电压下工作

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型号：CAT24AA01TDI-GT3 编号：C154611

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24AA01 是一款 EEPROM 串行 1-Kb I2C 器件，内部组织为 128x8 位。此器件具有 16 字节页写入缓存，支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast-Plus (1 MHz) I2C 协议。与 CAT24C01 不同，CAT24AA01 没有外部地址引脚，因此适用于在 I2C 总线一个 CAT24AA01 的应用。

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型号：24LC08B-I/MS 编号：C1349195

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx08 是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，并配备两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：AT24C08C-STUM-T 编号：C461561

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C/AT24C08C 是一款低电压操作的I2C兼容串行EEPROM，提供4Kbit (512 x 8) 和 8Kbit (1,024 x 8) 的存储容量。工业温度范围：-40°C 到 +85°C。

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型号：24AA16-I/P-TUDI 编号：C41410968

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA16/24LC16B（24XX16）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，并具备两线串行接口。24XX16还支持高达16字节数据的页写入功能

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型号：24LC16B-I/P 编号：C1349497

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16B是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持低功耗CMOS技术，具有两线串行接口，适用于2.5V至5.5V的工作电压范围。

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型号：24AA64/P 编号：C613635

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX64是64-Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)。该设备被组织为一个具有两线串行接口的8Kx8位内存的单块。其低压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和3 mA。

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型号：M93S46-WMN6TP 编号：C2060941

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1-Kbit MICROWIRE串行存取EEPROM，具有块保护

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型号：AT24C04C-SSHM-B 编号：C1348842

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C/AT24C08C 是一款低电压操作的I2C兼容串行EEPROM，提供4Kbit (512 x 8) 和 8Kbit (1,024 x 8) 的存储容量。工业温度范围：-40°C 到 +85°C。

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型号：AT24CS04-STUM-T 编号：C616259

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CS04是一款I2C兼容的串行EEPROM，具有唯一工厂编程的128位序列号。该器件提供4 Kbit (512 x 8)的存储容量，支持1.7V至5.5V的低电压操作，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：93LC46BT-I/ST 编号：C616741

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX46A/B/C 器件是 1Kbit 的低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA46C、93LC46C 或 93C46C 这类字可选器件，需依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 器件；而 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：AT24CS02-SSHM-B 编号：C615473

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24AA64T-E/OT 编号：C616207

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：AT24C128C-XHM-B 编号：C1350717

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C128C提供128Kbit的串行EEPROM，适用于低功耗和低电压操作的汽车应用。支持I2C接口，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：M95128-RMC6TG 编号：C2061716

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

128 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：93LC66A-I/SN 编号：C615416

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX66A/B/C 器件是 4Kbit 低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA66C、93LC66C 或 93C66C 这类字可选器件，需依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX66A 器件；而 93XX66B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：AT24C512C-MAHM-T 编号：C2980241

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8 (512K)。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃

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型号：24C02CT/SN 编号：C2061394

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位的串行EEPROM，工作电压范围为4.5V到5.5V，支持I2C接口，具有低功耗CMOS技术，最大读电流1mA，最大待机电流5uA，支持高达16字节的页写操作，写周期时间为1ms，支持超过1百万次擦写寿命，数据保持时间超过200年。

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型号：M24C08-DRMF3TG/K 编号：C2062149

封装：MLP-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24C08-DRMF3TG/K是一款8K位I2C串行EEPROM，支持高达1MHz的时钟频率。它符合AEC-Q100标准，适用于汽车级应用。该器件的工作温度范围为-40°C至125°C，供电电压范围为1.7V至5.5V。它具有400万次写周期寿命，50年的数据保留时间和16字节的可锁定识别页。

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型号：M93S66-WMN6P 编号：C1350488

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

是电可擦可编程存储器（EEPROM），组织为64、128或256个字（一个字为16位），通过MICROWIRE总线访问。可以在2.5V至5.5V的电源电压下，在-40°C至 + 85°C的环境温度范围内工作。

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型号：M24C64-DRDW8TP/K 编号：C2062642

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度

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型号：93LC56/SN 编号：C1350395

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是1K、2K和4K低电压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。设备内存根据ORG引脚的外部逻辑电平配置为×8或×16位。先进的CMOS技术使其非常适合低功耗非易失性存储器应用。有标准8引脚PDIP和表面贴装SOIC封装。旋转引脚输出的型号仅提供“SN”封装。

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型号：AT24C128C-SSHM-B 编号：C1349910

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C128C提供128Kbit的串行EEPROM，适用于低功耗和低电压操作的汽车应用。支持I2C接口，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：24LC08BT-I/MC 编号：C612283

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx08 是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至 1 V 的电压下工作

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型号：BR24G256FVT-3GE2 编号：C2062875

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G256 - 3是一款采用I²C总线接口方式的256Kbit串行EEPROM。

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型号：93AA66CT-I/MC 编号：C612322

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93AA66CT-I/MC 是一款4-Kbit低电压串行EEPROM，支持8位或16位组织方式，适用于工业级温度范围，采用PDIP封装。

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型号：24AA025E48-E/SN 编号：C1353232

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64 (24AA02XEXX) 是 2 Kbit 电可擦除 PROM。该设备由两个 128x8 位内存块组成，具有 2 线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下运行，I-Temp. 下的最大待机电流仅为 1 μA，E-Temp. 下为 5 μA，最大工作电流为 1 mA。

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