EEPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：PDIP-8

25AA320/25LC320/25C320（25XX320）是32 Kbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个简单的、与串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：93LC56C-I/SN 编号：C615409

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：M93C66-RMC6TG 编号：C2061956

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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型号：24AA256-I/P-TUDI 编号：C41410972

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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型号：AT24C256-10PI-TUDI 编号：C36533646

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C256/CAT24C256提供262,144位串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为32,768个8位字。该设备的级联特性允许多达八个设备共享一个公共两线总线。该设备适用于多种工业和消费类应用。

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型号：CAT24C256LI-G-TUDI 编号：C36533647

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C256/CAT24C256提供262,144位串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为32,768个8位字。该设备的级联特性允许多达八个设备共享一个公共两线总线。该设备适用于多种工业和消费类应用。

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型号：CAV24C64YE-GT3 编号：C890485

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C64 是一款 64-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持 Fast (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAV24C64 器件。

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型号：25C320-I/P 编号：C1349676

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是32 Kbit串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS)输入控制对设备的访问。可通过保持引脚(HOLD)暂停与设备的通信。设备暂停时，将忽略其输入上的转换（片选除外），允许主机处理更高优先级的中断。

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型号：24AA04-I/P 编号：C1350672

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：93LC46B-I/ST 编号：C619813

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93LC46B-I/ST是一款1Kbit低电压串行EEPROM，支持64x16组织结构，适用于2.5V至5.5V的工作电压范围，支持工业级温度范围。该器件具有自定时擦除/写入周期、数据保留超过200年等特性。

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型号：M93S66-WMN6TP 编号：C222394

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit（16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM，具有块保护

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型号：24AA025E48-I/SN 编号：C46840

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02E48/24AA025E48/24AA02E64/24AA025E64（24AA02XEXX*）是一款2 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个128×8位存储块组成，具备两线串行接口。低电压设计使其能够在低至1 V的电压下工作

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型号：25LC640T-I/SN 编号：C5464

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

64-Kbit(8K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 5.5V

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型号：AT25256B-SSHL-B 编号：C615490

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：与串行外设接口 (SPI) 兼容，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (VCC = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 64字节页模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 >4000V。高可靠性: -耐用性：100万次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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型号：NV25160DWHFT3G 编号：C894144

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25160是一款16Kb SPI接口的汽车级EEPROM串行存储器，支持32字节页写缓冲区，具有硬件和软件写保护功能，适用于高可靠性应用。

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型号：24LC16B-I/SNG 编号：C615202

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥7.0516 ￥10.37
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型号：AT24CS02-MAHM-T 编号：C616852

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128×8（1K）或256×8（2K）。 128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：M95640-DRMN8TP/K 编号：C2063831

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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￥6.24
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型号：ATAES132A-SHER-B 编号：C96452

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

I2C接口内带32Kb EEPROM 集成硬件AES加密解密

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型号：DS28E05P+ 编号：C1349190

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E05是一款112字节用户可编程EEPROM，通过单线接口通信，支持1K次写周期寿命，具有独特的64位ROM ID，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥7.1932 ￥7.34

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型号：93LC56BT-E/OT 编号：C2061300

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit 低电压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA56C、93LC56C 或 93C56C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX56A 设备；对于专用 16 位通信，有 93XX56B 设备。先进的 CMOS 技术使这些设备非常适合低功耗、非易失性存储器应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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