DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN6040SVTQ-7 编号：C461037

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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￥1.8841
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型号：AP62300WU-7 编号：C1880390

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用

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￥1.0831
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型号：DMC3071LVT-13 编号：C17543297

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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￥1.1046
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￥0.8875
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型号：SBRT3U40P1-7 编号：C460956

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑的高效散热PowerDI123封装，提供极低的正向电压降（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。非常适合用作MR16桥式整流器应用中的整流二极管。

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型号：1SMB5922B-13 编号：C5336804

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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型号：ZX5T955GTA 编号：C177097

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 -10A 高增益保持。应用：电机驱动。线路开关

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型号：APX809S-26SA-7 编号：C2067351

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX809S/810S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与+5V、+3.3V、+3.0V和+2.5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本优势。这些电路执行单一功能：每当VCC电源电压降至预设阈值以下时，它们会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后，至少保持该信号240ms。有适用于各种电源电压操作的复位阈值可供选择。APX809S/810S具有推挽输出。APX809S具有低电平有效复位输出，而APX810S具有高电平有效复位输出。复位比较器设计为忽略VCC上的快速瞬变，并且保证在VCC低至1V时，输出处于正确的逻辑状态。低电源电流使APX809S/810S非常适合用于便携式设备。APX809S/810S采用3引脚SOT23封装。

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型号：SMBJ14A-13-F 编号：C91922

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=13V，Vc=23.2V，Ipp=25.8A

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型号：BAT46WQ-7-F 编号：C134400

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒二极管专为满足AEC Q101的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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型号：DMMT3904WQ-7-F 编号：C526571

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVceo >40V。 Ic = 200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 NPN 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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型号：SMBJ54A-13-F 编号：C135083

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=60V VC=87.1V IPP=6.9A 单向

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型号：ZXTP25020BFHTA 编号：C672075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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型号：SMCJ64A-13-F 编号：C135188

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=71.1V VC=103V IPP=14.6A 单向

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型号：DMP1046UFDB-7 编号：C461048

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：ES2C-13-F 编号：C5245051

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。采用绿色模塑料（无卤素和锑）

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￥1.4099
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型号：APX811-31UG-7 编号：C150481

封装：SOT-143

品牌：DIODES(美台)

APX811/812用于微处理器监控电路，以监测电源。这些电路执行单一功能：只要Vcc电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在Vcc升至复位阈值以上后，至少保持240ms的复位状态。提供适用于各种电源电压工作的复位阈值

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型号：FCX690BTA 编号：C460072

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > 45V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM 高达 6A 峰值脉冲电流。高增益 hFE > 400 @ 1A。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) ≤ 300mV @ 1A。互补 PNP 类型：FCX790A。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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型号：AL1692K-20CS7-13 编号：C5157843

封装：SO-7

品牌：DIODES(美台)

DIODES AL1692K是一款高性能、高功率因数、高效率、大电流的精密升压、升降压和反激式可调光LED驱动器。该器件适用于可控硅（TRIAC）调光LED灯应用，可在宽输入电压和负载调节范围内提供精确的输出电流。它采用升压拓扑结构，效率高于90%，满足最新的高效要求。较宽的开关频率工作在边界导通模式（BCM），便于进行电磁干扰（EMI）/电磁兼容性（EMC）设计和测试。AL1692K LED驱动器集成了一个600V/2A的高压MOSFET。它可同时覆盖120Vac和230Vac的可控硅（TRIAC）调光应用，无需外部高压MOSFET，从而降低了系统物料清单（BOM）成本。AL1692K内置热折返保护功能，可自动降低输出电流。其他保护功能也增强了LED照明系统的安全性和可靠性。该器件的可控硅（TRIAC）调光曲线符合NEMA SSL6标准，适用于各种前沿和后沿调光器，可实现低至1%的深度调光。AL1692K采用SO - 7封装。

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￥1.4932
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型号：APX809S-29SA-7 编号：C460664

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX809S/810S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与+2.5V、+3V、+3.3V和+5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本解决方案。这些电路执行单一功能：只要VCC电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后至少保持240ms的复位状态

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型号：DRDC3105F-7 编号：C460721

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

是一种集成固态直流继电器驱动器，可切换感性负载。它在敏感逻辑电路和3V至6V直流感性继电器线圈之间充当缓冲级，提供强大的驱动接口。输入驱动电流要求低，对输入电路的负载影响小，能在输出和输入通道之间提供良好的瞬态隔离。当输入驱动丢失或断开时，输出开关设计保证开路并进入关断状态。采用行业标准SOT23和SOT26封装，有单芯片或双芯片版本，可在单个集成封装中替代三到六个分立元件，包括输出端的齐纳二极管。齐纳二极管钳位电压为6.6V，可将感性电流引入地，减少系统中的电磁干扰噪声。集成齐纳二极管后，无需外部续流二极管，可驱动继电器、螺线管、白炽灯和小型直流电机等感性负载。

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