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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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AL5809 恒流线性LED驱动器
型号：AL5809-25P1-7 编号：C2678668
封装：PowerDI-123
品牌：DIODES(美台)
AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。
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    100V 8A
    型号：SBR8M100P5-13 编号：C4355623
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    这款超级势垒整流器（SBR）二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、阻塞二极管、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器。

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    并联 74uA 100ppm/℃
    型号：LM4040C50FTA 编号：C156291
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用
    数据手册

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    耐压:60V 电流:18A
    型号：DMN6069SFGQ-13 编号：C5248873
    封装：PowerDI3333-8
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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    微处理器监控电路
    型号：PT7A7514WEX 编号：C5125760
    封装：SOIC-8
    品牌：DIODES(美台)
    PT7A751X/752X/753X 系列微处理器（μP）监控电路旨在提高 μP 系统中电源电路的可靠性和准确性。这些器件降低了监控电源和电池功能所需的复杂度和元件数量。主要功能如下：
    数据手册

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    电压:150V 电流:10A
    型号：MBRD20150CT-13 编号：C151357
    封装：TO-252-3
    品牌：DIODES(美台)
    此肖特基势垒整流器专为满足商业应用的一般要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
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    表面贴装肖特基势垒整流器
    型号：PD3S120LQ-7 编号：C5244354
    封装：PowerDI323
    品牌：DIODES(美台)
    这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：51.4A
    型号：SMCJ18A-13-F 编号：C135148
    封装：SMC
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=20V VC=29.2V IPP=51.4A 单向
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      ￥2.2895

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    NPN 电流:225mA 电压:400V
    型号：FCX458TA 编号：C435832
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。 高达100mA时具有出色的hFE特性。 低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。 互补PNP类型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    3.3V 5A 12V
    型号：AZ1084CD-3.3TRG1 编号：C151391
    封装：TO-252-3
    品牌：DIODES(美台)
    AZ1084C 是一系列低压差正电压稳压器，在 5A 负载电流下，最大压差为 1.5V。该系列具备片上热限制功能，可防止因过载和环境温度共同作用导致结温过高。它还集成了经过微调的带隙基准和限流电路
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    NPN 电流:0.5A 电压:120V
    型号：ZTX694B 编号：C156385
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：集电极-发射极电压（VCEO）：120V。 集电极电流（IC）为200mA时，增益为400。 极低的饱和电压。应用：达林顿管替代。 继电器/螺线管驱动器
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    NPN 电流:4A 电压:45V
    型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133
    封装：SOT-23F
    品牌：DIODES(美台)
    此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。
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    • 1+

      ￥2.49

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:12.1A
    型号：DMT68M8LSS-13 编号：C6832285
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。

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    PNP 电压:40V
    型号：ZXTP25040DZTA 编号：C780923
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-40V。 IC =-3.5A，高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-90mV @-1A。 Rsat = 55mΩ，低等效导通电阻。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换器
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      ￥2.523 ￥2.9

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    霍尔效应开关
    型号：AH180-PG-B 编号：C443886
    封装：SIP-3
    品牌：DIODES(美台)
    AH180是一款微功耗全极霍尔效应开关，专为手机、个人数字助理（PDA）和便携式个人电脑（PC）等便携式和电池供电设备而设计。基于两个霍尔效应板和斩波稳定架构，AH180在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为了适配便携式和电池供电设备，该设计经过优化，可在2.5V至5.5V的电源电压范围内工作，在3V电源供电时仅消耗24μW的功率
    数据手册

    • 5+

      ￥2.5758

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      ￥2.0414

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      ￥1.3993
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS70BRW-7-F 编号：C134380
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：DIODES(美台)
    该肖特基势垒阵列设计用于多种配置，具有低泄漏性能。这通过仅需一个组件降低了组件放置成本。设计满足 AEC-Q101 要求。配置非常适合用作:极性保护二极管。两条数据线的轨到轨数据线保护。多路复用电路。高效、低电流桥式整流电路。续流二极管。开关二极管
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      ￥2.6976 ￥2.81

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      ￥1.2008 ￥1.58
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    SDT15H50P5-13
    型号：SDT15H50P5-13 编号：C5909320
    封装：PowerDI5
    品牌：DIODES(美台)

    • 1+

      ￥2.7

    • 10+

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      ￥1.44
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    3.3V 150mA 9V
    型号：AP7312-1833W6-7 编号：C195066
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    是150mA、双固定输出电压、低压差线性稳压器。包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路，可在故障条件下保护IC免受损坏。有两个使能引脚（EN1和EN2），在施加逻辑高电平时可独立开启相应通道。低压差电压和低静态电流特性使其适用于低功耗应用。典型静态电流约为60μA。提供1.2V/1.8V、1.2V/3.3V、1.5V/2.5V、1.5V/3.3V、1.8V/2.8V、1.8V/3.0V、1.8V/3.3V和3.3V/3.3V等固定输出选项。采用SOT26和DFN2018-6封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.76

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    1个N沟道 耐压:60V
    型号：DMT6010LFG-7 编号：C461113
    封装：PowerDI3333-8
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.2

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    1个P沟道 耐压:450V 电流:75mA
    型号：ZVP0545GTA 编号：C435961
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道 -450V -75A
    数据手册

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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：31A@10/1000us
    型号：SMCJ30CAQ-13-F 编号：C1975804
    封装：SMC
    品牌：DIODES(美台)
    适用于保护敏感汽车电路，抵御ISO7637 - 2中规定的浪涌，以及符合ISO10605标准的静电放电。
    数据手册

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    汽车级瞬态电压抑制器
    型号：SMCJ26CAQ-13-F 编号：C6228981
    封装：SMC
    品牌：DIODES(美台)
    设计用于保护敏感电子电路免受感应开关产生的电力线瞬变影响，适用于广泛的汽车应用。提供14V至36V的反向关断电压选择，有单向和双向器件可供选择，能够在10/1000μs脉冲瞬变下分别耗散高达400W（SMA）、600W（SMB）和3000W（SMC）的功率。所有器件均符合汽车负载突降标准ISO7637-2（脉冲1、2a、2b、3）和ESD标准ISO10605。

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    45V 10A
    型号：SBR10U45SP5-13 编号：C94853
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    特性：设计用作太阳能电池板的旁路二极管。 最高结温选择性额定为 +250℃，具有高耐热可靠性。 拥有专利的超级势垒整流器技术 (SBR)。 高正向浪涌能力。 超低正向压降。 出色的高温稳定性。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:98A
    型号：DMT10H010LPS-13 编号：C530905
    封装：PowerDI-5060-8
    品牌：DIODES(美台)
    新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电池电源管理和负载开关。
    数据手册

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    NPN 电流:1A 电压:50V
    型号：ZXTD2090E6TA 编号：C17537238
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)

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    • 100+

      ￥2.87

    • 500+

      ￥2.76

    • 1000+

      ￥2.71
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：DMTH6004SPSQ-13 编号：C6225481
    封装：PowerDI5060-8
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：直流电机控制。

    • 1+

      ￥3.62

    • 10+

      ￥3.53

    • 30+

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    • 100+

      ￥3.4
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    NPN 电流:5.25A 电压:100V
    型号：ZXTN19100CZTA 编号：C460137
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 100V。 IC = 5.25A 高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 65mV @ 1A。 Rsat = 44mΩ 低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。应用：PSU 启动开关。 电机驱动
    数据手册

    • 1+

      ￥3.62

    • 10+

      ￥2.89

    • 30+

      ￥2.57

    • 100+

      ￥2.18

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      ￥2.01

    • 1000+

      ￥1.9
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    2个P沟道 耐压:30V 电流:6.9A
    型号：DMP3056LSDQ-13 编号：C5248909
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。

    • 1+

      ￥3.68

    • 10+

      ￥2.99

    • 30+

      ￥2.65

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      ￥2.11

    • 1000+

      ￥2
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    PNP 电流:5.5A 电压:30V
    型号：ZX5T949GTA 编号：C151454
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -30V。 Ic = -5.5A 高连续集电极电流。 Icm = -20A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat)。 低至 -10mA 时具有出色的增益线性度。 无铅表面处理，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥3.6855 ￥4.05

    • 10+

      ￥2.9727 ￥3.67

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      ￥2.2436 ￥3.16

    • 1000+

      ￥2.201 ￥3.1
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:160mA
    型号：ZVP3306A 编号：C211372
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-60V,-160mA
    数据手册

    • 1+

      ￥3.74

    • 10+

      ￥3.03

    • 30+

      ￥2.68

    • 100+

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    • 500+

      ￥2.13

    • 1000+

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