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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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符合条件商品：共18644件
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描述
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库存
操作
带中断逻辑和复位功能的双通道I2C总线开关
型号：PI4MSD5V9543ALEX 编号：C2674741
封装：TSSOP-14
品牌：DIODES(美台)
是一种双向转换开关，由I²C总线控制。可选择任何单独的SCx/SDx通道或通道组合，由可编程控制寄存器的内容决定。有两个上游对扩展到两个下游对，还提供中断输入INTO和INT1（每个下游对一个）以及一个中断输出INT（作为两个中断输入的与）。
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    ￥4.54

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    ￥4.14

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    汽车级高精度高压高端电流监测器
    型号：ZXCT1085QE5TA 编号：C5329422
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    ZXCT1082Q/83Q/84Q/85Q/86Q/87Q是高端单极性电流检测监控器。这些器件无需在检测负载电流时中断接地层。ZXCT1082Q/1084Q/1086Q的最大工作电压为60V，ZXCT1083Q/1085Q/1087Q的最大工作电压为40V
    数据手册

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    PNP 电流:4.5A 电压:60V
    型号：ZXTP19060CZTA 编号：C780921
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    数据手册

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      ￥4.69

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:87A
    型号：DMP34M4SPS-13 编号：C461087
    封装：PowerDI5060-8
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

    • 1+

      ￥4.8

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    PNP 电流:1A 电压:300V
    型号：FZT957TA 编号：C531147
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1安培连续电流。 高达2安培峰值电流。 极低的饱和电压。 高达1安培时具有出色的增益特性
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    32MHz ±15ppm 8pF
    型号：FL3200037 编号：C1987109
    封装：SMD3225-4P
    品牌：DIODES(美台)
    4 引脚 FL 系列缝封装置包含一个超小型 AT 切割晶体谐振器，封装在标准 3.2×2.5mm 陶瓷封装中。这些紧凑型晶体非常适合在高密度或小尺寸 PCB 应用中进行表面贴装。
    数据手册

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      ￥4.89

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    NPN 电流:4.5A 电压:100V
    型号：ZXTN2011ZTA 编号：C150490
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 100V。 IC = 4.5A 高连续电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 31mΩ 低等效导通电阻。 低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，实现高电流增益保持。应用：电机驱动。 线路开关
    数据手册

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    NPN 电流:7A 电压:25V
    型号：FZT869TA 编号：C151042
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 25V。高连续集电极电流 IC = 7A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 110mV @ 1A。在 5A 时 RCE(SAT) = 36mΩ，实现低等效导通电阻。hFE 规定高达 20A，实现高增益保持。PTOT = 3W。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性
    数据手册

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    电压:35V 电流:8A
    型号：PDS835L-13 编号：C444972
    封装：Power-DI-5
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环管芯结构用于瞬态保护。 低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高正向浪涌电流能力。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    2xN+2xP通道，30V，6.0A
    型号：DMHC3025LSDQ-13 编号：C3289659
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代互补 MOSFET H 桥在 SOIC 封装中集成了 2N 和 2P 沟道。该 H 桥已通过 AECQ101 认证，非常适合驱动：螺线管、直流电机、音频输出。

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    38.4MHz ±10ppm 10pF
    型号：FL3840006 编号：C1986206
    封装：SMD3225-4P
    品牌：DIODES(美台)
    数据手册

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    NPN+PNP 电流:2A 电压:100V
    型号：ZDT6753TA 编号：C155336
    封装：SOT-223-8
    品牌：DIODES(美台)
    特性：NPN晶体管：BVCEO > 100V。IC = 2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。 PNP晶体管：BVCEO > -100V。IC = -2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，高可靠性
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:304A
    型号：DMT40M9LPS-13 编号：C268029
    封装：PowerDI5060-8
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,40V,304A,0.9mΩ@10V
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    • 10+

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    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：DMTH8003SPS-13 编号：C434455
    封装：PowerDI5060-8
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。开关同步整流DC-DC转换器
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      ￥10.73
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    PCIe 2.1 16端口/16通道数据包交换芯片
    型号：PI7C9X2G1616PRBHSBE 编号：C705325
    封装：HSBGA-324
    品牌：DIODES(美台)
    支持低功耗、高可靠性和多种电源管理功能的PCIe 2.1认证16端口/16通道数据包交换芯片，适用于网络、电信、嵌入式系统、服务器和存储平台。
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    • 1+

      ￥172.02

    • 30+

      ￥167
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54-7-F 编号：C106920
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，可实现瞬态和静电放电（ESD）保护，完全采用无铅表面处理，符合RoHS标准，是“绿色”器件。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1513

    • 200+

      ￥0.1212

    • 600+

      ￥0.1045
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    独立式 耐压:39V 电流:0.1uA@30V
    型号：MMSZ5259B-7-F 编号：C435916
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 20+

      ￥0.153136 ￥0.2252

    • 200+

      ￥0.102892 ￥0.1774

    • 600+

      ￥0.072432 ￥0.1509

    • 3000+

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    • 9000+

      ￥0.058176 ￥0.1212

    • 21000+

      ￥0.054624 ￥0.1138
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    2.5V~36V 并联 20ppm/℃
    型号：AZ431BN-ATRE1 编号：C92572
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREF（2.5V）至相应最大阴极电压（36V）之间的任意值
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1655

    • 200+

      ￥0.1435

    • 600+

      ￥0.1312

    • 3000+

      ￥0.1079
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    独立式 耐压:24V 电流:0.1uA@16.8V
    型号：BZT52C24-7-F 编号：C171749
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1994

    • 200+

      ￥0.153

    • 600+

      ￥0.1272
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    电压:40V 电流:100mA
    型号：SDM10U45-7 编号：C150997
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 适用于低逻辑电平应用。 低电容。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.203

    • 200+

      ￥0.164

    • 600+

      ￥0.1423

    • 3000+

      ￥0.1293
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    150V 200mA
    型号：BAS20Q-13-F 编号：C526424
    封装：SOT-23-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2032

    • 100+

      ￥0.1818

    • 300+

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      ￥0.1567
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    电压:40V 电流:200mA
    型号：BAS40LP-7 编号：C124200
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 快速开关。 超小型无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2034

    • 200+

      ￥0.1644

    • 600+

      ￥0.1427
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    75V 150mA
    型号：BAV70-7-F 编号：C106921
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高电导率。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2193

    • 200+

      ￥0.1683

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      ￥0.1399

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      ￥0.1229
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    独立式 耐压:16V 电流:0.1uA@12V
    型号：MMSZ5246B-7-F 编号：C74710
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2242

    • 200+

      ￥0.1799

    • 600+

      ￥0.1553
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    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA
    型号：BZX84C18-7-F 编号：C151590
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
    数据手册

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      ￥0.2272

    • 200+

      ￥0.1861

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    • 3000+

      ￥0.1497
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904-13-F 编号：C5245608
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 20+

      ￥0.2293

    • 200+

      ￥0.1838

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      ￥0.1585

    • 2000+

      ￥0.1433
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54CW-7-F 编号：C83573
    封装：SOT-323-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 快速开关。 超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 有符合汽车标准的产品可供选择
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    独立式 耐压:18V 电流:0.1uA@1V
    型号：BZT52C18-7-F 编号：C192739
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
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    独立式 耐压:16V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C16S-7-F 编号：C260887
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
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    独立式 耐压:3.6V 电流:5uA@1.0V
    型号：BZX84C3V6-7-F 编号：C516600
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
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