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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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这款新一代瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合,使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
数据手册
  • 10+

    ¥0.2768
  • 100+

    ¥0.2249
  • 300+

    ¥0.199
  • 1000+

    ¥0.1796
  • 5000+

    ¥0.164
  • 有货
  • 这款采用SOT23封装的70mA表面贴装肖特基势垒二极管,具有低正向压降和快速开关能力,采用PN结保护环设计,可实现瞬态和静电放电(ESD)保护。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2782
    • 200+

      ¥0.2233
    • 600+

      ¥0.1928
    • 3000+

      ¥0.1745
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2827
    • 100+

      ¥0.2288
    • 300+

      ¥0.2019
    • 1000+

      ¥0.1816
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2891
    • 100+

      ¥0.242
    • 300+

      ¥0.2184
  • 有货
  • 特性:小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计,适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2968
    • 100+

      ¥0.2415
    • 300+

      ¥0.2138
  • 有货
  • 特性:小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计,适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3068
    • 100+

      ¥0.2438
    • 300+

      ¥0.2122
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3086
    • 100+

      ¥0.2507
    • 300+

      ¥0.2218
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高反向击穿电压。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3115
    • 100+

      ¥0.249
    • 300+

      ¥0.2178
    • 3000+

      ¥0.187
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备PPAP能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3228
    • 100+

      ¥0.2623
    • 300+

      ¥0.2321
    • 3000+

      ¥0.2094
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.324051 ¥0.8309
    • 50+

      ¥0.259311 ¥0.6649
    • 150+

      ¥0.226902 ¥0.5818
    • 500+

      ¥0.202644 ¥0.5196
    • 3000+

      ¥0.183222 ¥0.4698
    • 6000+

      ¥0.173511 ¥0.4449
  • 有货
  • 此MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3332
    • 100+

      ¥0.2676
    • 300+

      ¥0.2348
    • 1000+

      ¥0.2103
    • 5000+

      ¥0.1906
    • 10000+

      ¥0.1807
  • 有货
  • 特性:击穿电压公差:±2.0%。 小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计,适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3334
    • 100+

      ¥0.2668
    • 300+

      ¥0.2335
    • 3000+

      ¥0.2085
  • 有货
  • 74LVC2G34 是一款具有标准推挽输出的双缓冲门。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围
    数据手册
    • 5+

      ¥0.344488 ¥0.5066
    • 50+

      ¥0.263436 ¥0.4542
    • 150+

      ¥0.20544 ¥0.428
    • 500+

      ¥0.195984 ¥0.4083
    • 2500+

      ¥0.180864 ¥0.3768
    • 5000+

      ¥0.177072 ¥0.3689
  • 有货
  • 特性:超小表面贴装封装。 非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3465
    • 100+

      ¥0.2834
    • 300+

      ¥0.2519
    • 3000+

      ¥0.2203
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 高集电极电流:IC = -200mA。 功耗:PD = 1000mW。 封装尺寸:0.60mm²,比SOT23小13倍。 封装高度:0.5mm,可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3604
    • 50+

      ¥0.3174
    • 150+

      ¥0.2959
    • 500+

      ¥0.2797
    • 2500+

      ¥0.2668
    • 5000+

      ¥0.2604
  • 有货
  • 1对共阳极 肖特基阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥0.36113 ¥0.469
    • 50+

      ¥0.319935 ¥0.4155
    • 150+

      ¥0.299299 ¥0.3887
    • 500+

      ¥0.283822 ¥0.3686
    • 3000+

      ¥0.271425 ¥0.3525
    • 6000+

      ¥0.265265 ¥0.3445
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高
    • 10+

      ¥0.3731
    • 100+

      ¥0.2977
    • 300+

      ¥0.26
    • 1000+

      ¥0.2318
  • 有货
  • 特性:提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护:接触放电±10kV。 1通道ESD保护。 符合IEC 61000-4-5标准的高峰值脉冲电流。 低通道输入电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.376
    • 100+

      ¥0.2991
    • 300+

      ¥0.2606
    • 3000+

      ¥0.2222
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 内置偏置电阻。 适合自动组装的表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.38
    • 100+

      ¥0.3087
    • 300+

      ¥0.2731
    • 3000+

      ¥0.2464
  • 有货
  • 74LVC2G14是一款双施密特触发器反相门,具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围。其输入可承受5.5V电压,允许该器件在混合电压环境中使用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3841
    • 100+

      ¥0.3025
    • 300+

      ¥0.2617
  • 有货
  • 特性:500mW功率耗散,在FR-4 PCB上,TL = +75℃。 在低测试电流(50μA)下指定,适用于低偏置和便携式电池供电应用。 适合自动化组装过程。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    • 10+

      ¥0.3842
    • 100+

      ¥0.3121
    • 300+

      ¥0.2761
  • 有货
  • 74AHC1G14是一款单路1输入施密特触发器反相门,具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围。该门实现正布尔函数:引脚分配
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3842
    • 100+

      ¥0.3015
    • 300+

      ¥0.2601
  • 有货
  • 特性:互补对:一个类似3904的NPN型和一个类似3906的PNP型。 超小表面贴装封装。 外延平面管芯结构。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3922
    • 100+

      ¥0.3152
    • 300+

      ¥0.2768
  • 有货
  • SDM02M30LP3是一款肖特基势垒二极管,针对低正向压降和极低反向漏电流进行了优化。该器件采用超小型DFN - 0603封装,占位面积仅0.18mm²,封装高度极低,专为节省便携式电子设备的PCB空间而设计。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3969
    • 100+

      ¥0.323
    • 300+

      ¥0.286
    • 1000+

      ¥0.2583
  • 有货
  • 特性:超小表面贴装封装(1.0 x 0.6 x 0.37mm)。 扁平引脚、散热高效的封装设计。 外露、易于观察的端子,无需对焊点进行X射线检查(如DIN封装)。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    • 5+

      ¥0.3991
    • 50+

      ¥0.3536
    • 150+

      ¥0.3308
    • 500+

      ¥0.3137
    • 2500+

      ¥0.3
    • 5000+

      ¥0.2932
  • 有货
  • 74AHCT1G125是一款具有三态输出的单路同相缓冲器/总线驱动器。当输出使能(OE)引脚施加高电平时,输出进入高阻态
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4064
    • 100+

      ¥0.3248
    • 300+

      ¥0.284
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 5+

      ¥0.40677 ¥0.6258
    • 50+

      ¥0.275385 ¥0.5007
    • 150+

      ¥0.19719 ¥0.4382
    • 500+

      ¥0.176085 ¥0.3913
    • 3000+

      ¥0.15921 ¥0.3538
    • 6000+

      ¥0.150795 ¥0.3351
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4079
    • 100+

      ¥0.3314
    • 300+

      ¥0.2932
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.408265 ¥0.6281
    • 50+

      ¥0.30602 ¥0.5564
    • 150+

      ¥0.234225 ¥0.5205
    • 500+

      ¥0.22212 ¥0.4936
    • 3000+

      ¥0.212445 ¥0.4721
    • 6000+

      ¥0.207585 ¥0.4613
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 快速开关。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.409
    • 100+

      ¥0.3414
    • 300+

      ¥0.3077
    • 3000+

      ¥0.2571
  • 有货
  • 立创商城为您提供DIODES美台电池保护芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买DIODES美台电池保护芯片提供详细信息
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