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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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AP9221 是一款专为单节锂离子可充电电池组应用特别设计的单芯片保护解决方案。AP9221 包含一颗单节锂离子电池保护芯片和一个共漏极双 N 沟道 MOSFET。
  • 1+

    ¥4.01
  • 10+

    ¥3.92
  • 30+

    ¥3.86
  • 有货
  • AP9211是一款专为单节锂离子可充电电池组应用而特别设计的单芯片保护解决方案。AP9211包含一颗单节锂离子电池保护芯片和一个共漏极双N沟道MOSFET。
    • 1+

      ¥4.48
    • 10+

      ¥4.39
    • 30+

      ¥4.33
  • 有货
  • AP9214L是一款专为单节Li+可充电电池组应用设计的单芯片保护方案。AP9214L包括一个单节锂离子电池保护芯片和具有共源极的、超低导通电阻(RSS(ON))的双N沟道MOSFET。AP9214L提供丰富的电池保护功能,可通过检测过充电压/电流、过放电压/电流或负载短路来关闭N沟道MOSFET。AP9214L内置固定延时时间以节省外部元件。AP9214L采用U-DFN2535-6(Type B)封装,并提供两种引脚选项。
    • 1+

      ¥6.25
    • 10+

      ¥6.12
    • 30+

      ¥6.03
  • 有货
  • 该器件为单整流器,具备低正向压降(VF)和出色的高温稳定性。此器件非常适合用于一般整流应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.158
    • 200+

      ¥0.1243
    • 600+

      ¥0.1093
    • 3000+

      ¥0.0981
    • 9000+

      ¥0.0936
    • 21000+

      ¥0.0906
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 低正向电压:1mA 时最大 0.715V。 快速反向恢复:最大 4ns。 低电容:最大 2pF。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑,“绿色”器件。 适合需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0998
    • 500+

      ¥0.0749
    • 3000+

      ¥0.0638
    • 6000+

      ¥0.0555
    • 24000+

      ¥0.0522
    • 51000+

      ¥0.05
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0987
    • 500+

      ¥0.0748
    • 3000+

      ¥0.0642
    • 6000+

      ¥0.0562
    • 24000+

      ¥0.053
    • 51000+

      ¥0.0509
  • 有货
  • 适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3564
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2435
    • 1000+

      ¥0.212
    • 5000+

      ¥0.201
    • 10000+

      ¥0.1935
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0371
    • 50+

      ¥0.8019
    • 150+

      ¥0.687
    • 500+

      ¥0.5846
    • 3000+

      ¥0.5564
    • 6000+

      ¥0.5395
  • 有货
  • AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREF(2.5V)至相应最大阴极电压(36V)之间的任意值
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1996
    • 200+

      ¥0.1506
    • 600+

      ¥0.1288
    • 3000+

      ¥0.1125
    • 9000+

      ¥0.106
    • 21000+

      ¥0.1016
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6554
    • 50+

      ¥0.5177
    • 150+

      ¥0.4468
    • 500+

      ¥0.3885
    • 3000+

      ¥0.3681
    • 6000+

      ¥0.3543
  • 有货
  • 适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5097
    • 50+

      ¥0.4092
    • 150+

      ¥0.3575
    • 500+

      ¥0.315
    • 2500+

      ¥0.2733
    • 5000+

      ¥0.2633
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1824
    • 200+

      ¥0.1429
    • 600+

      ¥0.121
    • 3000+

      ¥0.0979
    • 9000+

      ¥0.0865
    • 21000+

      ¥0.0804
  • 有货
  • AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器,输入电压范围宽,为3.8V至32V,并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET,以提供高效的降压式DC/DC转换。由于采用峰值电流模式控制以及集成补偿网络,AP63200/AP63201/AP63203/AP63205器件通过减少外部元件数量,使用起来十分便捷。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥2.46
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.67
  • 有货
  • 是一款迟滞模式的DC-DC降压转换器,用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联LED。该器件可在4.5V至40V的输入电源下工作,TSOT25封装可提供高达1A的外部可调输出电流,MSOP-8EP封装可提供高达1.5A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件,该转换器可提供高达40瓦的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流检测电路,使用外部电阻设置标称平均输出电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4057
    • 50+

      ¥1.0963
    • 150+

      ¥0.9637
    • 500+

      ¥0.7983
    • 3000+

      ¥0.7073
    • 6000+

      ¥0.6631
  • 有货
  • N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1636
    • 200+

      ¥0.126
    • 600+

      ¥0.105
    • 3000+

      ¥0.0918
    • 9000+

      ¥0.0809
    • 21000+

      ¥0.0751
  • 有货
  • P沟道,-20V,-3.6A,35mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3685
    • 100+

      ¥0.2939
    • 300+

      ¥0.2566
    • 3000+

      ¥0.2014
    • 6000+

      ¥0.1791
    • 9000+

      ¥0.1679
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构,高可靠性。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1211
    • 200+

      ¥0.1039
    • 600+

      ¥0.0944
    • 5000+

      ¥0.0887
    • 10000+

      ¥0.0837
    • 20000+

      ¥0.081
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1583
    • 200+

      ¥0.1247
    • 600+

      ¥0.1061
    • 3000+

      ¥0.083
    • 9000+

      ¥0.0733
    • 21000+

      ¥0.0681
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快速恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 高电流能力。 非常适合自动组装。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2478
    • 100+

      ¥0.1958
    • 300+

      ¥0.1698
    • 1000+

      ¥0.1503
    • 5000+

      ¥0.1271
    • 10000+

      ¥0.1193
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.2A,52mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4079
    • 100+

      ¥0.3254
    • 300+

      ¥0.2842
    • 3000+

      ¥0.226
    • 6000+

      ¥0.2013
    • 9000+

      ¥0.1889
  • 有货
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