DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZTX455 编号：C155381

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：140伏VCEO。 1安培连续电流。总功率Ptot = 1瓦。 E-Line TO92兼容

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5+
￥1.5101
50+
￥1.3465
150+
￥1.2763
500+
￥1.1889
2500+
￥1.1499
4000+
￥1.1265

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型号：DPLS350E-13 编号：C460719

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

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5+
￥1.5287
50+
￥1.2481
150+
￥1.1279
500+
￥0.9779

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型号：MJD31CUQ-13 编号：C6091653

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 Ic = 3A 高连续集电极电流。 IcM = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，在 IATF16949 认证工厂生产

1+
￥1.56
10+
￥1.53
30+
￥1.51
100+
￥1.48

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型号：ZVP1320FTA 编号：C264109

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：V(BR)DSS > -200V。 RDS(on) ≤ 80Ω @ VGS = -10V。最大连续漏极电流 ID = -35mA。 “无铅”，符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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5+
￥1.5677
50+
￥1.2733
150+
￥1.1472
500+
￥0.9898

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型号：AL5809-50P1-7 编号：C531166

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

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5+
￥1.5709
50+
￥1.2387
150+
￥1.0963
500+
￥0.9186

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型号：ZXTN25012EFHTA 编号：C780920

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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5+
￥1.5895
50+
￥1.4173
150+
￥1.3435
500+
￥1.2514

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型号：LM2901AQS14-13 编号：C2987007

封装：SOIC-14

品牌：DIODES(美台)

LM2901Q/LM2901AQ/LM2903Q/LM2903AQ 系列比较器分别由四个和两个独立的精密电压比较器组成，具有极低的输入失调电压规格。它们设计为可在宽电压范围内采用单电源供电；不过，也可以采用双电源供电。它们的电源电流较低，且与电源电压的大小无关

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5+
￥1.591
50+
￥1.3982
150+
￥1.3156
500+
￥1.2125
2500+
￥1.1115

有货

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型号：AP2132BMP-1.2TRG1 编号：C338874

封装：ESOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP2132B系列是采用CMOS工艺制造的正电压调节器IC。这些IC由一个电压基准源、一个误差放大器、一个功率晶体管、一个用于设置输出电压的电阻网络、一个用于电流保护的限流电路和一个芯片使能电路组成。AP2132B系列具有大电流、低压差、高输出电压精度、低输入电压等特点

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5+
￥1.6155
50+
￥1.4367
150+
￥1.3601
500+
￥1.2645
2500+
￥1.222

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型号：BCR421UFD-7 编号：C168950

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：DIODES(美台)

集成晶体管、二极管和电阻，用作线性LED驱动的恒流调节器（CCR）。预设标称值为10mA，可通过外部电阻调节至350mA。专为驱动串联LED设计，温度升高时会降低电流以实现自我保护。作为串联线性CCR用于LED串电流控制，只要设备的最大电源电压 < 40V，可用于多种应用。BCR421U具有低侧控制，其使能（EN）引脚可由微控制器进行脉宽调制（PWM），频率高达25kHz，用于LED调光。无需额外的外部组件，完全集成在2×2×0.6mm封装（U-DFN2020-6）中，可最小化PCB面积、板外高度和组件数量。

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5+
￥1.638153 ￥1.6547
50+
￥1.170439 ￥1.3151
150+
￥0.923905 ￥1.1695
500+
￥0.780441 ￥0.9879
3000+
￥0.71653 ￥0.907
6000+
￥0.678136 ￥0.8584

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型号：DFLS1200Q-7 编号：C531155

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥1.7029
50+
￥1.3611
150+
￥1.2145
500+
￥1.0317

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型号：RS3GB-13-F 编号：C155262

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。塑料材料：UL阻燃等级为94V-0

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5+
￥1.7454
50+
￥1.4174
150+
￥1.2769
500+
￥1.1015
3000+
￥1.0234

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型号：ZABG6003JA16TC 编号：C211381

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

该系列设备旨在以最少的外部组件满足卫星接收器低噪声模块 (LNB) 中常用的 GaAs 和 HEMT FET 的偏置要求，同时在最小电压电源下运行并使用最小电流。该设备有六个 FET 偏置级。为了优化系统的噪声和增益，六个级中的两个级的漏极电流可以在 4mA 至 15mA 的范围内进行编程。通过连接到 RCAL1 引脚的电阻器来实现对 FET D1 和 D4 的漏极电流的编程。其余四个 FET D2、D3、D5 和 D6 的漏极电流在内部设置为 10mA。放大器级的漏极电压设置为 2.0V，并限制电流至其相关 RCAL 电阻器设置的近似电流

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1+
￥1.8012 ￥2.28
10+
￥1.3869 ￥2.01
30+
￥1.1151 ￥1.89
100+
￥1.0325 ￥1.75
500+
￥0.9912 ￥1.68
1000+
￥0.9676 ￥1.64

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型号：DMN2016UTS-13 编号：C260874

封装：TSSOP-8

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。 ESD防护高达2kV。 “绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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5+
￥1.8548
50+
￥1.5268
150+
￥1.3862
500+
￥1.2109

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型号：FZT653TA 编号：C155223

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。高连续电流：IC = 2A。峰值脉冲电流：ICM = 6A。低饱和电压：VCE(SAT) < 300mV @ 1A。互补PNP类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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5+
￥1.8574
50+
￥1.445
150+
￥1.2683
1000+
￥1.0245

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型号：SMCJ160A-13-F 编号：C135140

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=178V VC=259V IPP=5.8A 单向

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5+
￥1.873
50+
￥1.6677
150+
￥1.5797
500+
￥1.4699

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型号：AP2281-3WG-7 编号：C128634

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

单一的转换速率控制的负荷开关

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5+
￥1.8992
50+
￥1.4929
150+
￥1.3187
500+
￥1.1014

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型号：BSR33QTA 编号：C526480

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

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5+
￥1.9195
50+
￥1.5513
150+
￥1.3935
1000+
￥1.1966

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型号：S5AC-13-F 编号：C155383

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥2.0293
50+
￥1.6155
150+
￥1.4381
500+
￥1.2169

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型号：SMCJ14A-13-F 编号：C135134

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=15.6V VC=23.2 IPP=64.7A 单向

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1+
￥2.14
10+
￥1.91
30+
￥1.81
100+
￥1.69
500+
￥1.63
1000+
￥1.6

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型号：LM4040C30FTA 编号：C460608

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用。在60μA至15mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。

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5+
￥2.1433
50+
￥1.7176
150+
￥1.5352
500+
￥1.066

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型号：DMN6070SSD-13 编号：C461040

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

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5+
￥2.1899
50+
￥1.7662
150+
￥1.5847
500+
￥1.3581
2500+
￥1.2572

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型号：DMP6110SSS-13 编号：C445549

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥2.2219
50+
￥1.7799
150+
￥1.5905
500+
￥1.3541

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型号：DF1506S-T 编号：C155273

封装：DF-S

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为表面贴装应用设计。 UL列于认可元件索引中，文件编号E525394。无铅涂层；符合RoHS标准

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5+
￥2.376
50+
￥1.9163
150+
￥1.7193

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型号：SBR1045SP5-13 编号：C461834

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：设计用作太阳能电池板的旁路二极管。最高结温选择性额定为 +200°C，具有高耐热可靠性。采用专利的超级势垒整流器技术（SBR）。正向压降较低。高温稳定性优异。无铅涂层；符合 RoHS 标准。应用：开关电源（SMPS）。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.39
10+
￥2.13
30+
￥2.02
100+
￥1.88
500+
￥1.82
1000+
￥1.79

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型号：ZXTR2012FF-7 编号：C7418409

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

ZXTR2012FF 单片集成了一个晶体管、一个齐纳二极管和一个电阻，可作为高压线性稳压器使用。该器件在 15mA 电流下的标称输出电压为 12V。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计

1+
￥2.44
10+
￥1.89
30+
￥1.66
100+
￥1.37
500+
￥1.23
1000+
￥1.16

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型号：LM4041CFTA 编号：C76413

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4041是一款带隙电路，旨在实现1.225V的精密微功耗电压基准。该器件提供小外形SOT23和SC70 - 5表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。这两种封装均提供适用于精密应用的0.5% C级和1% D级产品。在60μA至12mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，因此能保持出色的稳定性。该器件在可调输出和1.225V输出两种变体中，均提供与LM4041电压基准引脚兼容的替代方案。

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