DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMAJ5.0A-13-F 编号：C87074

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.6418
50+
￥0.5141
150+
￥0.4503

有货

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型号：ZLLS350TA 编号：C139441

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

采用SOD523封装，具备理想的低正向压降（VF）/反向电流（IR）性能，且封装高度较低，使该器件适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。

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5+
￥0.6485
50+
￥0.5175
150+
￥0.452
500+
￥0.4029

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型号：DMP2045U-7 编号：C459541

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.6549
50+
￥0.5264
150+
￥0.4621
500+
￥0.414

有货

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型号：BAS70LP-7B 编号：C134385

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。超小表面贴装封装。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.661
50+
￥0.5481
150+
￥0.4917
500+
￥0.4494
2500+
￥0.4155

有货

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型号：74AUP1G00SE-7 编号：C842317

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

Advanced Ultra Low Power (AUP) CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池寿命而设计。是一个单路双输入正与非门，具有标准推挽输出，设计用于在0.8V至3.6V的电源范围内工作。该器件针对使用Icc5的部分掉电应用进行了全面规格设计。Icc5电路可禁用输出，防止器件掉电时产生损坏性电流回流。该门执行正布尔函数：。Y = (A × B)的非，或Y = A(overline) + B(overline)

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5+
￥0.695037 ￥1.0073
50+
￥0.523684 ￥0.8876
150+
￥0.409738 ￥0.8362
500+
￥0.378378 ￥0.7722
3000+
￥0.364413 ￥0.7437
6000+
￥0.355985 ￥0.7265

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型号：74LVC1G58DW-7 编号：C842512

封装：SOT-363-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G58是一款单路3输入正逻辑可配置多功能门电路，具有标准推挽输出。输出状态由3位输入的八种组合决定。用户可选择与门、或门、与非门、或非门、异或门、反相器或同相缓冲器等逻辑功能

5+
￥0.6961
50+
￥0.5626
150+
￥0.4958
500+
￥0.4458

有货

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型号：MMSTA06-7-F 编号：C443629

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于中功率放大和开关。超小表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.696384 ￥0.7254
50+
￥0.51471 ￥0.5985
150+
￥0.406676 ￥0.5351
500+
￥0.3705 ￥0.4875
3000+
￥0.341544 ￥0.4494
6000+
￥0.327104 ￥0.4304

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型号：SMAJ22A-13-F 编号：C134971

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7185
50+
￥0.5817
150+
￥0.5133
500+
￥0.462
2500+
￥0.421

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型号：DMN6140L-7 编号：C156306

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道，60V,2.3A

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5+
￥0.7214
50+
￥0.563
150+
￥0.4838
500+
￥0.4244

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型号：APX809S00-46SA-7 编号：C2067586

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX809S/810S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与+2.5V、+3V、+3.3V和+5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本解决方案。这些电路执行单一功能：只要VCC电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后至少保持240ms的复位状态

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5+
￥0.7401
50+
￥0.590135 ￥0.6485
150+
￥0.493533 ￥0.6093
500+
￥0.453843 ￥0.5603
3000+
￥0.436185 ￥0.5385
6000+
￥0.425574 ￥0.5254

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型号：AP2204R-3.3TRG1 编号：C156303

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

是一款采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差、低噪声、限流和超低静态电流等特点，适用于各种USB和便携式设备。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT-23-5、SOT-89和PSOP-8封装。

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5+
￥0.7578
50+
￥0.669
150+
￥0.631
1000+
￥0.5835
2000+
￥0.5624

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型号：D5V0P4UR6SO-7 编号：C531179

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

D5V0P4UR6SO是一款高性能器件，适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用SOT26封装，具备高ESD浪涌能力和低电容特性。

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5+
￥0.7601
50+
￥0.6079
150+
￥0.5317
500+
￥0.4746

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型号：SMAJ7.5A-13-F 编号：C135008

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.8038
50+
￥0.6682
150+
￥0.6005
500+
￥0.5496
2500+
￥0.509

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型号：DSS5140U-7 编号：C2760656

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -2A。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ IC = -1A。超小型表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.80976 ￥0.8435
50+
￥0.607332 ￥0.7062
150+
￥0.484576 ￥0.6376
500+
￥0.445436 ￥0.5861
3000+
￥0.315628 ￥0.4153
6000+
￥0.299972 ￥0.3947

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型号：74LVC2G126HD4-7 编号：C526351

封装：DFN-8(1x2)

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G126是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

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5+
￥0.8492
50+
￥0.685
150+
￥0.6029
500+
￥0.5413
2500+
￥0.4921

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型号：B150Q-13-F 编号：C134433

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足商业应用的一般需求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、阻塞二极管、飞轮二极管。

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5+
￥0.8905
50+
￥0.7124
150+
￥0.6233
500+
￥0.5565
2500+
￥0.503

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型号：LM2904AS-13 编号：C526657

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

LM2902/LM2904系列放大器分别由四个和两个独立的高增益运算放大器组成，具有极低的输入失调电压规格。它们设计用于在宽电压范围内的单电源供电；不过，也可以采用双电源供电。它们的电源电流较低，且与电源电压的大小无关

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5+
￥0.923
50+
￥0.7502
150+
￥0.6638
500+
￥0.599

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型号：B150B-13-F 编号：C134432

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥0.9247
50+
￥0.7441
150+
￥0.6539
500+
￥0.5861
3000+
￥0.532

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型号：BAS16HLP-7 编号：C155256

封装：DFN-2(0.6x1)

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。超小表面贴装封装。用于通用开关应用。高击穿电压。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑“绿色”器件

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5+
￥0.948
50+
￥0.7824
150+
￥0.6996
500+
￥0.6375

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型号：B190B-13-F 编号：C134439

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

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5+
￥0.954681 ￥1.0491
50+
￥0.757674 ￥0.9354
150+
￥0.629557 ￥0.8867
500+
￥0.586389 ￥0.8259
3000+
￥0.567219 ￥0.7989
6000+
￥0.555646 ￥0.7826

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型号：DMC2038LVT-7 编号：C151020

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.9706
50+
￥0.8087
150+
￥0.7277
500+
￥0.667

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型号：D5V0L1B2LPS-7B 编号：C2934597

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和 MP3 播放器。该封装的侧壁电镀选项允许在回流焊接后进行光学检查，以便进行简单可靠的质量控制。

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5+
￥0.9763
50+
￥0.762
150+
￥0.6548
500+
￥0.5744

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型号：DMP3028LFDE-13 编号：C150441

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.98252 ￥1.4036
50+
￥0.67014 ￥1.1169
150+
￥0.49705 ￥0.9941
500+
￥0.4204 ￥0.8408
2500+
￥0.38625 ￥0.7725
5000+
￥0.36575 ￥0.7315

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型号：1SMB5947B-13 编号：C5244680

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.9998
50+
￥0.8894
150+
￥0.8421
500+
￥0.7831

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型号：APX811-40UG-7 编号：C155533

封装：SOT-143

品牌：DIODES(美台)

APX811/812用于微处理器监控电路，以监测电源。这些电路执行单一功能：只要Vcc电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在Vcc升至复位阈值以上后，至少保持240ms的复位状态。提供适用于各种电源电压工作的复位阈值

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5+
￥1.001736 ￥1.3913
50+
￥0.759314 ￥1.2247
150+
￥0.599716 ￥1.1533
500+
￥0.553384 ￥1.0642
3000+
￥0.532792 ￥1.0246
6000+
￥0.520416 ￥1.0008

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型号：AH1912-W-7 编号：C2152988

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH1912是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1912非常适合用于电池供电的消费产品、燃气或水表、烟雾探测器和物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至5.5V）可延长电池工作时间，并支持低电压系统微控制器，为系统设计提供了极大的灵活性

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