威世功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SIP32510DT-T1-GE3 编号：C145264

封装：TSOT-23-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32510是一款压摆率可控的负载开关，设计用于1.2 V至5.5 V的工作电压。开关元件为n沟道器件，在较宽的输入电压范围内，典型导通电阻（RON）低至44 mΩ。

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￥2.92
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型号：SIP32431DR3-T1GE3 编号：C141606

封装：SOT-363-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431是一款超低泄漏和静态电流、具备反向阻断能力的压摆率可控高端开关。该开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1 A的连续电流。SiP32431的输入电压范围为1.5 V至5.5 V

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￥3.61
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型号：SIP32429DN-T1-GE4 编号：C141605

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32419和SiP32429是负载开关，集成了多种控制功能，可简化设计并提高与该开关相连电路的可靠性。这两款器件均为56 mΩ开关，设计工作范围为6V至28V。内部产生的栅极驱动电压可确保在输入电压工作范围内实现良好的导通电阻（RON）线性度

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￥7.48
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型号：SI3865DDV-T1-GE3 编号：C141534

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：VISHAY(威世)

Si3865DDV 在单个 TSOP - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专为用作负载开关而设计。n 沟道搭配一个外部电阻，可作为电平转换器来驱动 p 沟道负载开关

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型号：SIP32431DNP3-T1GE4 编号：C727398

封装：TDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431和SiP32432是具有极低泄漏电流和静态电流的斜率控制高侧开关，并具备反向阻断能力。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4A的连续电流。它们的工作输入电压范围为1.5V至5.5V。这些器件具有低输入逻辑电平，可以与来自微处理器的低控制电压接口。SiP32431采用高电平使能控制，而SiP32432采用低电平使能控制。两种器件都具有非常低的工作电流，在3.3V电源下通常为10pA。SiP32431和SiP32432提供无铅封装选项，包括6引脚SC-70-6和4引脚TDFN 4 1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装。工作温度范围指定为-40°C至+85°C。紧凑的封装选项、工作电压范围以及低工作电流使其非常适合电池供电应用。

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￥3.3
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￥2.36
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￥2.01
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型号：SIP32408DNP-T1-GE4 编号：C145494

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32408 和 SiP32409 是设计用于1.1V至5.5V操作的 slew rate controlled 负载开关。这些设备保证在1.2V输入时具有低导通电阻。它们具有典型的2.5毫秒受控软启动 slew rate，限制了大电容负载设计中的浪涌电流，并最小化电源轨上的电压下降。SiP32408 和 SiP32409 具有低压控制逻辑接口（开/关接口），可以与低压控制信号接口而无需额外的电平转换电路。SiP32408 和 SiP32409 都具有极低的关断电流，并提供反向阻断以防止高电流流入电源。SiP32409 集成了输出放电电路，可实现快速关断。SiP32408 和 SiP32409 均采用1.2毫米 x 1.6毫米的TDFN4封装。

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￥2.35
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￥1.98
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型号：SIP32409DNP-T1-GE4 编号：C145277

封装：UDFN-5-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32408 和 SiP32409 是压摆率可控的负载开关，适用于 1.1 V 至 5.5 V 的工作电压。这些器件可确保在 1.2 V 输入时具有较低的导通电阻。它们具备典型 2.5 ms 的可控软启动压摆率，可限制大容性负载设计中的浪涌电流，并将电源轨上产生的电压降降至最低

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￥3.36
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￥2.33
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型号：SIP32459DB-T2-GE1 编号：C727471

封装：WLCSP-6(1x1.5)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32458和SiP32459是压摆率可控的集成高端负载开关，工作输入电压范围为1.5 V至5.5 V。SiP32458和SiP32459采用P沟道MOSFET开关元件，并集成了栅极泵，可在较宽的输入电压范围内实现20 mΩ的导通电阻。

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￥5.84
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￥4.73
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￥4.17
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￥3.62
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￥3.29
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￥3.12

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型号：SIP32102DB-T1-GE1 编号：C506606

封装：UFBGA-12

品牌：VISHAY(威世)

SiP32101、SiP32102 和 SiP32103 双向开关具备反向阻断能力，可将电池与系统隔离开来。内部开关的导通电阻超低，仅为 6.5mΩ（3.3V 时的典型值），工作输入电压范围为 +2.3V 至 +5.5V，使其成为高容量电池应用中理想的电池断开开关。SiP32101、SiP32102 和 SiP32103 具备压摆率控制功能，使其非常适合大负载电容以及大电流负载开关应用

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￥6.27
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型号：SI1865DDL-T1-GE3 编号：C727278

封装：SC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

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￥1.5574
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型号：SIP32509DT-T1-GE3 编号：C335619

封装：TSOT-23-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32508和SiP32509是压摆率可控的负载开关，适用于1.1 V至5.5 V的工作电压。开关元件采用n沟道器件，在较宽的输入电压范围内，典型导通电阻Rₒₙ低至44 mΩ。该器件可确保在1.2 V输入时具有较低的开关导通电阻。其特点是具有典型值为2.5 ms的可控软启动压摆率，可限制容性负载设计中的浪涌电流，并最大程度减小电源轨上的电压降。这些器件具有低电压控制逻辑接口（开/关接口），无需额外的电平转换电路即可与低电压控制信号连接。SiP32508和SiP32509具有极低的关断电流，并具备反向阻断功能，可防止大电流倒灌至电源。SiP32509集成了开关关断输出放电电路。SiP32508和SiP32509均采用TSOT23-6封装。SiP32508和SiP32509是先进的压摆率可控高端负载开关，由n沟道功率开关组成。当器件使能时，功率开关的栅极以可控速率开启，避免产生过大的浪涌电流。完全导通后，功率开关的栅源电压偏置在恒定电平。这种设计使得在整个工作电压范围内导通电阻保持稳定。当器件关断时，如果输出电压高于输入电压，反向阻断电路可防止电流倒灌至输入。即使在无输入电压的情况下，反向阻断机制依然有效。

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1+
￥3.18
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￥2.48
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￥2.18

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型号：SIP32419DN-T1-GE4 编号：C3210743

封装：DFN-10(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

负载开关集成了多种控制功能，简化了设计，提高了与开关相连电路的可靠性。是 56mΩ 开关，设计用于 6V 至 28V 范围。内部产生的栅极驱动电压确保在输入电压工作范围内具有良好的 RON 线性度。具有可编程软启动、可编程电流限制、过温保护等功能。当 VOUT 达到 VIN 的 90% 时，电源正常。热关断和过流保护时故障标志亮起。具有欠压锁定、自动重试（SiP32429）和锁断（SiP32419）版本。采用节省空间的 DFN10 3mm x 3mm 封装。