安森美功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV8452STT1G 编号：C477982

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8452 是一款完全保护的高压侧驱动器，可用于开关各种负载，如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。

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型号：NCV8452STT3G 编号：C895061

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8452 是一款完全保护的高压侧驱动器，可用于开关各种负载，如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。

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型号：FPF2495CUCX 编号：C891247

封装：WLCSP-9(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用先进的、完全符合“绿色环保”标准的1.21 mm x 1.21 mm晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。

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型号：FPF2595UCX 编号：C891251

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2595先进负载管理开关适用于需要高度集成解决方案的应用。它可断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，满足严格的关态电流目标和高负载电容（<100μF）要求。FPF2595由一个压摆率可控的低阻抗MOSFET开关（典型值35mΩ）和集成模拟功能组成。压摆率可控的导通特性可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压降。FPF2595具备过压保护和过温保护功能。FPF2595具有真正的反向电流阻断（TRCB）功能，可在导通和关断状态下阻止从Vout到VIN的不必要反向电流。极低的关态电流消耗（最大<2μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为2.5V至5.5VDC，可支持消费、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理等广泛应用。开关控制由一个逻辑输入（高电平有效）管理，该逻辑输入能够直接与低压控制信号/通用输入/输出（GPIO）接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的、完全符合“绿色”标准的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。

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型号：FPF1048BUCX 编号：C479722

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1048 高级负载管理开关针对需要高度集成解决方案的应用。它能够断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，具有严格的关断状态电流目标和高负载电容（高达100 μF）。FPF1048 由 slew rate controlled 低阻抗 MOSFET 开关（典型值23 mΩ）和集成模拟特性组成。slew rate controlled 的开启特性可以防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压下降。FPF1048 具有真反向电流阻断 (TRCB) 功能，在 ON 和 OFF 状态下阻止从 Vout 到 VIN 的不需要的反向电流。极低的关断状态电流消耗（最大<1 μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为1.5 V至5.5 VDC，支持消费电子、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理中的广泛应用。开关控制通过逻辑输入（主动高电平）进行管理，可以直接与低压控制信号/通用输入/输出 (GPIO) 接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的全“绿色”合规的1.0 mm x 1.5 mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，背面覆膜。

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型号：FPF3380UCX 编号：C894838

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF3380UCX是一款集成超低导通电阻单通道开关的过压保护（OVP）器件。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在2.8 V至23 V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持5 A。当输入电压超过过压阈值时，内部FET会立即关断，以防止受保护的下游组件损坏。该器件集成了基于IEC61000 - 4 - 5标准的±110 V浪涌保护瞬态电压抑制器（TVS）。FPF3380采用小型12凸点晶圆级芯片规模封装（WLCSP），工作环境温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。

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型号：FPF1039UCX 编号：C891218

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1039 高级负载管理开关适用于需要高度集成解决方案以断开由直流电源轨（<6V）供电的负载的应用，这些应用具有严格的关断电流目标和高负载电容（高达200 μF）。FPF1039 包含一个 slew rate controlled 低阻 MOSFET 开关（典型值21 mΩ）和其他集成模拟特性。slew rate controlled 启动特性可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压跌落。该设备具有极低的关断电流消耗（最大<1 μA），有助于符合低待机功耗应用的要求。输入电压范围为1.2 V至5.5 V DC，支持消费电子、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理中的广泛应用。开关控制通过逻辑输入（激活时为高电平）进行管理，可以直接与低压控制信号/GPIO接口，无需外部上拉电阻。该设备采用先进的全“绿色”1mm x 1.5 mm晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP），提供优异的热导率、小尺寸和低电气电阻，适用于更广泛的应用。

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型号：NCV8402ADDR2G 编号：C109030

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402D/AD是一款双路受保护的低边智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件具备保护功能，适用于严苛的汽车环境

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型号：NCV8402ASTT1G 编号：C77755

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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型号：NCP45521IMNTWG-H 编号：C223558

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：NCP361SNT1G 编号：C233714

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

当在NCP361的输入端检测到VBUS工作条件异常时，它会断开其输出端的系统连接。该系统具备正向过压保护功能，可承受高达 +20 V 的电压。由于集成了 PMOS FET，无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的 PCB 面积

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型号：NCV8450ASTT3G 编号：C100028

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一款全保护的高端智能分立器件，典型导通电阻为1.0Ω，典型内部电流限制为0.8A。该器件可以切换各种阻性、感性和容性负载。

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型号：FDC6326L 编号：C890874

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该设备特别适用于需要3V至20V输入和1.8A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。此负载开关在一个小巧的SuperSOT-6封装中集成了一个小N沟道功率MOSFET（Q1），用来驱动一个大P沟道功率MOSFET（Q2）。

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型号：NCV8402ASTT3G 编号：C236053

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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型号：FDC6330L 编号：C112086

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该器件特别适用于需要3V至20V输入和2.3A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。这款负载开关在一个小型SuperSOTTM 6封装中集成了一个小的N沟道功率MOSFET（Q1），用于驱动一个大的P沟道功率MOSFET（Q2）。

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型号：NCP45520IMNTWG-L 编号：C892466

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动对浪涌电流进行限制，为高效电源域切换提供了一种减少元件数量和占用面积的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸封装和低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：NCP380LMUAJAATBG 编号：C892454

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是一款高侧功率分配开关，适用于可能遇到大容性负载和短路的应用。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值可以通过外部电阻在500 mA至2.1 A之间进行用户调节，也可以是内部固定的。功率开关的上升和下降时间受到控制，以最大限度地减少开关过程中的电流振铃。内部反向电压检测比较器在输出电压高于输入电压时禁用功率开关，以保护开关输入侧的设备。FLAG逻辑输出在过流、反向电压或过温条件下置为低电平。开关由一个逻辑使能输入控制，该输入可以是高电平有效或低电平有效。

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型号：NCP4545IMNTWG 编号：C154786

封装：QFN-18-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4545 负载开关提供了一种减少组件和面积的解决方案，通过软启动限制涌流来实现高效的电源域切换。它设计为在一个单一设备中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：NCV8406ASTT3G 编号：C459816

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8406 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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