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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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特性:功率耗散:3.0W。 非常适合自动组装。 标称齐纳电压范围:6.2V-200V。 标准Vz公差:45%。 人体模型静电放电等级:3级(>16kV)。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 5+

    ¥0.9998
  • 50+

    ¥0.8894
  • 150+

    ¥0.8421
  • 500+

    ¥0.7831
  • 有货
  • 这款新一代瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合,使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0097
    • 50+

      ¥0.8126
    • 150+

      ¥0.7141
    • 500+

      ¥0.6402
    • 2500+

      ¥0.5811
  • 有货
  • 特性:极低的饱和电压。 500mW 功耗。 1A 连续集电极电流 (Ic)。应用:适用于对空间和重量要求严苛的应用
    • 5+

      ¥1.0577
    • 50+

      ¥0.9417
    • 150+

      ¥0.892
    • 500+

      ¥0.8301
  • 有货
  • APX803S用于微处理器(μP)监控电路,以监测μP和数字系统中的电源。当与5.0V、3.3V、3.0V和2.5V供电电路配合使用时,它们通过省去外部元件和调节环节,实现了出色的电路可靠性和低成本。这些电路执行单一功能:在上电时以及每当VCC电源电压降至预设阈值以下时,它们会发出复位信号,并在VCC升至复位阈值以上后的一段固定时间内保持该信号
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0592
    • 50+

      ¥0.821
    • 150+

      ¥0.719
    • 500+

      ¥0.5916
  • 有货
  • 适用于低压高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。
    • 5+

      ¥1.0626
    • 50+

      ¥0.845
    • 150+

      ¥0.7518
    • 500+

      ¥0.6355
    • 2500+

      ¥0.5837
  • 有货
  • D3V3XA4B10LP是一款高性能器件,适用于保护四个高速I/O接口。该器件采用UDFN2510 - 10和U - DFN2510 - 10(CJ型)封装,具备高ESD浪涌能力、低ESD钳位电压和超低电容。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0732
    • 50+

      ¥0.8579
    • 150+

      ¥0.7656
    • 500+

      ¥0.6505
  • 有货
  • 特性:高增益低饱和压降NPN晶体管。 极低的集电极发射极饱和电阻。 高脉冲峰值电流能力。 连续集电极电流额定值为1.5A。 超小表面贴装封装。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。应用:MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0757
    • 50+

      ¥0.9591
    • 150+

      ¥0.9092
    • 500+

      ¥0.8469
  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0758
    • 50+

      ¥0.8459
    • 150+

      ¥0.7475
    • 500+

      ¥0.6246
    • 2500+

      ¥0.5698
  • 有货
  • 是一款高性能单级反激式和降压-升压控制器,适用于可调光 LED 照明应用。它是一种初级侧调节(PSR)控制器,无需光耦合器和次级控制电路即可提供精确的恒流(CC)调节。工作在边界导电模式(BCM)并在谷底开关,具有良好的电磁干扰(EMI)性能和效率。在通用输入电压下,通过恒定导通时间工作,系统可实现高功率因数(PF)和低总谐波失真(THD)。支持多种调光模式。具有低启动电流和低工作电流,集成了过压、短路、过流和过温等多种保护功能。采用 SO-8 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.1271 ¥2.21
    • 10+

      ¥0.9945 ¥1.95
    • 30+

      ¥0.9333 ¥1.83
    • 100+

      ¥0.8619 ¥1.69
  • 有货
  • 是高性能、高功率因数、高效率和高电流的精密降压-升压和反激式可调光LED控制器/驱动器,适用于可控硅调光LED灯应用。该拓扑结构可在较宽的线路和负载调节范围内提供精确的输出电流。宽开关频率工作在边界传导模式(BCM),以简化EMI/EMC设计和测试,满足最新的监管标准。控制器搭配外部MOSFET可支持高达25W的更高输出功率应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.142
    • 50+

      ¥0.9101
    • 150+

      ¥0.8107
    • 500+

      ¥0.6867
  • 有货
  • TLV431Q是一款三端可调并联稳压器,具有出色的温度稳定性,输出电流处理能力高达20mA。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为1.24V至18V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中,TLV431Q可作为齐纳二极管的替代品
    数据手册
    • 5+

      ¥1.144095 ¥1.2855
    • 50+

      ¥0.893964 ¥1.1316
    • 150+

      ¥0.735264 ¥1.0656
    • 500+

      ¥0.678477 ¥0.9833
    • 3000+

      ¥0.653154 ¥0.9466
    • 6000+

      ¥0.637974 ¥0.9246
  • 有货
  • 特性:提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。4 通道双向 ESD 保护。低通道输入电容。无铅/符合 RoHS 标准。“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1489
    • 50+

      ¥0.9266
    • 150+

      ¥0.8313
    • 500+

      ¥0.7125
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗,高效率。 适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子在 +260℃ 下持续 10 秒。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:极性保护二极管。 续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.164
    • 50+

      ¥0.9058
    • 150+

      ¥0.7951
    • 500+

      ¥0.657
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.165
    • 50+

      ¥0.9205
    • 150+

      ¥0.8158
    • 500+

      ¥0.685
  • 有货
  • 这款超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管、开关二极管、旁路二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.178 ¥1.9
    • 10+

      ¥1.0354 ¥1.67
    • 30+

      ¥0.9796 ¥1.58
    • 100+

      ¥0.9052 ¥1.46
    • 500+

      ¥0.868 ¥1.4
    • 1000+

      ¥0.8494 ¥1.37
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 低漏电流。 卓越的反向雪崩能力。 出色的高温稳定性。 专利联锁夹设计,具备高浪涌电流能力。 专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 软、快速开关能力。 工作结温 +150℃。 +16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 +25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该部件符合 JEDEC 标准(如 AEC-Q 中引用),具有高可靠性
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1825
    • 50+

      ¥0.9504
    • 150+

      ¥0.8509
    • 500+

      ¥0.7268
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-60V。 高连续集电极电流:IC =-5.5A。 峰值脉冲电流:ICM =-15A。 低饱和电压:VCE(sat) <-70mV @-1A。 低等效导通电阻:RSAT = 39mΩ。 高增益保持:hFE 指定至-10A。应用:DC-DC 转换器。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.19
    • 10+

      ¥0.94
    • 30+

      ¥0.83
    • 100+

      ¥0.7
    • 500+

      ¥0.64
    • 1000+

      ¥0.6
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 非常适合自动化组装过程。 适用于中功率开关或放大应用。 有互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    • 5+

      ¥1.1987
    • 50+

      ¥1.0572
    • 150+

      ¥0.9965
    • 500+

      ¥0.9208
  • 有货
  • 这些线性LED驱动器旨在满足汽车应用的严格要求。BCR420U和BCR421U单片集成了晶体管、二极管和电阻,用作线性LED驱动的恒流调节器(CCR)。该器件以预设的10mA标称值进行调节,并可通过外部电阻调整至350mA。它设计用于驱动LED串,并且会在温度升高时减小电流以实现自我保护。作为串联线性CCR用于LED串电流控制,只要供给该器件的最大电源电压<40V,它就可以应用于多种场景。通过低侧控制,BCR421U具有一个使能(EN)引脚,可以通过微控制器进行高达25kHz的脉宽调制(PWM)以实现LED调光。无需额外的外部组件,此CCR完全集成在2mm x 2mm x 0.6mm封装(U-DFN2020-6)中,从而最小化PCB面积、离板高度和组件数量。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2265 ¥2.23
    • 10+

      ¥0.9045 ¥2.01
    • 30+

      ¥0.6685 ¥1.91
    • 100+

      ¥0.6265 ¥1.79
    • 500+

      ¥0.609 ¥1.74
    • 1000+

      ¥0.5985 ¥1.71
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:背光照明、电源管理功能、DC - DC转换器、电机控制。
    • 5+

      ¥1.255
    • 50+

      ¥1.0327
    • 150+

      ¥0.9215
    • 500+

      ¥0.8381
    • 3000+

      ¥0.7436
  • 有货
  • 特性:60V VCEO。 1A 连续电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2816
    • 50+

      ¥1.0424
    • 150+

      ¥0.9399
    • 500+

      ¥0.812
  • 有货
  • 这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2875
    • 50+

      ¥1.015
    • 150+

      ¥0.8982
    • 500+

      ¥0.7525
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:电机控制、变压器驱动开关、直流 - 直流转换器、电源管理功能、不间断电源。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3818
    • 50+

      ¥1.1013
    • 150+

      ¥0.9811
    • 500+

      ¥0.8311
    • 2500+

      ¥0.7644
  • 有货
  • DIODES AP22811是一款单通道限流集成高端功率开关,针对通用串行总线(USB)和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB标准,使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间,可提高整个系统的稳健性,并集成了输出放电功能,以确保对输出电压电容进行完全可控的放电
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4126
    • 50+

      ¥1.1239
    • 150+

      ¥1.0001
    • 500+

      ¥0.8458
  • 有货
  • 74LV07A提供六个带漏极开路输出的独立缓冲器。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4277
    • 50+

      ¥1.1577
    • 150+

      ¥1.0419
    • 500+

      ¥0.8975
    • 2500+

      ¥0.7904
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    • 5+

      ¥1.4279
    • 50+

      ¥1.1517
    • 150+

      ¥1.0333
    • 500+

      ¥0.8856
    • 3000+

      ¥0.8198
  • 有货
  • N沟道,100V,0.1A,10Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4372
    • 50+

      ¥1.1477
    • 150+

      ¥1.0236
    • 500+

      ¥0.8688
  • 有货
  • 特性:比SOT223小43%,比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率高达3.2W。 集电极-发射极电压(VCEO)为60V。 集电极电流(IC)为5.5A。 峰值脉冲电流(Iem)为15A。应用:电机驱动器。 调节器电路
    数据手册
    • 1+

      ¥1.44
    • 10+

      ¥1.2
    • 30+

      ¥1.1
    • 100+

      ¥0.97
    • 500+

      ¥0.92
    • 1000+

      ¥0.88
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4626 ¥2.06
    • 10+

      ¥1.3135 ¥1.85
    • 30+

      ¥1.2425 ¥1.75
    • 100+

      ¥1.1644 ¥1.64
    • 500+

      ¥1.1289 ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.1005 ¥1.55
  • 有货
  • 特性:高电流能力(IF = 1A)。 低正向电压。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑,“绿色”器件。 符合JEDEC标准,具有高可靠性。应用:DC-DC转换器。 移动电信
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4719
    • 50+

      ¥1.1579
    • 150+

      ¥1.0234
    • 500+

      ¥0.8555
  • 有货
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