DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMAZ20-13-F 编号：C442456

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8327
50+
￥0.6923
150+
￥0.622
500+
￥0.5694

有货

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型号：MMBD4448HCQW-7-F 编号：C460096

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：5mA时最大0.72V。低反向电流：70V时最大100nA。快速反向恢复：最大4ns。低电容：最大3.5pF。小表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

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5+
￥0.8478
50+
￥0.7061
150+
￥0.6353
500+
￥0.5821

有货

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型号：MMDT2227Q-7-F 编号：C460103

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个2222A型（NPN）和一个2907A型（PNP）。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，在IATF16949认证工厂生产

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5+
￥0.8994
50+
￥0.6972
150+
￥0.6106
500+
￥0.5024
3000+
￥0.4503

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型号：LMV358M8G-13 编号：C441825

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

LMV321/LMV358/LMV324 是低压（2.7V 至 5.5V）单通道、双通道和四通道运算放大器。LMV321/LMV358/LMV324 旨在有效降低低电压水平下的成本并节省空间。这些器件具备轨到轨输出摆幅能力，输入共模电压范围包含地电位

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单价：
￥0.9052 / 个

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型号：SMAJ43A-13-F 编号：C134987

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9157
50+
￥0.7309
150+
￥0.6385
500+
￥0.5692
2500+
￥0.5137
5000+
￥0.486

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型号：74LV08AT14-13 编号：C842475

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

74LV08A提供四个独立的2输入与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围

5+
￥0.938432 ￥1.0912
50+
￥0.730664 ￥0.9614
150+
￥0.597828 ￥0.9058
500+
￥0.552024 ￥0.8364
2500+
￥0.53163 ￥0.8055
5000+
￥0.51942 ￥0.787

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型号：DCX144EH-7 编号：C460020

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.938872 ￥0.9988
50+
￥0.681828 ￥0.8117
150+
￥0.531394 ￥0.7181
500+
￥0.479446 ￥0.6479
3000+
￥0.437932 ￥0.5918
6000+
￥0.417138 ￥0.5637

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型号：AH1912-W-7 编号：C2152988

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH1912是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1912非常适合用于电池供电的消费产品、燃气或水表、烟雾探测器和物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至5.5V）可延长电池工作时间，并支持低电压系统微控制器，为系统设计提供了极大的灵活性

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5+
￥1.0087
50+
￥0.8071
150+
￥0.7207
500+
￥0.6129
3000+
￥0.5609

有货

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型号：SMAJ200CA-13-F 编号：C134968

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.0144
50+
￥0.8125
150+
￥0.726
500+
￥0.618
2500+
￥0.57
5000+
￥0.5411

有货

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型号：APX809S05-29SA-7 编号：C460559

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX809S/810S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与+2.5V、+3V、+3.3V和+5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本解决方案。这些电路执行单一功能：只要VCC电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后至少保持240ms的复位状态

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5+
￥1.044
50+
￥0.8339
150+
￥0.7439
500+
￥0.6316
3000+
￥0.5566

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型号：ZXTN25020BFHTA 编号：C526803

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计，最大限度地提高了这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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5+
￥1.044638 ￥1.6849
50+
￥0.772668 ￥1.4859
150+
￥0.588252 ￥1.4006
500+
￥0.543564 ￥1.2942
3000+
￥0.523698 ￥1.2469
6000+
￥0.51177 ￥1.2185

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型号：SMAJ100CA-13-F 编号：C134938

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.0818
50+
￥0.852
150+
￥0.7535
500+
￥0.6306
2500+
￥0.5759

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型号：DFLZ24Q-7 编号：C672315

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。大型外露焊盘和散热片，具备卓越的热性能。专利联锁夹设计，具备高浪涌能力，美国专利号 #7,095,113。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。可提供生产件批准程序（PPAP）文件

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5+
￥1.081808 ￥1.9318
50+
￥0.707112 ￥1.5372
150+
￥0.492516 ￥1.3681
500+
￥0.416592 ￥1.1572
3000+
￥0.382752 ￥1.0632
6000+
￥0.362448 ￥1.0068

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型号：D3V3X8U9LP3810-7 编号：C1973794

封装：UDFN3810-9

品牌：DIODES(美台)

D3V3X8U9LP3810是一款高性能器件，适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用UDFN3810 - 9（B型）封装，具备高ESD浪涌能力、低ESD钳位电压和超低电容。

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5+
￥1.1106
50+
￥0.8853
150+
￥0.7887
500+
￥0.6682

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型号：SMBJ30CA-13-F 编号：C135066

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=33.3V VC=48.4V IPP=12.4A 双向

数据手册

5+
￥1.1141
50+
￥0.9086
150+
￥0.8206
500+
￥0.7107

有货

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型号：SMBJ24A-13-F 编号：C135060

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=26.7V VC=38.9V IPP=15.4A 单向

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1+
￥1.1323
10+
￥0.9005
30+
￥0.8011
100+
￥0.6772
500+
￥0.622
1000+
￥0.5888

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型号：BC53-16PA-7 编号：C460676

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。高连续集电极电流：Ic = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。功耗：520mW。低饱和电压：VCE(sat) < -500mV @ -0.5A。互补NPN类型：BC56-16PA。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥1.1575
50+
￥0.9388
150+
￥0.8451
500+
￥0.7282

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型号：BAT46WQ-7-F 编号：C134400

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒二极管专为满足AEC Q101的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥1.161
50+
￥0.956
150+
￥0.8682
500+
￥0.7586

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型号：DNLS320E-13 编号：C144152

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电阻：在3A时，RCE(SAT) = 80mΩ。高直流电流增益：在IC = 2A时，hF > 400。有互补PNP类型。适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。环保器件

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1+
￥1.197 ￥2.1
10+
￥0.8695 ￥1.85
30+
￥0.6438 ￥1.74
100+
￥0.5957 ￥1.61
500+
￥0.5735 ￥1.55
1000+
￥0.5624 ￥1.52

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型号：AP7343DQ-33W5-7 编号：C5183854

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差稳压器，具有高输出电压精度、低RDS(ON)、高PSRR、低输出噪声和低静态电流的特点。该稳压器基于CMOS工艺。包含电压基准、误差放大器、限流电路和使能输入，可开启或关闭。通过集成电阻网络，可提供固定输出电压版本。凭借其低功耗以及线路和负载瞬态响应特性，非常适合对噪声敏感的汽车应用。采用SOT25、W-DFN2020-6 (SWP) (Type A1)和W-DFN2020-6 (SWP) (Type UXD)封装，可实现最小占位面积和密集PCB布局。

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5+
￥1.2015
50+
￥0.9365
150+
￥0.8229
500+
￥0.6812
3000+
￥0.6181

有货

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型号：D5V0L4B5SO-7 编号：C1869325

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。4 通道双向 ESD 保护。低通道输入电容。无铅/符合 RoHS 标准。“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.2382
50+
￥0.9721
150+
￥0.8581
500+
￥0.7158

有货

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型号：SMAZ36-13-F 编号：C150508

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.26
50+
￥0.9794
150+
￥0.8592
500+
￥0.7092
2500+
￥0.6424

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型号：AP3012KTR-G1 编号：C102618

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一种基于电感的升压（降压-升压）转换器，采用高频（1.5MHz）工作，因此可以使用小型、低剖面电感。内置过压保护（OVP），当输出电压超过29V的OVP阈值时，设备将进入关断模式。采用标准SOT-23-5封装。

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5+
￥1.261
50+
￥1.0391
150+
￥0.944
500+
￥0.8254

有货

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型号：ZXMN10A07FTA 编号：C140566

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥1.2909
50+
￥0.9941
150+
￥0.867
500+
￥0.7083
3000+
￥0.6376

有货

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型号：US1GWF-7 编号：C150485

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

采用SOD123F（标准）封装的整流器，适用于功率因数校正电路中的升压二极管。适用于高温条件下的超快开关速度AC-AC和DC-DC转换器的二次整流和续流，用于消费类应用。

数据手册

5+
￥1.3042
50+
￥1.0174
150+
￥0.8945
500+
￥0.7411

有货

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型号：DMN3025LFV-13 编号：C3279394

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

5+
￥1.3402
50+
￥1.064
150+
￥0.9456
500+
￥0.7979
3000+
￥0.7321

有货

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型号：FMMT718TA 编号：C74079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。IC = -1.5A 连续集电极电流。ICM = -6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -1A。RCE(SAT) = 97mΩ 低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.3473
50+
￥1.1012
150+
￥0.9958
500+
￥0.8642

有货

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型号：AH1806-W-7 编号：C126663

封装：SC-59-3

品牌：DIODES(美台)

AH1806是一款高灵敏度、微功耗全极霍尔效应开关IC，专为便携式和电池供电的消费类产品、家用电器及工业应用而设计，如智能电表磁干扰检测。基于两个灵敏的霍尔效应板和铜稳定架构，AH1806在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为支持便携式和电池供电设备，该设计经过优化，可在2.5V至5.5V的电源范围内工作，在3V电源下仅消耗24μW的功率

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