DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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高效、低 EMI、宽模拟调光范围，36V、1A/1.3A 降压型 LED 驱动器

型号：AL8807AW5-7 编号：C2678580

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款降压型 DC/DC 转换器，用于以恒定电流驱动 LED。该器件可以在 6V 至 36V 的电压源下串联驱动多达 9 个白色高亮度 LED。具有扩展的 CTRL 引脚电压范围，将其模拟调光范围增加到大于 10:1。改进的模拟调光范围使其适用于各种需要宽模拟调光范围的照明应用。以高达 1MHz 的频率进行开关，并控制上升和下降时间以减少 EMI。这允许使用小尺寸的外部组件，从而最小化所需的 PCB 面积。最大输出电流通过连接在 VIN 和 SET 输入引脚之间的外部电阻器设置。内置过温保护，因此如果发生故障，设备将自动关闭，并仅在其结温冷却后重新启动。

1+
￥3.27
10+
￥2.7
30+
￥2.39
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￥2.03
500+
￥1.88
1000+
￥1.8

有货

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CMOS轨到轨输出运算放大器

型号：TLV272IM8-13 编号：C441834

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

TLV27x 为 TLC27x 系列运算放大器提供了一种高性能替代方案。这些器件在扩展工业温度范围内将最低工作电源电压降至 2.7V，同时增加了轨到轨输出摆幅特性。这使其成为在需要轨到轨输出摆幅的应用中替代 TLC27x 系列的理想选择

数据手册

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￥3.31
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￥2.6
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￥2.3
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￥1.92
500+
￥1.75
1000+
￥1.65

有货

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PNP 电流:3A 电压:40V

型号：FZT1151ATA 编号：C155344

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。高连续集电极电流：IC =-3A。峰值脉冲电流：ICM =-5A。低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

1+
￥3.66
10+
￥2.97
30+
￥2.62
100+
￥2.28
500+
￥2.07
1000+
￥1.97

有货

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PNP 电流:5.5A 电压:60V

型号：ZXTP2012GTA 编号：C508267

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO-60V。 IC =-5.5A 连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-70mV 最大值 @-1A。 RSAT = 39mΩ @-5A，低等效导通电阻。 hFE 指定至-10A，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.66
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￥2.97
30+
￥2.63
100+
￥2.29
500+
￥2.09

有货

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2个P沟道耐压:40V 电流:5.2A

型号：DMP4050SSD-13 编号：C154754

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.86
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￥3.12
30+
￥2.8
100+
￥2.41
500+
￥2.23
1000+
￥2.12

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PNP 电流:3A 电压:15V

型号：FZT788BTA 编号：C141330

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -15V。BVCBO > -15V。IC = -3A 高连续电流。hFE > 300 @ -2A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻 RCE(sat) 93mΩ @ -3A。互补 NPN 类型。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

数据手册

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￥3.91
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￥3.22
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￥2.93
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￥2.56
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￥2.39
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￥2.29

有货

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1个P沟道耐压:250V 电流:265mA

型号：ZVP4525GTA 编号：C211425

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代沟槽 MOSFET 具有独特结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

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￥3.92
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￥3.21
30+
￥2.86
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￥2.51
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￥2.3
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￥2.19

有货

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中功率晶体管 NPN 电流:4A 电压:100V

型号：ZXTN2020FTA 编号：C460288

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

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￥3.94
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￥3.26
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￥2.92
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￥2.59
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￥2.39
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￥2.29

有货

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1个P沟道耐压:450V 电流:75mA

型号：ZVP0545GTA 编号：C435961

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

P沟道 -450V -75A

数据手册

1+
￥3.98
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￥3.23
30+
￥2.85
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￥2.48
500+
￥2.25
1000+
￥2.14

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:13A 60A

型号：DMT6008LFG-7 编号：C461111

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥4.01
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￥3.19
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￥2.78
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￥2.38
500+
￥2.13
1000+
￥2.01

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单通道功率分配开关，带输出过压保护

型号：AP22815AWT-7 编号：C2150007

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP22815/615是3A单通道、带输出过压保护（OVP）的限流高端功率开关，针对USB和其他热插拔应用进行了优化。AP22815/615符合USB标准，使能输入有两种极性可选。该器件还具备固定和可调限流功能，针对需要精确限流支持的应用进行了优化

数据手册

1+
￥4.85
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￥3.91
30+
￥3.45
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￥2.85
500+
￥2.57
1000+
￥2.43

有货

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单向TVS 28V截止峰值浪涌电流：66.1A

型号：3.0SMCJ28A-13 编号：C460481

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

特性：3000W 峰值脉冲功率耗散。 5V 至 170V 关断电压。单向和双向。 IEC-61000-4-2 ESD 空气放电 30kV，接触放电 30kV。人体模型 (HBM) 8kV；充电设备模型 (CDM) 1kV；机器模型 (MM) 800V。玻璃钝化芯片结构。出色的钳位能力。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合 JEDEC 高可靠性标准

数据手册

1+
￥4.85
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￥4.01
30+
￥3.59
100+
￥3.18
500+
￥2.93
1000+
￥2.8

有货

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60V N沟道自保护增强型智能MOSFET

型号：ZXMS6005DN8-13 编号：C2150232

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管（IntelliFET）MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关

1+
￥4.89
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￥4.37
30+
￥4.09
100+
￥3.77
500+
￥3.62
1000+
￥3.56

有货

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1个P沟道耐压:240V 电流:200mA

型号：ZVP4424A 编号：C500780

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：240 伏 VDS。 RDS(on)=9Ω。低阈值。应用：电子钩开关

数据手册

1+
￥5.12
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￥4.7
30+
￥4.47
100+
￥4.2
500+
￥4.09
1000+
￥4.04

有货

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NPN 电流:5A 电压:40V

型号：FZT1051ATA 编号：C156327

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。高连续集电极电流 IC = 5A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。低饱和电压 VCE(sat) < 120mV @ 1A。低等效导通电阻 RSAT = 50mΩ @ 5A。 hFE 指定至 10A，高增益保持。应用：螺线管、继电器和执行器驱动器。 DC 模块

数据手册

1+
￥5.67
10+
￥4.75
30+
￥4.29
100+
￥3.84
500+
￥3.56

有货

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1个P沟道耐压:450V 电流:45mA

型号：ZVP0545A 编号：C526788

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：450V VDS。 RDS(on) = 150Ω

数据手册

1+
￥7.06
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￥6.57
30+
￥6.3
100+
￥6
500+
￥5.87
1000+
￥5.81

有货

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降压型 5A 4.5V~40V

型号：AP1501A-50K5G-13 编号：C674400

封装：TO-263-5

品牌：DIODES(美台)

AP1501A 系列是专为降压型 DC/DC 转换器设计的单片集成电路，无需额外的晶体管元件即可驱动 5A 负载。由于减少了外部元件数量，可轻松节省电路板空间。外部关断功能可通过逻辑电平控制，使器件进入待机模式

数据手册

1+
￥8.99
10+
￥7.59
30+
￥6.82
100+
￥5.95
500+
￥5.25
800+
￥5.07

有货

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75V 200mA

型号：BAS16-7-F 编号：C69162

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.1444
200+
￥0.1139
600+
￥0.097
3000+
￥0.0868

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904T-7-F 编号：C239187

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.156
200+
￥0.1236
600+
￥0.1055

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:220mA

型号：2N7002A-7 编号：C139446

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

20+
￥0.2018
200+
￥0.1548
600+
￥0.1287
3000+
￥0.1131

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT4401-13-F 编号：C2760575

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

20+
￥0.2123
200+
￥0.1661
600+
￥0.1404
2000+
￥0.125

有货

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200V 200mA

型号：BAS21-7-F 编号：C459832

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高电导率。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.2247
200+
￥0.1753
600+
￥0.1479
3000+
￥0.1315

有货

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75V 300mA

型号：BAV99-13-F 编号：C526451

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.2266
200+
￥0.1814
600+
￥0.1562
2000+
￥0.1411

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:2uA@4.0V

型号：BZT52C6V2S-7-F 编号：C177018

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.2321
200+
￥0.1852
600+
￥0.1591
3000+
￥0.1269

有货

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4.7V 3uA@2V

型号：BZX84C4V7-7-F 编号：C384560

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

20+
￥0.2358
200+
￥0.1853
600+
￥0.1573

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906Q-7-F 编号：C460100

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

数据手册

20+
￥0.2458
200+
￥0.1972
600+
￥0.1702
3000+
￥0.1531

有货

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200V 200mA

型号：BAV20W-7-F 编号：C260853

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.2465
200+
￥0.1929
600+
￥0.163
3000+
￥0.1452

有货

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双向TVS 15V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：D15V0X1B2LP-7B 编号：C1977513

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代TVS旨在保护敏感电子设备免受ESD造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

单价：
￥0.2483 / 个

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.1uA@1V

型号：BZT52C16-7-F 编号：C397929

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2508
200+
￥0.2005
600+
￥0.1726
3000+
￥0.1443

有货

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200V 200mA

型号：BAS21Q-7-F 编号：C507900

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高电导率。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.253
200+
￥0.2028
600+
￥0.1749
3000+
￥0.1582

有货

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