DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJD340-13 编号：C443830

封装：DPAK-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。高连续集电极电流：IC = 0.5A。峰值脉冲电流：ICM = 0.75A。适用于功率开关或放大应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥1.8952
50+
￥1.5063
150+
￥1.3396
500+
￥1.1316

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型号：S5GC-13-F 编号：C211400

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.9055
50+
￥1.5507
150+
￥1.3987
500+
￥1.2089
3000+
￥1.1245

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型号：SDT8A120P5-13 编号：C3758451

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

封装在紧凑且热效率高的 PowerDI5 中，提供非常低的 VF 和出色的高温反向泄漏稳定性，适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

1+
￥1.95
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￥1.72
30+
￥1.62
100+
￥1.5
500+
￥1.45
1000+
￥1.41

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型号：MBRD10100CT-13 编号：C460889

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

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5+
￥2.0006
50+
￥1.5508
150+
￥1.358
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￥1.1175

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型号：DMN6040SVTQ-7 编号：C461037

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥2.0041
50+
￥1.6261
150+
￥1.464
500+
￥1.2618

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型号：DMN3016lss-13 编号：C397943

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.0118
50+
￥1.6406
150+
￥1.4815
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￥1.283
2500+
￥1.1505

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型号：LSP5523-R8A 编号：C6653519

封装：SOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

LSP5523 是一款 3A 27V 同步降压转换器,具有宽输入电压范围（4.5V 至 27V）,固定 340kHz 开关频率,内置功率 MOSFET 开关,可调输出电压（0.925V 至 0.8V）,高达 93% 的效率,可编程软启动,稳定的低 ESR 陶瓷输出电容器,逐周期限流保护,短路保护,输入欠压锁定等功能。适用于分布式电源系统、网络系统、FPGA、DSP、ASIC 电源供应、绿色电子产品和笔记本电脑等应用。

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269

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型号：DFLS230-7 编号：C110495

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥2.0328
50+
￥1.6429
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￥1.4758
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￥1.2673

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型号：DMC1229UFDB-7 编号：C443653

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥2.1021
50+
￥1.7088
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￥1.5403
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￥1.33

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型号：DMP6110SVTQ-7 编号：C2892748

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：背光照明

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5+
￥2.149
50+
￥1.8854
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￥1.7725
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￥1.6316

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型号：ZXTR2112F-7 编号：C441831

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXTR2112F将晶体管、齐纳二极管和电阻单片集成，用作线性稳压器。该器件在15mA电流下可提供12V的标称输出电压。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计

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5+
￥2.1928
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￥1.7196
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￥1.5169
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￥1.2639

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型号：SMCJ30A-13-F 编号：C135160

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=33.3V VC=48.4V IPP=31A 单向

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5+
￥2.1938
50+
￥1.7334
150+
￥1.5361
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￥1.2899

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型号：PDS3200Q-13 编号：C397956

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低正向压降。极低漏电流。高度稳定的氧化钝化结。高正向浪涌电流能力。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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1+
￥2.22
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￥1.54
30+
￥1.2
100+
￥0.86
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￥0.66
1000+
￥0.55

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型号：ZXTC2063E6TA 编号：C460284

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

采用先进的工艺能力来实现这款高性能器件。在SOT26封装中集成NPN和PNP晶体管，为目标应用提供了紧凑的解决方案。

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3000+
￥1.3542
6000+
￥1.342
9000+
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型号：DMG6898LSD-13 编号：C154904

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光、电源管理功能、DC - DC转换器。

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5+
￥2.2921
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￥1.831
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￥1.6333
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2500+
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型号：SMCJ26CA-13-F 编号：C135157

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=28.9V VC=42.1V IPP=35.6A 双向

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5+
￥2.2999
50+
￥1.8983
150+
￥1.7261
500+
￥1.5114

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型号：ZR40402F25TA 编号：C154908

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZR4040 - 2.5采用带隙电路设计，实现了2.5伏的精密微功耗电压基准。该器件有小外形表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用，也有满足通孔安装需求的封装。ZR4040 - 2.5的设计无需外部电容即可提供稳定的电压，并且在容性负载下也能保持稳定

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1+
￥2.39
10+
￥1.9412 ￥2.11
30+
￥1.6236 ￥1.98
100+
￥1.5006 ￥1.83
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￥1.4432 ￥1.76
1000+
￥1.4104 ￥1.72

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型号：ZXTP08400BFFTA 编号：C156264

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款 PNP 晶体管专为需要高阻断电压的应用而设计。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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1+
￥2.45
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￥2.18
30+
￥2.07
100+
￥1.93
500+
￥1.87
1000+
￥1.83

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型号：DFLS130-7 编号：C150474

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗、高效率。高浪涌能力。高电流能力和低正向压降。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，可靠性高

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1+
￥2.58
10+
￥2.04
30+
￥1.81
100+
￥1.52
500+
￥1.39
1000+
￥1.31

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型号：DMT31M6LPS-13 编号：C526582

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥2.618 ￥3.4
10+
￥2.0368 ￥3.04
30+
￥1.6245 ￥2.85
100+
￥1.5219 ￥2.67
500+
￥1.4592 ￥2.56
1000+
￥1.425 ￥2.5

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型号：DMNH6022SSD-13 编号：C2925737

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥2.6944 ￥4.21
10+
￥2.0358 ￥3.77
30+
￥1.562 ￥3.55
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￥1.4652 ￥3.33
500+
￥1.408 ￥3.2
1000+
￥1.3772 ￥3.13

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型号：AP3917BS7-13 编号：C5244498

封装：SO-7

品牌：DIODES(美台)

AP3917B是一款通用交流电压输入降压功率开关器，专为家用电器和物联网应用而设计，提供非隔离降压解决方案或离线反激解决方案。该器件集成了一个650V高性能功率MOSFET。配合单绕组电感器使用，所需外部元件更少，提供了一种低物料清单（BOM）成本的解决方案。AP3917B可实现出色的稳压性能和高功率效率。随着负载的降低，峰值电流和开关频率持续降低，从而在轻载时获得出色的效率表现，并提高了整个系统的效率。AP3917B具备多种保护功能，以增强系统的安全性和可靠性。它具有过温保护、欠压锁定功能、输出短路保护、过载保护和开环保护。AP3917B采用SO - 7封装。