DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共18644件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

ESD 12V截止

型号：SD12-7 编号：C526760

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：350瓦峰值脉冲功率（tp = 8x20μs）。 IEC 61000-4-2（ESD）：空气放电-30kV，接触放电-30kV。 IEC 61000-4-2（ESD），人体模型-16kV。 IEC 61000-4-4，40A。 IEC 61000-4-5（浪涌），15A。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.4389
100+
￥0.3571
300+
￥0.3162
3000+
￥0.2856

有货

立即购买

单路 2 输入正与门

型号：74AHC1G08W5-7 编号：C460487

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74AHC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 2.0V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

10+
￥0.447
100+
￥0.3582
300+
￥0.3138

有货

立即购买

1对共阴极耐压:10V 电流:100nA@7.5V

型号：DZ23C10-7-F 编号：C151403

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

数据手册

10+
￥0.4546
100+
￥0.3774
300+
￥0.3388

有货

立即购买

2.5V~36V 并联 20ppm/℃

型号：AZ431AR-ATRE1 编号：C112173

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREF（2.5V）至相应最大阴极电压（36V）之间的任意值

数据手册

10+
￥0.4584
100+
￥0.3629
300+
￥0.3152
1000+
￥0.254

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:630mA

型号：DMG1012TQ-7 编号：C531154

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。 ESD保护高达2kV。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.4588
100+
￥0.3733
300+
￥0.3306
3000+
￥0.2985

有货

立即购买

3.3V 1.35A 10V

型号：AZ1117CH-3.3TRG1 编号：C92102

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

数据手册

5+
￥0.4831
50+
￥0.378
150+
￥0.3254
500+
￥0.286

有货

立即购买

NPN 电流:1A 电压:60V

型号：DNBT8105-7 编号：C460714

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。高集电极电流额定值。有互补版本。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.4914
50+
￥0.3911
150+
￥0.3409
500+
￥0.3033

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:1.2A

型号：DMN2310UT-13 编号：C5711683

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

5+
￥0.4997
50+
￥0.4427
150+
￥0.4143
500+
￥0.3929
2500+
￥0.3758
5000+
￥0.3673

有货

立即购买

独立式耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V

型号：PD3Z284C12-7 编号：C442640

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。超小型表面贴装封装。无铅设计，符合 RoHS 标准。“绿色”模塑料（无溴、锑）。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.507952 ￥0.9584
50+
￥0.369413 ￥0.8591
150+
￥0.269445 ￥0.8165
500+
￥0.251922 ￥0.7634
3000+
￥0.234729 ￥0.7113
6000+
￥0.230043 ￥0.6971

有货

立即购买

单路三输入正与门

型号：74LVC1G11W6-7 编号：C460526

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G11 是一款单路 3 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围

数据手册

5+
￥0.514
50+
￥0.4006
150+
￥0.344
500+
￥0.3014

有货

立即购买

100V 250mA

型号：BAW56HDW-13 编号：C5248603

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。高反向击穿电压。低泄漏电流。低电容。适用于通用开关应用。一个封装内有两个电路。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.5145
50+
￥0.418
150+
￥0.3697
500+
￥0.3336
2500+
￥0.3046
5000+
￥0.2901

有货

立即购买

1个P沟道耐压:100V 电流:0.27A

型号：DMP10H4D2S-7 编号：C119037

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5165
50+
￥0.4045
150+
￥0.3486
500+
￥0.3066
3000+
￥0.264

有货

立即购买

2个N沟道耐压:30V 电流:260mA

型号：DMN63D8LV-7 编号：C397982

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.5204
100+
￥0.4207
300+
￥0.3709
3000+
￥0.3335

有货

立即购买

NPN 电流:200mA 电压:160V

型号：MMST5551Q-7-F 编号：C5249115

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补NPN类型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

10+
￥0.5332
100+
￥0.4411
300+
￥0.3951
1000+
￥0.3605
5000+
￥0.3329

有货

立即购买

1个N沟道耐压:600V 电流:70mA

型号：DMN60H080DS-13 编号：C6934856

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代产品采用先进的平面技术MOSFET，具备出色的高电压性能和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。

5+
￥0.5355
50+
￥0.472
150+
￥0.4402
500+
￥0.4164
2500+
￥0.3973

有货

立即购买

低功耗低失调电压单比较器

型号：AS331KTR-G1 编号：C513286

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AS331由一个单精密电压比较器组成，其典型输入失调电压为1.0mV，且具有高电压增益。它专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。

数据手册

5+
￥0.5446
50+
￥0.4245
150+
￥0.3644
500+
￥0.3194

有货

立即购买

NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847BVN-7 编号：C459863

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延芯片结构。一个封装中有两个内部隔离的NPN/PNP晶体管。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5584
50+
￥0.4491
150+
￥0.3945
500+
￥0.3535

有货

立即购买

单路2输入异或门

型号：74AUP1G86FW4-7 编号：C362115

封装：X2-DFN1010-6

品牌：DIODES(美台)

先进超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池续航而设计。74AUP1G86是一款单路、两输入、正异或门，具有标准推挽输出，设计工作电源范围为0.8V至3.6V

数据手册

5+
￥0.567284 ￥0.7666
50+
￥0.392064 ￥0.6126
150+
￥0.289224 ￥0.5356
500+
￥0.258066 ￥0.4779
2500+
￥0.233118 ￥0.4317
5000+
￥0.220644 ￥0.4086

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：DMN62D1LFD-7 编号：C461042

封装：X1-DFN1212-3

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.568
50+
￥0.4614
150+
￥0.408
500+
￥0.368
3000+
￥0.336

有货

立即购买

1个P沟道耐压:20V 电流:3.3A

型号：DMP2160U-7 编号：C260875

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5836
50+
￥0.4742
150+
￥0.4194
500+
￥0.3784
3000+
￥0.3456

有货

立即购买

NPN 电流:200mA 电压:300V

型号：MMSTA42-7-F 编号：C460107

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于低功率放大和开关。超小表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5912
50+
￥0.4803
150+
￥0.4249
500+
￥0.3833

有货

立即购买

3个独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V

型号：BZX84C3V3TS-7-F 编号：C5124989

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：齐纳电压范围为 2.4-39V。单个超小表面贴装封装中包含三个独立的二极管元件。无铅/符合 RoHS 标准。环保器件

数据手册

5+
￥0.5973
50+
￥0.5866
150+
￥0.5794
500+
￥0.5723

有货

立即购买

2.5V~36V 并联

型号：TL431BSA-7 编号：C97730

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

TL431和TL432是三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性和高达100 mA的输出电流处理能力。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为2.5至36 V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，这些器件可作为齐纳二极管的替代品。TL431的电气规格与行业标准“431”相同，有两个等级可供选择，A 级和 B 级的初始公差分别为1%和0.5%。

数据手册

5+
￥0.6018
50+
￥0.477
150+
￥0.4146
500+
￥0.3678
3000+
￥0.2951

有货

立即购买

2个N沟道耐压:30V 电流:1A

型号：DMN3190LDW-7 编号：C154750

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

双N沟道,30V,1A,190mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.6171
50+
￥0.5034
150+
￥0.4466
500+
￥0.404
3000+
￥0.3628

有货

立即购买

PNP 电流:200mA 电压:150V

型号：MMDT5401-7-F 编号：C460236

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补NPN类型。适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6208
50+
￥0.4932
150+
￥0.4295
500+
￥0.3817

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:4A

型号：DMN2056U-13 编号：C5208862

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6248
50+
￥0.561
150+
￥0.5291
500+
￥0.5052
2500+
￥0.486
5000+
￥0.4765

有货

立即购买

74LVC1G97DW-7

型号：74LVC1G97DW-7 编号：C460532

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G97 是一款单路三输入、正向可配置多功能门电路，具备标准推挽输出。输出状态由三位输入的八种组合模式决定。用户可选择复用器（MUX）、与门（AND）、或门（OR）、与非门（NAND）、或非门（NOR）、反相器或同相缓冲器等逻辑功能

数据手册

5+
￥0.6275
50+
￥0.4987
150+
￥0.4344
500+
￥0.3861

有货

立即购买

双向TVS 12V截止峰值脉冲电流：20.1A@8/20us

型号：SMAJ12CA-13-F 编号：C134948

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.636
50+
￥0.4974
150+
￥0.4281
500+
￥0.3761
2500+
￥0.3345

有货

立即购买

双2输入或非门

型号：74LVC2G02HK3-7 编号：C842632

封装：UDFN-8(1x1.5)

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G02 是一款双路二输入或非门。两个门电路均采用推挽输出，设计工作电源电压范围为 1.65V 至 5V。

数据手册

5+
￥0.645392 ￥0.8492
50+
￥0.453816 ￥0.6876
150+
￥0.339808 ￥0.6068
500+
￥0.305872 ￥0.5462
2500+
￥0.278712 ￥0.4977
5000+
￥0.265104 ￥0.4734

有货

立即购买

独立式耐压:3.3V 电流:5uA

型号：BZT52C3V3LP-7 编号：C150478

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6514
50+
￥0.5292
150+
￥0.4682
500+
￥0.4223

有货

立即购买

共622页，18644条记录到页

<上一页
1
...
35
36
37
38
39
...
622
下一页

立创商城为您提供DIODES美台电池保护芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买DIODES美台电池保护芯片提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content