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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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符合条件商品：共18665件
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描述
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操作
低功耗双输出PCIe时钟缓冲器，带片上终端
型号：PI6CB33202ZDIEX 编号：C1857410
封装：TQFN-24-EP(4x4)
品牌：DIODES(美台)
是一款双输出的极低功耗PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4/Gen5时钟缓冲器。它采用参考输入，扇出两个100MHz低功耗差分HCSL输出，并带有片上终端。片上终端可节省八个外部电阻，使布局更轻松。每个输出都有独立的OE引脚，便于电源管理。它采用专有PLL设计，实现极低抖动，满足PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4/Gen5要求。除支持PCIe 100MHz外，该器件还通过SMBus支持50MHz、125MHz和133.33MHz的以太网应用。它通过SMBUS提供各种选项，如不同的压摆率和幅度，用户可以轻松配置设备，为其单板获得优化性能。
数据手册

  • 1+

    ￥12.8

  • 10+

    ￥10.83

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    ￥9.6

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    ￥8.34

  • 500+

    ￥7.77

  • 1000+

    ￥7.53
  • 有货
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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA@8V
    型号：DZ9F11S92-7 编号：C5244896
    封装：SOD-923
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。 扁平引脚、散热高效的封装设计。 外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 10+

      ￥0.1672

    • 100+

      ￥0.1639

    • 300+

      ￥0.1617

    • 1000+

      ￥0.1594
  • 有货
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    NPN 50V 100mA
    型号：DDTC113ZCA-7-F 编号：C151437
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 可提供PPAP文件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1698

    • 200+

      ￥0.132

    • 600+

      ￥0.111

    • 3000+

      ￥0.0984
  • 有货
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    独立式 耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V
    型号：MMSZ5226B-7-F 编号：C155250
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2271

    • 200+

      ￥0.1832

    • 600+

      ￥0.1587

    • 3000+

      ￥0.1311
  • 有货
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    100V 300mA
    型号：1N4148W-13-F 编号：C112342
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 低正向电压：1mA 时最大 0.715V。 快速反向恢复：最大 4ns。 低电容：最大 2pF。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑，“绿色”器件。 适合需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2453

    • 200+

      ￥0.2028

    • 600+

      ￥0.1791

    • 2000+

      ￥0.1649
  • 有货
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    PNP 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA56-7-F 编号：C151827
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2463

    • 100+

      ￥0.1975

    • 300+

      ￥0.1731

    • 3000+

      ￥0.1548

    • 6000+

      ￥0.1402
  • 有货
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    耐压:7.5V 电流:0.5uA@6.0V
    型号：DDZX7V5C-13 编号：C5378688
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常尖锐的击穿特性。 在FR-4 PCB上的功耗为300mW。 齐纳电压（Vz）的公差非常小。 非常适合自动化组装过程。 极低的泄漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准。 有单独数据手册的汽车级兼容部件（DDZX5V1BQ）
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2727

    • 100+

      ￥0.2415

    • 300+

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    • 1000+

      ￥0.2143

    • 5000+

      ￥0.2049
  • 有货
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    独立式 耐压:5.6V 电流:5uA@3.0V
    型号：MMBZ5232BW-7-F 编号：C2760638
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小尺寸表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.286092 ￥0.3532

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    • 3000+

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      ￥0.115351 ￥0.1891
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT43W-7-F 编号：C134398
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 快速开关时间。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 提供无铅/符合RoHS标准的版本
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3101

    • 100+

      ￥0.252

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      ￥0.223

    • 3000+

      ￥0.2013

    • 6000+

      ￥0.1838

    • 9000+

      ￥0.1751
  • 有货
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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.1uA@6.2V
    型号：DDZ9694-7 编号：C151594
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。 指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。 适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产
    数据手册

    • 5+

      ￥0.31455 ￥1.0485

    • 50+

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    • 150+

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    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.07759 ￥0.7759

    • 6000+

      ￥0.07582 ￥0.7582
  • 有货
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    200V 200mA
    型号：BAV21WS-7-F 编号：C151350
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高反向击穿电压。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3151

    • 100+

      ￥0.2564

    • 300+

      ￥0.2271
  • 有货
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    P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84DW-7-F 编号：C161617
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3233

    • 100+

      ￥0.2562

    • 300+

      ￥0.2227
  • 有货
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    独立式 耐压:12V 电流:50nA@9.1V
    型号：DDZ9699T-7 编号：C460861
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 非常尖锐的击穿特性。 非常适合自动化装配工艺。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.326

    • 100+

      ￥0.2544

    • 300+

      ￥0.2186
  • 有货
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    单路 2 输入正与门
    型号：74LVC1G08SE-7 编号：C460522
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.326

    • 100+

      ￥0.2567

    • 300+

      ￥0.2221
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V
    型号：BZT52C5V6T-7 编号：C516598
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3476

    • 100+

      ￥0.2857

    • 300+

      ￥0.2548
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BS-7-F 编号：C156292
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >45V。超小表面贴装封装。非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3526

    • 100+

      ￥0.2854

    • 300+

      ￥0.2518

    • 3000+

      ￥0.2195
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V
    型号：BZT52C15T-7 编号：C460787
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3661

    • 100+

      ￥0.3037

    • 300+

      ￥0.2725
  • 有货
    • 立即购买
    80V 125mA
    型号：1N4148WTQ-7 编号：C526201
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 非常小的表面贴装封装。 用于通用开关应用。 高电导。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3854

    • 100+

      ￥0.3182

    • 300+

      ￥0.2846
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：BZT52HC5V1WF-7 编号：C5244730
    封装：SOD-123F
    品牌：DIODES(美台)
    特性：扁平引脚封装设计，实现低外形和高功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

    • 10+

      ￥0.4067

    • 100+

      ￥0.3254

    • 300+

      ￥0.2847

    • 3000+

      ￥0.2542
  • 有货
    • 立即购买
    1对共阴极 耐压:6.8V
    型号：DZ23C6V8-7-F 编号：C150450
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4147

    • 100+

      ￥0.30321 ￥0.3369

    • 300+

      ￥0.2384 ￥0.298

    • 3000+

      ￥0.21504 ￥0.2688

    • 6000+

      ￥0.1964 ￥0.2455

    • 9000+

      ￥0.18712 ￥0.2339
  • 有货
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    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：D5V0L1B2T-7 编号：C460441
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电±30kV，接触放电±30kV。 1通道ESD保护。 低通道输入电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。 便携式电子设备
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4255

    • 100+

      ￥0.3391

    • 300+

      ￥0.2959

    • 3000+

      ￥0.2634
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BFA-7B 编号：C155299
    封装：DFN-3(0.8x0.6)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 45V。 集电极电流高：IC = 100mA。 功率耗散：PD = 435mW。 封装占地面积0.48mm²，比SOT23小16倍。 封装高度0.4mm，可减少板外轮廓。 互补PNP型BC857BFA。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 有单独数据手册的汽车兼容部件（BC847BFAQ）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4264 ￥1.04

    • 50+

      ￥0.284332 ￥0.9172

    • 150+

      ￥0.181566 ￥0.8646

    • 500+

      ￥0.167769 ￥0.7989

    • 2500+

      ￥0.161637 ￥0.7697

    • 5000+

      ￥0.157941 ￥0.7521
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:510mA
    型号：DMN2990UFA-7B 编号：C151598
    封装：XFDFN-3(0.6x0.8)
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4326

    • 100+

      ￥0.3579

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      ￥0.3205

    • 1000+

      ￥0.2925

    • 5000+

      ￥0.2664
  • 有货
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    三态输出，单缓冲门
    型号：74LVC1G126SE-7 编号：C460528
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G126 是一款单路、同相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能 (OE) 引脚施加低电平时，输出将进入高阻抗状态
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4342

    • 100+

      ￥0.3483

    • 300+

      ￥0.3054

    • 3000+

      ￥0.2732
  • 有货
    • 立即购买
    三态输出，双缓冲门
    型号：74LVC2G125RA3-7 编号：C842614
    封装：X2-DFN1210-8
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G125是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

    • 5+

      ￥0.43551 ￥0.4839

    • 50+

      ￥0.34264 ￥0.4283

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    P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84W-7-F 编号：C110490
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4371

    • 100+

      ￥0.3494

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    N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2N7002KQ-7 编号：C111971
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4435

    • 100+

      ￥0.3602

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      ￥0.2872
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：DMG2301L-7 编号：C102619
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4522

    • 100+

      ￥0.3682

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      ￥0.2947
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    单通道限流负载开关
    型号：AP2331SA-7 编号：C500764
    封装：SOT-23-3
    品牌：DIODES(美台)
    AP2331是一款单通道限流集成高端功率开关，专为热插拔应用而优化。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并为承受重容性负载和可能发生短路的应用提供全面的保护解决方案。它具备反向电流阻断、过流、过温和短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能
    数据手册

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      ￥0.4553

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    • 150+

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    5V 100mA 30V
    型号：AS78L05RTR-E1 编号：C90471
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    适用于各种应用，包括本地、板载调节。具备内部限流、热关断保护和安全区补偿功能，几乎不受输出过载影响。若提供足够散热，可提供高达 100mA 的输出电流。有 TO-92（散装）、SOT-89 和 SOIC-8 封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.471

    • 100+

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    • 300+

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