DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SDT10A45P5-13 编号：C2997843

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

封装在紧凑的高效散热PowerDi5中，具有非常低的VF和出色的高温反向泄漏稳定性，适合作为整流二极管、续流二极管或阻塞二极管使用。

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5+
￥1.4051
50+
￥1.1094
150+
￥0.9827
500+
￥0.8246
2500+
￥0.7248

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型号：DFLS1200-7 编号：C324985

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。专利联锁夹设计，具有高浪涌电流能力。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。有符合汽车标准的产品可供选择

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5+
￥1.4337
50+
￥1.182
150+
￥1.0741
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￥0.9394

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型号：DMP2240UW-7 编号：C459548

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：P-Channel MOSFET。低导通电阻：150 mΩ @ VGS =-4.5V。200 mΩ @ VGS =-2.5V。240 mΩ @ VGS =-1.8V。极低的栅极阈值电压 VGS(th) ≤ 1V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥1.4551
50+
￥1.1264
150+
￥0.9856
500+
￥0.8099
3000+
￥0.7316

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型号：AP22653AW6-7 编号：C1511768

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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5+
￥1.4796
50+
￥1.1826
150+
￥1.0554
500+
￥0.8966
3000+
￥0.7906

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型号：DFLT27A-7 编号：C3033174

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：225W 峰值脉冲功率耗散（10μs x 1000μs 波形）。 5.0V 至 220V 关态电压。出色的钳位能力。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的产品可供选择

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5+
￥1.4923
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￥1.1746
150+
￥1.0385
500+
￥0.8686
3000+
￥0.793
6000+
￥0.7476

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型号：DJT4031N-13 编号：C460711

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动化组装工艺。有互补PNP类型（DJT4030P）。低集电极-发射极饱和电压。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥1.510595 ￥1.5901
50+
￥1.21074 ￥1.4244
150+
￥1.01505 ￥1.3534
500+
￥0.9486 ￥1.2648
2500+
￥0.91905 ￥1.2254
5000+
￥0.901275 ￥1.2017

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型号：AP2132MP-2.5TRG1 编号：C338873

封装：SOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2132系列是采用CMOS工艺制造的正电压调节器IC。这些IC由一个电压基准源、一个误差放大器、一个功率晶体管、一个用于设置输出电压的电阻网络、一个用于电流保护的限流电路和一个芯片使能电路组成。AP2132具有大电流、低压差、高输出电压精度和低输入电压等特点

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5+
￥1.5199
50+
￥1.2097
150+
￥1.0768
500+
￥0.911
2500+
￥0.8372

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型号：SMBJ26CAQ-13-F 编号：C1975327

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

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5+
￥1.5495
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￥1.2244
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￥1.0851
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￥0.9112

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型号：SMBJ22CAQ-13-F 编号：C1975329

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

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5+
￥1.557
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￥1.2229
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￥1.0797
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￥0.9011

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型号：BS170FTA 编号：C151050

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：60V VDS。 RDS(ON) = 5Ω

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5+
￥1.5704
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￥1.2783
150+
￥1.1531
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￥0.9969

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型号：LM2901AQS14-13 编号：C2987007

封装：SOIC-14

品牌：DIODES(美台)

LM2901Q/LM2901AQ/LM2903Q/LM2903AQ 系列比较器分别由四个和两个独立的精密电压比较器组成，具有极低的输入失调电压规格。它们设计为可在宽电压范围内采用单电源供电；不过，也可以采用双电源供电。它们的电源电流较低，且与电源电压的大小无关

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5+
￥1.591
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￥1.3982
150+
￥1.3156
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￥1.2125

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型号：SMCJ160A-13-F 编号：C135140

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=178V VC=259V IPP=5.8A 单向

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5+
￥1.62951 ￥1.873
50+
￥1.284129 ￥1.6677
150+
￥1.058399 ￥1.5797
500+
￥0.984833 ￥1.4699
3000+
￥0.952137 ￥1.4211
6000+
￥0.932439 ￥1.3917

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型号：AH1809-W-7 编号：C780716

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH1809是一款低灵敏度微功耗全极霍尔效应开关IC。它专为电池供电的消费产品、家用电器和智能电表等工业设备而设计。基于两个霍尔效应板和斩波稳定架构，AH1809在整个工作范围内提供可靠的解决方案

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5+
￥1.6388
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￥1.2767
150+
￥1.1216
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￥0.928

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型号：AP22814AW5-7 编号：C2680321

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是单通道限流集成高端电源开关，针对通用串行总线 (USB) 和其他热插拔应用进行了优化。该系列设备符合 USB 标准，使能输入具有两种极性。该设备具有快速短路响应时间，可提高整体系统的稳健性，并具有集成输出放电功能，可确保对输出电压电容器进行完全可控的放电。它们为承受重电容负载和短路风险的应用提供了完整的保护解决方案，并提供反向电流阻断、过流、过温和短路保护，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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5+
￥1.6646
50+
￥1.3053
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￥1.1514
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￥0.9592
3000+
￥0.8737

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型号：DMP2160UFDB-7 编号：C139583

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

P沟道

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单价：
￥0.798394 / 个

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型号：AL8860WT-7 编号：C125330

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款迟滞模式的DC-DC降压转换器，用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联LED。该器件可在4.5V至40V的输入电源下工作，TSOT25封装可提供高达1A的外部可调输出电流，MSOP-8EP封装可提供高达1.5A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件，该转换器可提供高达40瓦的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流检测电路，使用外部电阻设置标称平均输出电流

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单价：
￥1.529452 / 个

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型号：SMBJ28CAQ-13-F 编号：C1975352

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

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5+
￥1.7265
50+
￥1.3439
150+
￥1.18
500+
￥0.9755

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型号：RS3GB-13-F 编号：C155262

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。塑料材料：UL阻燃等级为94V-0

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5+
￥1.7604
50+
￥1.4325
150+
￥1.2919
500+
￥1.1166
3000+
￥1.0385

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型号：BSR33QTA 编号：C526480

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

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5+
￥1.785135 ￥1.9195
50+
￥1.287579 ￥1.5513
150+
￥1.017255 ￥1.3935
1000+
￥0.873518 ￥1.1966
2000+
￥0.80957 ￥1.109
5000+
￥0.771172 ￥1.0564

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型号：AP2281-3WG-7 编号：C128634

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

单一的转换速率控制的负荷开关

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5+
￥1.7941
50+
￥1.3949
150+
￥1.2239
500+
￥1.0104
3000+
￥0.9154

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型号：SDM2100S1FQ-7 编号：C5910056

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

是一款采用SOD123F封装的单整流器。提供低VF、低功耗和高效率，适用于一般整流应用，可作为升压二极管、阻塞二极管。

5+
￥1.8288
50+
￥1.4251
150+
￥1.2521
500+
￥1.0362

有货

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型号：DMN30H4D0L-7 编号：C461015

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥1.829
50+
￥1.4452
150+
￥1.2807
500+
￥1.0754

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型号：ZLLS400QTA 编号：C151560

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款采用SOD323封装的紧凑型肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合，包括大电流工作、极低的漏电流和低正向电压，确保适用于需要在较高温度（+85°C以上）下高效运行的应用场景。

数据手册

5+
￥1.8394
50+
￥1.4259
150+
￥1.2486
500+
￥1.0275

有货

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型号：ZTX551 编号：C460763

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-80V。高连续集电极电流：IC =-1A。峰值脉冲电流：ICM =-2A。最高结温TJ可达 +200℃，适用于高温操作。功耗：PD = 1W。完全无铅且完全符合RoHS标准。应用：LCD背光转换器。应急照明

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1+
￥1.8403 ￥2.39
10+
￥1.4137 ￥2.11
30+
￥1.1343 ￥1.99
100+
￥1.0488 ￥1.84
500+
￥1.0089 ￥1.77
1000+
￥0.9861 ￥1.73

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型号：ZTX455STZ 编号：C2960349

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：140伏VCEO。 1安培连续电流。总功率Ptot = 1瓦。 E-Line TO92兼容

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1+
￥1.8815 ￥2.65
10+
￥1.4213 ￥2.33
30+
￥1.122 ￥2.2
100+
￥1.0353 ￥2.03
500+
￥0.9996 ￥1.96
1000+
￥0.9741 ￥1.91

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型号：RS3MB-13-F 编号：C460933

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。塑料材料：UL阻燃等级为94V-0

数据手册

5+
￥1.8912
50+
￥1.5794
150+
￥1.4458
500+
￥1.279

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型号：DMN3016LFDF-7 编号：C5245302

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

5+
￥1.9048
50+
￥1.5266
150+
￥1.3645
500+
￥1.1622

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型号：AP62301WU-7 编号：C3194340

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用