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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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描述
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NPN 电流:4.5A 电压:20V
型号：ZXTN618MATA 编号：C460290
封装：DFN-3(2x2)
品牌：DIODES(美台)
特性：BVCEO > 20V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 150mV）。 RSAT = 47mΩ，低等效导通电阻。 hFE 高达 6A 时指定，高电流增益保持。 低外形，高度 0.0mm，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
数据手册

  • 5+

    ￥0.7779

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    ￥0.638

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    ￥0.45
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    双向TVS 64V截止 峰值脉冲电流：3.9A
    型号：SMAJ64CA-13-F 编号：C135005
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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      ￥0.7899

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    电压:30V 电流:3A
    型号：B330B-13-F 编号：C134450
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗，高效率。 浪涌过载额定值达125A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 2+

      ￥0.7904

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    耐压:6.8V 电流:5uA@3V
    型号：DFLZ6V8-7 编号：C780820
    封装：PowerDI123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。 有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8549

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      ￥0.656012 ￥0.6694

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      ￥0.431816 ￥0.4907

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      ￥0.3696 ￥0.42
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    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：DT1140-04LP-7 编号：C443632
    封装：UDFN2510-10
    品牌：DIODES(美台)
    特性：钳位电压：10A 100ns TLP时为9V；6A 8µs/20µs时为9V。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电+20/-18kV，接触放电+20/-16kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning)：±6A (8/20µs)。 4通道ESD保护。 典型通道输入电容低至0.5pF。 TLP动态电阻：0.25Ω。应用：USB 2.0。 DVI
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8558

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      ￥0.7034

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    30V 3A
    型号：SBR3M30P1-7 编号：C460953
    封装：PowerDI-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超低漏电流。 优异的高温稳定性。 卓越的反向雪崩能力。 专利互锁夹设计，具有高浪涌电流能力。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 工作结温 +175℃。 ±16kV ESD 保护（HBM，3B）。 ±25kV ESD 保护（IEC61000-4-2 4级，空气放电）。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8761

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    霍尔效应开关
    型号：AH180N-WG-7 编号：C126664
    封装：SC-59-3
    品牌：DIODES(美台)
    AH180N是一款高灵敏度、微功耗全极霍尔效应开关IC，专为便携式和电池供电设备设计，如手机、个人数字助理（PDA）和便携式电脑。基于两个灵敏的霍尔效应板和斩波稳定架构，AH180N在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为支持便携式和电池供电设备，该设计经过优化，可在2.5V至5.5V的电源范围内工作，在3V电源下仅消耗24μA电流
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8798

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      ￥0.7125

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    独立式 耐压:27V 电流:0.1uA
    型号：PD3Z284C27-7 编号：C460245
    封装：PowerDI323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。超小型表面贴装封装。无铅设计，符合 RoHS 标准。“绿色”模塑料（无溴、锑）。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥0.88777 ￥1.3658

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      ￥0.47214 ￥1.0492

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    电压:20V 电流:400mA
    型号：SDM40E20LS-7-F 编号：C97505
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：极低的正向电压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导率。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 有符合汽车标准的型号，具体数据手册不同
    数据手册

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      ￥0.6288

    • 500+

      ￥0.563
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    单2输入正极与门
    型号：74LVC1G08QSE-7 编号：C5278454
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G08Q是一款符合汽车应用标准的单路2输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计的电源电压范围为1.65V至5V。
    数据手册

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      ￥0.9324

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      ￥0.7523

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      ￥0.6622

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      ￥0.5946
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    双施密特触发器反相器
    型号：74LVC2G14W6-7 编号：C384558
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G14 是一款具有标准推挽输出的双施密特触发器反相门。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。
    数据手册

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      ￥0.9494

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    电压:60V 电流:3A
    型号：B360-13-F 编号：C110487
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：DIODES(美台)
    这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
    数据手册

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      ￥0.9688

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    耐压:600V 电流:1A 反向恢复时间：75ns
    型号：US1JDF-13 编号：C3763805
    封装：D-FLAT
    品牌：DIODES(美台)
    采用低外形 D-FLAT 封装的整流器。提供超快恢复时间，实现高效率，非常适合一般整流应用。
    数据手册

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      ￥0.9902

    • 50+

      ￥0.8621

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      ￥0.7081

    • 5000+

      ￥0.6898
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    1个独立式 耐压:8.2V 电流:0.7uA@5V
    型号：BZT52C8V2LP-7 编号：C5248678
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高

    • 5+

      ￥1.0015

    • 50+

      ￥0.8137

    • 150+

      ￥0.7198

    • 500+

      ￥0.6493
  • 有货
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    双向TVS 51V截止 峰值脉冲电流：4.9A
    型号：SMAJ51CA-13-F 编号：C134995
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0126

    • 50+

      ￥0.8272

    • 150+

      ￥0.7344

    • 500+

      ￥0.6649

    • 2500+

      ￥0.6092
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    5V 1A 25V
    型号：AS7805ADTR-E1 编号：C127926
    封装：TO-252-2
    品牌：DIODES(美台)
    是为包括本地、板载调节在内的各种应用而设计的三端正电压调节器。具备内部限流、热关断保护和安全区补偿功能，几乎不受输出过载影响。若提供足够散热，可提供高达1A的输出电流。有TO-220-3、TO-220-3 (2)、TO-252-2 (5)、TO252 (Type CJ)和TO-263-2封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0212

    • 50+

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    • 150+

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    • 500+

      ￥0.5753

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      ￥0.5213
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    40V 1A
    型号：1N5819HW1-7-F 编号：C117948
    封装：SOD-123F
    品牌：DIODES(美台)
    40V,1A,VF=0. 51V@1A，SOD-123F扁平封装，热阻优，符合ROHS
    数据手册

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      ￥1.0241

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      ￥0.833

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      ￥0.7374

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      ￥0.6658
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    3W 单声道 D 类音频放大器
    型号：PAM8013AKR 编号：C444418
    封装：QFN-9(1.5x1.5)
    品牌：DIODES(美台)
    二极管PAM8013是一款3W单声道、无滤波器的D类放大器，具有高电源抑制比（PSRR）和差分输入，可消除噪声和射频整流。其90%的效率和小PCB面积等特性，使PAM8013 D类放大器成为手机的理想选择。无滤波器架构简化了应用设计，无需外部输出滤波器，减少了外部元件数量、PCB面积和系统成本
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0494

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    • 150+

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      ￥0.6309
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    双向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：18.5A
    型号：SMBJ20CA-13-F 编号：C135057
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=22.2V VC=32.4V IPP=18.5A 双向
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0501

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      ￥0.847

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      ￥0.7599

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      ￥0.6513
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
    型号：DMN2005LP4K-7B 编号：C5438909
    封装：X2-DFN1006-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低导通电阻。 极低的栅极阈值电压，最大0.9V。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 ESD保护栅极。 超薄封装。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
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    • 单价：

      ￥0.79336 / 个
    我要订货
    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：30.2A
    型号：SMBJ12CA-13-F 编号：C135039
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=13.3V VC=19.9V IPP=30.2A 双向
    数据手册

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      ￥1.0737

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      ￥0.6203
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    100V 3A
    型号：S3BB-13-F 编号：C110514
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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      ￥1.0795

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      ￥0.8594

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      ￥0.765

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      ￥0.6473
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    4引脚带手动复位的微处理器监控器
    型号：APX811-40UG-7 编号：C155533
    封装：SOT-143
    品牌：DIODES(美台)
    APX811/812用于微处理器监控电路，以监测电源。这些电路执行单一功能：只要Vcc电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在Vcc升至复位阈值以上后，至少保持240ms的复位状态。提供适用于各种电源电压工作的复位阈值
    数据手册

    • 5+

      ￥1.11304 ￥1.3913

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      ￥0.85729 ￥1.2247

    • 150+

      ￥0.69198 ￥1.1533

    • 500+

      ￥0.63852 ￥1.0642

    • 3000+

      ￥0.61476 ￥1.0246

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      ￥0.60048 ￥1.0008
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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：24A@8/20us
    型号：SMBJ15CA-13-F 编号：C135047
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=16.7V VC=24.4V IPP=24A 双向
    数据手册

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      ￥1.1141

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      ￥0.889

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      ￥0.7925

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      ￥0.6721
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.2A
    型号：ZXMN2A01FTA 编号：C154721
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,20V,1.9A,120mΩ@4.5V
    数据手册

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      ￥1.1216

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      ￥0.8919

    • 150+

      ￥0.7935

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      ￥0.6707

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      ￥0.5887
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:12V 电流:9.3A
    型号：DMN1019USN-7 编号：C145103
    封装：SC-59
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道
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    PNP 电流:4A 电压:140V
    型号：ZX5T955GTA 编号：C177097
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 -10A 高增益保持。应用：电机驱动。 线路开关
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    三态输出，单缓冲门
    型号：74LVC1G125FW4-7 编号：C842551
    封装：X2-DFN1010-6
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G125 是一款单通道、非反相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能 OE(overline) 引脚施加高电平时，输出进入高阻抗状态
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    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：15ns
    型号：HS1D-13 编号：C5157753
    封装：DO-214AC
    品牌：DIODES(美台)
    是一款采用SMA封装的整流器，适用于功率因数校正电路中的升压二极管。适用于高温条件下的消费应用中的超快开关速度AC-DC和DC-DC转换器的二次整流和续流。
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    独立式 耐压:36V 电流:0.5uA@27.4V
    型号：SMAZ36-13-F 编号：C150508
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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