DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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价格(含税)

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电压:40V 电流:2A

型号：B240AQ-13-F 编号：C134441

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥1.1878
50+
￥0.9474
150+
￥0.8444
500+
￥0.7158
2500+
￥0.6586
5000+
￥0.6243

有货

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单向TVS 54V截止峰值浪涌电流：6.9A

型号：SMBJ54A-13-F 编号：C135083

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=60V VC=87.1V IPP=6.9A 单向

数据手册

5+
￥1.1984
50+
￥0.9665
150+
￥0.8672
500+
￥0.7432

有货

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带施密特触发器输入的六反相器

型号：74LVC14AS14-13 编号：C176927

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

74LVC14A提供六个独立的施密特触发反相缓冲器。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围。输入可承受5.5V电压，允许该器件在混合电压环境中使用

数据手册

5+
￥1.2023
50+
￥0.9903
150+
￥0.8994
500+
￥0.786

有货

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NPN 电流:200mA 电压:160V

型号：DMMT5551-7-F 编号：C445514

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于低功率放大和开关。本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.2028
50+
￥0.9504
150+
￥0.8422
500+
￥0.7073

有货

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电压:20V 电流:3A

型号：B320-13-F 编号：C134448

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥1.2109
50+
￥0.9823
150+
￥0.8843
500+
￥0.762

有货

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耐压:60V 电流:1.1A

型号：ZXMP6A13FTA 编号：C154761

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.256
50+
￥1.0201
150+
￥0.9191
500+
￥0.7929
3000+
￥0.6638

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:4.6A

型号：DMC2053UVT-7 编号：C397937

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.2564
50+
￥1.0098
150+
￥0.9041
500+
￥0.7723
3000+
￥0.7136

有货

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单向TVS 150V截止峰值浪涌电流：2.5A

型号：SMBJ150A-13-F 编号：C92317

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.267
50+
￥1.0053
150+
￥0.8932
500+
￥0.7532
3000+
￥0.6909

有货

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1kV 3A

型号：1N5408G-T 编号：C526212

封装：DO-201AD

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达125A峰值。无铅表面处理；符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.2761
50+
￥1.0083
150+
￥0.8935
1200+
￥0.7503

有货

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双向TVS 16V截止峰值浪涌电流：23.1A

型号：SMBJ16CAQ-13-F 编号：C1974058

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

数据手册

5+
￥1.3006
50+
￥1.1597
150+
￥1.0993
500+
￥1.024
3000+
￥0.9904

有货

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0.5A单通道限流电源开关

型号：AP2141WG-7 编号：C500761

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP2141和AP2151是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能。漏极开路标志输出端具备7ms的消抖能力，可防止误报过流，且无需任何外部元件。所有器件提供SO - 8、MSOP - 8EP、SOT25和UDFN2018 - 6封装。

数据手册

5+
￥1.3187
50+
￥1.0509
150+
￥0.9361
500+
￥0.7929
3000+
￥0.7291

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：DMMT3904WQ-7-F 编号：C526571

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVceo >40V。 Ic = 200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 NPN 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

数据手册

5+
￥1.3436
50+
￥1.0901
150+
￥0.9814
500+
￥0.8458

有货

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NPN 电流:50mA 电压:11V

型号：BFS17NTA 编号：C526479

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：3.2GHz单位增益，适用于RF开关应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：RF开关

数据手册

5+
￥1.3635
50+
￥1.2025
150+
￥1.1335
500+
￥1.0474

有货

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耐压:400V 电流:1A

型号：DF04S-T 编号：C155531

封装：DF-S

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.3831
50+
￥1.1397
150+
￥1.0354
1500+
￥0.9052

有货

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三态输出，单缓冲门

型号：74LVCE1G126W5-7 编号：C842488

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74LVCE1G126 是一款单路同相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能（OE）引脚施加低电平时，输出进入高阻态

数据手册

5+
￥1.388868 ￥1.5964
50+
￥1.083082 ￥1.4066
150+
￥0.887884 ￥1.3252
500+
￥0.819879 ￥1.2237
3000+
￥0.789595 ￥1.1785
6000+
￥0.771438 ￥1.1514

有货

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TVS 27V截止峰值浪涌电流：5.15A

型号：DFLT27A-7 编号：C3033174

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：225W 峰值脉冲功率耗散（10μs x 1000μs 波形）。 5.0V 至 220V 关态电压。出色的钳位能力。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的产品可供选择

数据手册

5+
￥1.392
50+
￥1.1082
150+
￥0.9865
500+
￥0.8347
3000+
￥0.7672

有货

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0.5A单通道限流电源开关

型号：AP2151AW-7 编号：C2759962

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP2151A是一款集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，具备高电平有效的使能输入。它们提供电流和热限制以及短路保护，同时具备可控的上升时间和欠压锁定功能。漏极开路标志输出端具备7ms的消抖能力，可防止误报过流，且无需任何外部元件。AP2151A提供SO-8、MSOP-8EP、SOT25和U-DFN2018-6封装。

数据手册

5+
￥1.409
50+
￥1.1074
150+
￥0.9781
500+
￥0.8168
3000+
￥0.727

有货

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双向TVS 30V截止峰值脉冲电流：8.3A@10/1000us

型号：SMAJ30CAQ-13-F 编号：C1975545

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

适合保护敏感的汽车电路，以防ISO7637-2中定义的浪涌，并根据ISO10605防止静电放电。

数据手册

5+
￥1.4373
50+
￥1.1347
150+
￥1.005
500+
￥0.8432
2500+
￥0.7712

有货

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双向TVS 36V截止峰值浪涌电流：10.3A

型号：SMBJ36CAQ-13-F 编号：C460456

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

数据手册

5+
￥1.463
50+
￥1.1693
150+
￥1.0435
500+
￥0.8864

有货

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NPN 电流:3A 电压:60V

型号：DXT651-13 编号：C443640

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。高连续集电极电流：IC = 3A。峰值脉冲电流：ICM 高达 6A。功耗：2W。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 类型。应用：负载管理功能。电机控制

数据手册

5+
￥1.474
50+
￥1.1745
150+
￥1.0461
500+
￥0.8859

有货

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P沟道耐压:30V 电流:3A

型号：DMP3130L-7 编号：C155233

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-30V,-3A,77mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.4923
50+
￥1.1821
150+
￥1.0492
500+
￥0.8834

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：ES2G-13-F 编号：C154907

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达50A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥1.5497
50+
￥1.264
150+
￥1.1415
500+
￥0.9887
3000+
￥0.9206

有货

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电压:100V 电流:2A

型号：B2100AF-13 编号：C134440

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

B2100AF是一款2A、100V的单整流器，采用薄型SMAF封装。该器件正向压降（VF）低，且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。

数据手册

5+
￥1.6062
50+
￥1.3228
150+
￥1.2013
500+
￥1.0497
2500+
￥0.9823
5000+
￥0.9418

有货

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8位移位寄存器和8位输出寄存器

型号：74AHCT595T16-13 编号：C460504

封装：TSSOP-16

品牌：DIODES(美台)

74AHCT595是一款先进的高速CMOS器件，其引脚与74LS低功耗肖特基类型器件兼容。一个8位移位寄存器在移位寄存器时钟（STCP）的每个正跳变沿从串行输入（DS）接收数据。当复位功能（MR(上划线)）置为低电平时，会将所有移位寄存器的值置为零，且该操作与所有时钟无关

数据手册

5+
￥1.6709
50+
￥1.3624
150+
￥1.2302
500+
￥1.0653

有货

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双向TVS 26V截止峰值浪涌电流：14.2A

型号：SMBJ26CAQ-13-F 编号：C1975327

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

数据手册

5+
￥1.6884
50+
￥1.3633
150+
￥1.224
500+
￥1.0501

有货

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调光LED控制器/驱动器

型号：AL1692-20CS7-13 编号：C526359

封装：SO-7

品牌：DIODES(美台)

是高性能、高功率因数、高效率和高电流的精密降压-升压和反激式可调光LED控制器/驱动器，适用于可控硅调光LED灯应用。该拓扑结构可在较宽的线路和负载调节范围内提供精确的输出电流。宽开关频率工作在边界传导模式（BCM），以简化EMI/EMC设计和测试，满足最新的监管标准。控制器搭配外部MOSFET可支持高达25W的更高输出功率应用

数据手册

5+
￥1.7581
50+
￥1.4053
150+
￥1.2541
500+
￥1.0655
2500+
￥0.9815

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:200mA

型号：ZVN4106FTA 编号：C508255

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVDSS > 60V。 RDS(on) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V。最大连续漏极电流 ID = 200mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.7657
50+
￥1.476
150+
￥1.3518
500+
￥1.1969

有货

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AL17050 高电压AC输入降压调节器，集成500V MOSFET，具备多种保护功能

型号：AL17050WT-7 编号：C5126679

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

AL17050 是一款通用交流高压输入降压调节器，可在不使用光电耦合器的情况下提供准确的恒定电压（CV）和出色的动态性能，并具有线路和负载调整功能。典型应用包括离线低功耗应用、家用电器应用和物联网应用。nn通过单绕组电感工作并集成500V MOSFET，可以减少外部组件数量，实现低成本解决方案。nnAL17050实现了出色的调节性能和高功率效率。最大峰值电流和驱动频率随负载变化而改变，可以在轻载时获得优异的能效，并提高整体平均效率。nnAL17050具有丰富的保护功能以增强系统安全性和可靠性。它包括过温保护、VCC欠压锁定功能、输出短路保护、过载保护和开环保护。nnAL17050采用SOT25封装。

数据手册

5+
￥1.7729
50+
￥1.3974
150+
￥1.2365
500+
￥0.991

有货

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60V 3A

型号：SBRT3U60P1Q-7 编号：C5249213

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：降低超低正向压降（VF），提高效率，运行更凉爽。降低高温反向泄漏，提高高温运行时对热失控故障的可靠性。采用专利沟槽超级势垒整流器（SBR）技术，封装高度小于1.4mm，适用于薄型应用。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

5+
￥1.8604
50+
￥1.5166
150+
￥1.3693
500+
￥1.1855

有货

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耐压:100V 电流:3A 反向恢复时间：25ns

型号：ES3BB-13-F 编号：C154914

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达 100A 峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥1.8812
50+
￥1.4864
150+
￥1.3172
500+
￥1.1061

有货

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