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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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描述
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操作
带中断逻辑和复位功能的双通道I2C总线开关
型号：PI4MSD5V9543ALEX 编号：C2674741
封装：TSSOP-14
品牌：DIODES(美台)
是一种双向转换开关，由I²C总线控制。可选择任何单独的SCx/SDx通道或通道组合，由可编程控制寄存器的内容决定。有两个上游对扩展到两个下游对，还提供中断输入INTO和INT1（每个下游对一个）以及一个中断输出INT（作为两个中断输入的与）。
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    NPN 电流:4A 电压:100V
    型号：ZTX853 编号：C78831
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。 连续电流：4A。 峰值电流：高达10A。 极低的饱和电压。 总功率（Ptot）：1.2W
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    PCI Express时钟
    型号：PI6C557-03LEX 编号：C500785
    封装：TSSOP-16
    品牌：DIODES(美台)
    是一款支持PCI Express和以太网要求的扩频时钟发生器，用于PC或嵌入式系统，可大幅降低电磁干扰（EMI）。提供两个差分（HCSL）扩频输出，可配置选择扩频和时钟。采用锁相环（PLL）技术，接受25MHz晶体输入，产生25MHz、100MHz、125MHz和200MHz时钟频率的两对差分输出（HCSL），还提供±0.25%、-0.5%、-0.75%的扩频选择和无扩频选项。
    数据手册

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    NPN 电流:7A 电压:30V
    型号：FZT849TA 编号：C154747
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 30V。 高连续集电极电流：IC = 7A。 峰值脉冲电流：ICM = 20A。 功率耗散：PD = 3W。 极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。 极低的饱和电压。 互补PNP型FZT949。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:1.6A
    型号：BSP75GTA 编号：C173988
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    BSP75G是一款自保护型低端MOSFET。它具备单片式过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。该器件可用作通用开关
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    2端口USB3.1 Gen-2 10Gbps重驱动器
    型号：PI3EQX1004EZTFEX 编号：C2917579
    封装：UQFN-34
    品牌：DIODES(美台)
    PI3EQX1004是一款低功耗、高性能的10.0 Gbps 2端口USB 3.1线性中继驱动器（ReDriverTM），专为USB 3.1协议设计。该器件提供可编程均衡和固定增益，通过减少符号间干扰，在各种物理介质上优化性能。PI3EQX1004支持协议专用集成电路（ASIC）与交换矩阵之间、通过电缆或在用户平台上的其他远程数据路径上扩展信号时的两个100Ω差分电流模式逻辑（CML）数据输入/输出
    数据手册

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    10W立体声D类音频功率放大器
    型号：PAM8610TR 编号：C80797
    封装：WQFN-40-EP(6x6)
    品牌：DIODES(美台)
    PAM8610是一款每声道10W的立体声D类音频放大器，具备直流音量控制功能，其总谐波失真加噪声（THD + N）低至0.1%，电磁干扰（EMI）低，电源抑制比（PSRR）良好，可实现高品质声音再现。32级直流音量控制范围为+32dB至 - 75dB。PAM8610的供电电压为7V至15V，效率远高于竞品集成电路
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    PI3USB32212 USB3.1、USB3.0和USB2.0组合开关
    型号：PI3USB32212ZLEX 编号：C2150886
    封装：TQFN-32-EP(3x6)
    品牌：DIODES(美台)
    PI3USB32212 是一个用于增强超高速 USB 3.1 信号的完整 1:2 切换解决方案，支持 USB 3.1 10Gbps、USB 3.0 5Gbps 和 USB 2.0 480Mbps 信号。
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    耐压:3.6V 电流:15uA@1.0V
    型号：MMSZ5227BS-7-F 编号：C460915
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 通用。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@11V
    型号：MMSZ5245B-7-F 编号：C177050
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
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    85V 300mA
    型号：BAV16W-7-F 编号：C459527
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 低正向电压：1mA 时最大 0.715V。 快速反向恢复：最大 4ns。 低电容：最大 2pF。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑，“绿色”器件。 适合需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在 IATF 16949 认证的工厂生产
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    耐压:2.7V 电流:20uA@1.0V
    型号：GDZ2V7LP3-7 编号：C2960354
    封装：X3-DFN0603-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。 超薄封装 (0.3mm)。 非常适合自动化组装工艺。 低泄漏电流，适用于电池供电应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
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    • 10+

      ￥0.227268 ￥0.3852

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      ￥0.080418 ￥0.2062
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    独立式 耐压:2.4V 电流:20uA@1V
    型号：BZT52C2V4-7-F 编号：C260944
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

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    NPN型预偏置小信号表面贴装晶体管
    型号：ADTC124ECAQ-13 编号：C5245715
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 提供互补PNP类型。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备PPAP能力

    • 10+

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    • 1000+

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    • 10000+

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    小信号晶体管 PNP 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4403-7-F 编号：C85183
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保产品
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2677

    • 200+

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      ￥0.1528
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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2907A-7-F 编号：C106923
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关。 互补NPN型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。 具备PPAP能力
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    • 10+

      ￥0.272

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    独立式 耐压:11V 电流:0.1uA
    型号：BZT52C11-7-F 编号：C92321
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2731

    • 200+

      ￥0.223

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    • 3000+

      ￥0.1784
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    130V 215mA
    型号：BAV116W-7-F 编号：C250440
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。 极低的泄漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2919

    • 100+

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      ￥0.1706

    • 6000+

      ￥0.1544
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS70-04-7-F 编号：C134375
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款采用SOT23封装的70mA表面贴装肖特基势垒二极管，具有低正向压降和快速开关能力，采用PN结保护环设计，可实现瞬态和静电放电（ESD）保护。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2941

    • 100+

      ￥0.2394

    • 300+

      ￥0.212

    • 3000+

      ￥0.1915

    • 6000+

      ￥0.175
  • 有货
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS70-7-F 编号：C134374
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款采用SOT23封装的70mA表面贴装肖特基势垒二极管，具有低正向压降和快速开关能力，采用PN结保护环设计，可实现瞬态和静电放电（ESD）保护。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3242

    • 200+

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      ￥0.1907
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    电压:45V 电流:100mA
    型号：SDM10K45-7-F 编号：C139436
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。超小型表面贴装封装。用于通用开关应用。高电导。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合 JEDEC 高可靠性标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3338

    • 100+

      ￥0.2819

    • 300+

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      ￥0.2041
  • 有货
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    独立式 耐压:6.8V 电流:2uA@1.0V
    型号：BZT52C6V8-7-F 编号：C79598
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3365

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    • 3000+

      ￥0.1886
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：DMN62D0U-13 编号：C156342
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

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      ￥0.343332 ￥0.3468

    • 100+

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      ￥0.232813 ￥0.2947

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      ￥0.222464 ￥0.2816

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    • 10000+

      ￥0.167559 ￥0.2121
  • 有货
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54CT-7-F 编号：C134407
    封装：SOT-523-3
    品牌：DIODES(美台)
    1对共阴极
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3519

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      ￥0.2743

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    • 3000+

      ￥0.2064

    • 6000+

      ￥0.1831
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002W-7-F 编号：C139444
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
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      ￥0.3577

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    独立式 耐压:7.5V 电流:1uA@5.0V
    型号：BZT52C7V5TQ-7-F 编号：C526492
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
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    独立式 耐压:3.9V 电流:5uA@1V
    型号：DZ9F3V9S92-7 编号：C5244909
    封装：SOD-923
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。 扁平引脚、散热高效的封装设计。 外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

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    耐压:5.1V 电流:1uA
    型号：BZT52C5V1SQ-7-F 编号：C3033170
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
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    独立式 耐压:15V 电流:0.07uA@14.1V
    型号：DDZ16ASF-7 编号：C460845
    封装：SOD-323F
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件
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    NPN 电流:500mA 电压:60V
    型号：MMBTA05Q-13-F 编号：C5157736
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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