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价格(含税)

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：DESD5V0U1BL-7B 编号：C1869323

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护：接触 ±10kV。 1 通道 ESD 保护。符合 IEC 61000-4-5 标准的高峰值脉冲电流。低通道输入电容。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子产品

数据手册

10+
￥0.4453
100+
￥0.3592
300+
￥0.3161
1000+
￥0.2839
5000+
￥0.2437

有货

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单路三输入正与门

型号：74LVC1G11DW-7 编号：C460525

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G11 是一款单路 3 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围

数据手册

10+
￥0.476
100+
￥0.372
300+
￥0.32
3000+
￥0.2766

有货

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1kV 1.5A

型号：S2MA-13-F 编号：C513098

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理/符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

数据手册

10+
￥0.4889
100+
￥0.3911
300+
￥0.3422
1000+
￥0.3055
5000+
￥0.2762

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:130mA

型号：BSS8402DW-7-F 编号：C156386

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4943
100+
￥0.4079
300+
￥0.3647

有货

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单路 2 输入正与门

型号：74AHCT1G08SE-7 编号：C460499

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHCT1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准图腾柱输出。该器件设计用于 4.5V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

10+
￥0.5049
100+
￥0.4125
300+
￥0.3662

有货

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单路缓冲器/驱动器，漏极开路输出

型号：74LVC1G07FZ4-7 编号：C526340

封装：X2-DFN1410-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G07是一款带有漏极开路输出的单缓冲门。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。

数据手册

5+
￥0.507357 ￥0.7353
50+
￥0.382261 ￥0.6479
150+
￥0.299096 ￥0.6104
500+
￥0.276164 ￥0.5636
2500+
￥0.265972 ￥0.5428
5000+
￥0.259847 ￥0.5303

有货

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单路 2 输入正与门

型号：74LVC1G08W5-7 编号：C176929

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

5+
￥0.512
50+
￥0.4059
150+
￥0.3528
500+
￥0.3131
3000+
￥0.2812

有货

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NPN 电流:200mA 电压:160V

型号：MMDT5551-7-F 编号：C500783

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。互补PNP型。适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.5223
100+
￥0.4071
300+
￥0.3495
3000+
￥0.3063

有货

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P沟道耐压:30V 电流:3.3A

型号：DMP3068L-7 编号：C151010

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5254
50+
￥0.4193
150+
￥0.3662
500+
￥0.3265
3000+
￥0.2753

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：DST3904DJ-7 编号：C144162

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

特性：VCEO = 40V。 IC = 200mA。外延平面管芯结构。非常适合自动化组装工艺。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。超小型封装

数据手册

10+
￥0.5293
100+
￥0.4189
300+
￥0.3638
1000+
￥0.3224
5000+
￥0.2893

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906T-7-F 编号：C508223

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑-“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.5402
100+
￥0.4491
300+
￥0.4035
3000+
￥0.3694

有货

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耐压:30V 电流:2.6A

型号：DMN3067LW-7 编号：C212325

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

N沟道,30V,2.6A,98mΩ@2.5V

数据手册

5+
￥0.5502
50+
￥0.4431
150+
￥0.3896
500+
￥0.3494
3000+
￥0.3173

有货

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TVS 5.5V截止峰值浪涌电流：9A@8/20us

型号：D5V0M1U2S9Q-7 编号：C526511

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合应用于便携式设备。

数据手册

5+
￥0.5505
50+
￥0.4401
150+
￥0.3849
500+
￥0.3435
2500+
￥0.3104
5000+
￥0.2938

有货

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TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：70A@8/20us

型号：D3V3HN1B2LP-7B 编号：C5244619

封装：UDFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）和浪涌造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

5+
￥0.5585
50+
￥0.4885
150+
￥0.4535
500+
￥0.4272
2500+
￥0.4062
5000+
￥0.3957

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：B140AF-13 编号：C172878

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基整流器具备低正向压降（VF），且在高温环境下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用。

数据手册

5+
￥0.592
50+
￥0.4744
150+
￥0.4156
500+
￥0.3715
2500+
￥0.3362
5000+
￥0.3186

有货

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单向TVS 6.5V截止峰值脉冲电流：35.7A

型号：SMAJ6.5A-13-F 编号：C135000

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5947
50+
￥0.4635
150+
￥0.3979
500+
￥0.3487
2500+
￥0.3094
5000+
￥0.2897

有货

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电压:20V 电流:2A

型号：B220A-13-F 编号：C110481

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.5985
50+
￥0.4665
150+
￥0.4005
500+
￥0.351
2500+
￥0.3114

有货

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NPN预偏置小信号双表面贴装晶体管

型号：DDC114EU-7-F 编号：C150996

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型（DDA）。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。 DDC（XXXX）UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.6063
50+
￥0.5065
150+
￥0.4566
500+
￥0.4192

有货

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1.2kV 1A

型号：S1N-13-F 编号：C780888

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，可靠性高。低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。非常高的反向击穿电压。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6138
50+
￥0.5081
150+
￥0.4552
500+
￥0.4155
2500+
￥0.3824

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:260mA

型号：DMN63D8LV-7 编号：C397982

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6169
50+
￥0.5092
150+
￥0.4554
500+
￥0.415
3000+
￥0.3827

有货

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耐压:60V 电流:320mA

型号：DMN62D0LFB-7B 编号：C6934858

封装：X1-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

5+
￥0.6388
50+
￥0.5687
150+
￥0.5337
500+
￥0.5075
2500+
￥0.4865
5000+
￥0.476

有货

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三态输出，单缓冲门

型号：74AHCT1G125SE-7 编号：C151417

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHCT1G125是一款具有三态输出的单路同相缓冲器/总线驱动器。当输出使能（OE）引脚施加高电平时，输出进入高阻态

数据手册

5+
￥0.6409
50+
￥0.5122
150+
￥0.4479
500+
￥0.3996

有货

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5V 1.35A 15V

型号：AZ1117CH-5.0TRG1 编号：C99342

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

数据手册

5+
￥0.6596
50+
￥0.5432
150+
￥0.485
500+
￥0.4413
2500+
￥0.4064
4000+
￥0.3337

有货

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40V 2A

型号：SBR2A40P1-7 编号：C155283

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。低漏电流。卓越的反向雪崩能力。出色的高温稳定性。专利联锁夹设计，具备高浪涌电流能力。专利超级势垒整流器技术 (SBR)。软、快速开关能力。工作结温 +150℃。 +16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 +25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.6997
50+
￥0.5487
150+
￥0.4732
500+
￥0.4166

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:240mA

型号：DMN26D0UFB4-7 编号：C260867

封装：X2-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

N沟道，20V，240mA，3Ω@4.5V

数据手册

5+
￥0.7076
50+
￥0.5588
150+
￥0.4844
500+
￥0.4286
3000+
￥0.3839

有货

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硅低饱和晶体管 PNP 电流:1A 电压:20V

型号：FMMTL718TA 编号：C460215

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：20V。 -1A 连续集电极电流。 -2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -320mV@ -1A。 hFE 特性高达 -1.5A，可保持高电流增益。 500mW 功率耗散。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥0.71523 ￥0.883
50+
￥0.552877 ￥0.7787
150+
￥0.44774 ￥0.734
500+
￥0.413763 ￥0.6783
3000+
￥0.398635 ￥0.6535
6000+
￥0.389546 ￥0.6386

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3A

型号：DMP2123L-7 编号：C145113

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道

数据手册

5+
￥0.7155
50+
￥0.6005
150+
￥0.543
500+
￥0.4999
3000+
￥0.4654

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：DMMT3906W-7-F 编号：C151567

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

数据手册

5+
￥0.7264
50+
￥0.5864
150+
￥0.5164
500+
￥0.4639

有货

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单向TVS 14V截止峰值脉冲电流：17.2A

型号：SMAJ14A-13-F 编号：C134952

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7459
50+
￥0.6054
150+
￥0.5352
500+
￥0.4826
2500+
￥0.3965

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:500mA 360mA

型号：DMG1029SV-7 编号：C500788

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.751
50+
￥0.6021
150+
￥0.5277
500+
￥0.4719
3000+
￥0.4272

有货

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