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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,效率高。 浪涌过载额定值达50A峰值。 适合自动化组装。 无铅涂层,符合RoHS标准。 绿色模塑料(无卤素和锑)
数据手册
  • 5+

    ¥1.4217
  • 50+

    ¥1.1627
  • 150+

    ¥1.0517
  • 500+

    ¥0.9132
  • 有货
  • DT1240A-08LP3810是一款高性能器件,适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用UDFN3810-9(B型)封装,具有高ESD浪涌能力和低电容。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4278
    • 50+

      ¥1.1062
    • 150+

      ¥0.9684
    • 500+

      ¥0.7965
  • 有货
  • 特性:比SOT223小43%,比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率高达3.2W。 集电极-发射极电压(VCEO)为60V。 集电极电流(IC)为5.5A。 峰值脉冲电流(Iem)为15A。应用:电机驱动器。 调节器电路
    数据手册
    • 1+

      ¥1.44
    • 10+

      ¥1.2
    • 30+

      ¥1.078 ¥1.1
    • 100+

      ¥0.9506 ¥0.97
    • 500+

      ¥0.9016 ¥0.92
    • 1000+

      ¥0.8624 ¥0.88
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4936
    • 50+

      ¥1.1734
    • 150+

      ¥1.0361
    • 500+

      ¥0.8649
    • 2500+

      ¥0.7886
  • 有货
  • P沟道,-30V,-1.1A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4978
    • 50+

      ¥1.179
    • 150+

      ¥1.0424
    • 500+

      ¥0.8719
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -300V。 IC = -0.2A 连续集电极电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。 互补 NPN 类型:FMMT497。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件,符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5317
    • 50+

      ¥1.2216
    • 150+

      ¥1.0887
    • 500+

      ¥0.9229
  • 有货
  • ZLDO1117Q是一款低压差正电压可调或固定模式稳压器,输出电流能力为1A。在整个工业温度范围内,ZLDO1117Q的公差为±2%,并且在满载电流下,其压差保证低于1.2V,这使其非常适合在高达18V的输入电源电压下提供1.2V至5.0V的稳定输出。ZLDO1117Q非常适合在整个工业温度范围内为低压IC应用(如高速总线端接和低电流3.3V逻辑电源)提供稳定的电源
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5457
    • 50+

      ¥1.3551
    • 150+

      ¥1.2735
    • 1000+

      ¥1.1716
    • 2000+

      ¥1.1262
  • 有货
  • DIODES公司的DT1240A - 08LP3810Q是一款高性能器件,适用于保护四个高速I/O接口。该器件采用U - DFN3810 - 9(B型)封装,具备高ESD浪涌能力和低电容特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6653
    • 50+

      ¥1.314
    • 150+

      ¥1.1634
    • 500+

      ¥0.9755
    • 2500+

      ¥0.8919
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6962 ¥2.57
    • 10+

      ¥1.1816 ¥2.11
    • 30+

      ¥0.8786 ¥1.91
    • 100+

      ¥0.7636 ¥1.66
    • 500+

      ¥0.713 ¥1.55
    • 1000+

      ¥0.6854 ¥1.49
  • 有货
  • AL17050 是一款通用交流高压输入降压调节器,可在不使用光电耦合器的情况下提供准确的恒定电压(CV)和出色的动态性能,并具有线路和负载调整功能。典型应用包括离线低功耗应用、家用电器应用和物联网应用。nn通过单绕组电感工作并集成500V MOSFET,可以减少外部组件数量,实现低成本解决方案。nnAL17050实现了出色的调节性能和高功率效率。最大峰值电流和驱动频率随负载变化而改变,可以在轻载时获得优异的能效,并提高整体平均效率。nnAL17050具有丰富的保护功能以增强系统安全性和可靠性。它包括过温保护、VCC欠压锁定功能、输出短路保护、过载保护和开环保护。nnAL17050采用SOT25封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7729
    • 50+

      ¥1.3974
    • 150+

      ¥1.2365
    • 500+

      ¥0.991
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。环保器件。ESD防护高达2KV。符合AEC-Q101高可靠性标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7827
    • 50+

      ¥1.4141
    • 150+

      ¥1.2561
    • 500+

      ¥1.0565
  • 有货
  • PI3C3305 和 PI3C3306 是 2.5 伏或 3.3 伏、2 位总线开关,设计有快速独立使能。当通过相应的总线使能(BE)引脚启用时,“A”引脚直接连接到该特定门的“B”引脚。总线开关不会引入额外的传播延迟或额外的地弹噪声。PI3C3306 设备具有低电平有效的使能,而 PI3C3305 具有高电平有效的使能。它们在切换具有高带宽(>400 MHz)的信号时非常有用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.795 ¥3.59
    • 10+

      ¥1.284 ¥3.21
    • 30+

      ¥0.906 ¥3.02
    • 100+

      ¥0.849 ¥2.83
    • 500+

      ¥0.816 ¥2.72
    • 1000+

      ¥0.798 ¥2.66
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 60V。 Ic = 6A 高连续电流。 IcM = 12A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VREF(sat) < 60mV @ 1A。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的型号
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8005
    • 50+

      ¥1.406
    • 150+

      ¥1.2369
    • 500+

      ¥1.0259
  • 有货
  • 这款第三代横向MOSFET(LD - MOS)经过精心设计,能够将导通损耗降至最低,并实现超快速开关,非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装(CSP),通过将低热阻与单位占位面积内极低的RDS(ON)相结合,提高了功率密度。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.829 ¥2.95
    • 10+

      ¥1.3832 ¥2.66
    • 30+

      ¥1.0626 ¥2.53
    • 100+

      ¥0.9954 ¥2.37
    • 500+

      ¥0.8736 ¥2.08
    • 1000+

      ¥0.8526 ¥2.03
  • 有货
  • 74LVC245A 是一款八进制收发器,专为数据总线之间的异步通信而设计。该器件可根据方向控制(DIR)输入的逻辑电平,将数据从 A 总线传输到 B 总线,或从 B 总线传输到 A 总线
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8594
    • 50+

      ¥1.5122
    • 150+

      ¥1.3633
    • 500+

      ¥1.1776
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8719
    • 50+

      ¥1.5007
    • 150+

      ¥1.3416
    • 500+

      ¥1.1431
    • 2500+

      ¥1.0106
  • 有货
  • VBR=167V VC=243V IPP=6.2A 双向
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9401 ¥2.23
    • 10+

      ¥1.5169 ¥1.97
    • 30+

      ¥1.2462 ¥1.86
    • 100+

      ¥1.1524 ¥1.72
    • 500+

      ¥1.1055 ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.0854 ¥1.62
  • 有货
  • AP3041 是一种电流模式高压低端通道MOSFET控制器,适用于升压调节器。它包含了实现单端初级拓扑DC/DC转换器所需的所有功能。AP3041的输入电压范围为5V至27V。其工作频率可在100kHz至1MHz之间调整。AP3041具有欠压锁定(UVLO)电路。它使用两个外部电阻来设置UVLO电压。AP3041还具有过输出电压保护功能以限制输出电压。可以通过外部电阻设置OVP电压。如果输出电压高于OVP高阈值点,则会禁用驱动器并使系统锁存。该系统还可以应用输出短路保护以及LED低端对地短路检测功能。AP3041还具有其他保护功能,如LED短路保护、LED高端对地短路保护、二极管短路保护、过流保护、过温保护等。AP3041采用SOIC-16封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.96
    • 10+

      ¥1.7
    • 30+

      ¥1.58
    • 100+

      ¥1.44
    • 500+

      ¥1.38
    • 1000+

      ¥1.34
  • 有货
  • AP64060是一款600mA同步降压转换器,输入电压范围宽,为4.5V至40V。该器件完全集成了一个600mΩ的高端功率MOSFET和一个300mΩ的低端功率MOSFET,可实现高效的降压式DC - DC转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络,AP64060最大限度地减少了外部元件数量,使用起来十分便捷
    • 5+

      ¥1.978
    • 50+

      ¥1.5748
    • 150+

      ¥1.402
    • 500+

      ¥1.1864
    • 3000+

      ¥1.0904
  • 有货
  • N沟道,20V,4.1A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0157
    • 50+

      ¥1.5713
    • 150+

      ¥1.3808
    • 500+

      ¥1.1431
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层;符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0504
    • 50+

      ¥1.6711
    • 150+

      ¥1.5086
    • 500+

      ¥1.3058
    • 3000+

      ¥1.2155
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。电池管理应用。电源管理功能。DC-DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.092
    • 50+

      ¥1.6644
    • 150+

      ¥1.4811
    • 500+

      ¥1.2524
  • 有货
  • 是一款宽输入电压范围(60V)、低静态电流、高电源抑制比 (PSRR) 的线性稳压器,能够驱动 150mA 输出电流。该器件具有非常快速的线路/负载瞬态响应,可应对快速的输入电压和负载电流变化。由电压基准、误差放大器、用于电流保护的限流电路、短路和热关断保护组成。有 3.0V、3.3V、3.6V 和 5V 固定输出电压版本,提供 SOT23、SOT25、SOT89 和 U-DFN2020-6(C 型)封装。
    • 5+

      ¥2.0972
    • 50+

      ¥1.6536
    • 150+

      ¥1.4635
    • 500+

      ¥1.2263
    • 2500+

      ¥1.1207
    • 5000+

      ¥1.0573
  • 有货
  • 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1108
    • 50+

      ¥1.7294
    • 150+

      ¥1.5659
    • 500+

      ¥1.3619
  • 有货
  • 这款 PNP 晶体管专为需要高阻断电压的应用而设计。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装引脚兼容,但在功率密度至关重要的应用中,它提供了更低的外形和更高的散热能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.156 ¥2.45
    • 10+

      ¥1.7004 ¥2.18
    • 30+

      ¥1.4076 ¥2.07
    • 100+

      ¥1.3124 ¥1.93
    • 500+

      ¥1.2716 ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.2444 ¥1.83
  • 有货
  • VBR=77.8V VC=113V IPP=13.3A 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1963
    • 50+

      ¥1.7275
    • 150+

      ¥1.5267
    • 500+

      ¥1.276
  • 有货
  • PAM8003是一款2.5W的D类音频放大器。它的总谐波失真加噪声(THD+N)较低,能够实现高质量的声音再现。全新的无滤波器架构使该器件可直接驱动扬声器,无需低通输出滤波器,从而节省了系统成本和PCB面积。在外部元件数量相同的情况下,PAM8003的效率远高于AB类同类产品。它可延长电池续航时间,非常适合便携式应用。PAM8003采用SO-16封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2337
    • 50+

      ¥1.7801
    • 150+

      ¥1.5856
    • 500+

      ¥1.343
    • 2500+

      ¥1.235
  • 有货
  • 适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2416
    • 50+

      ¥1.778
    • 150+

      ¥1.5793
    • 500+

      ¥1.2762
  • 有货
  • AL6562A 是一种电流模式功率因数校正控制器,设计用于过渡模式下工作。凭借其优异的线性性能乘法器,确保设备在宽输入电压范围内具有优异的总谐波失真(THD)。输出电压通过误差放大器和精确的1%内部电压参考(Tj = +25°C)进行控制。AL6562A 设计符合严格的节能标准,具有低启动电流,并且在进入待机模式时可以低电流消耗运行。过压保护电路增加了系统的鲁棒性,使设备能够承受启动和负载断开时产生的瞬态。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.342
    • 50+

      ¥1.9461
    • 150+

      ¥1.7765
    • 500+

      ¥1.5648
  • 有货
  • DMN61D8LQ为汽车应用中切换继电器、螺线管和小型直流电机等感性负载提供了单组件解决方案,无需续流二极管。DMN61D8LQ可接受逻辑电平输入,因此可由逻辑门、反相器和微控制器驱动。
    • 5+

      ¥2.3629
    • 50+

      ¥1.9049
    • 150+

      ¥1.7086
    • 500+

      ¥1.4636
  • 有货
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