DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN63D8LDW-7 编号：C211422

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4786
100+
￥0.3934
300+
￥0.3509
3000+
￥0.2797
6000+
￥0.2541

有货

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型号：B130-13-F 编号：C134423

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

10+
￥0.4912
100+
￥0.3944
300+
￥0.346
1000+
￥0.3097
5000+
￥0.2283

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型号：PD3S130L-7 编号：C212293

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高浪涌能力。无铅涂层，符合RoHS标准。 “绿色”模塑料（无溴、锑）。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥0.527904 ￥1.0998
50+
￥0.465552 ￥0.9699
150+
￥0.438864 ￥0.9143
500+
￥0.405504 ￥0.8448
3000+
￥0.390672 ￥0.8139
6000+
￥0.381744 ￥0.7953

有货

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型号：BAS16HTWQ-13R 编号：C5124967

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。高反向击穿电压。低泄漏电流。低电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

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5+
￥0.5372
50+
￥0.4268
150+
￥0.3717
500+
￥0.3303
2500+
￥0.2971
5000+
￥0.2806

有货

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型号：74LVC1G04W5-7 编号：C460517

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G04是一款带标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

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10+
￥0.545
100+
￥0.4531
300+
￥0.4071

有货

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型号：DST3904DJ-7 编号：C144162

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

特性：VCEO = 40V。 IC = 200mA。外延平面管芯结构。非常适合自动化组装工艺。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。超小型封装

数据手册

10+
￥0.5533
100+
￥0.4454
300+
￥0.3915
1000+
￥0.351
5000+
￥0.3187

有货

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型号：DESDA5V3L-7 编号：C460443

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护：空气放电 ±16kV，接触放电 ±9kV。 2 通道 ESD 保护。 300W 峰值脉冲功率。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.5543
50+
￥0.4505
150+
￥0.3985
500+
￥0.3596
3000+
￥0.3284

有货

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型号：DMP2004VK-7 编号：C145114

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.5666
50+
￥0.4502
150+
￥0.392
500+
￥0.3484
3000+
￥0.3134

有货

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型号：AS324MTR-E1 编号：C110472

封装：SOIC-14

品牌：DIODES(美台)

AS324/324A 由四个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成。它们专为单电源供电而设计，也可采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路

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5+
￥0.575739 ￥1.1289
50+
￥0.36736 ￥0.896
150+
￥0.246822 ￥0.7962
500+
￥0.208196 ￥0.6716
2500+
￥0.191022 ￥0.6162
4000+
￥0.180699 ￥0.5829

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型号：BSS138DW-7-F 编号：C154900

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

双NPN,Vceo=50V,Ic=200mA

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5+
￥0.5815
50+
￥0.4732
150+
￥0.419

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型号：AP2331W-7 编号：C460346

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AP2331是一款单通道限流集成高端功率开关，专为热插拔应用而优化。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并为承受重容性负载和可能发生短路的应用提供全面的保护解决方案。它具备反向电流阻断、过流、过温和短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能

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5+
￥0.5924
50+
￥0.4674
150+
￥0.405
500+
￥0.3581
3000+
￥0.3129
6000+
￥0.2941

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型号：74LVC1G07FZ4-7 编号：C526340

封装：X2-DFN1410-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G07是一款带有漏极开路输出的单缓冲门。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。

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5+
￥0.602294 ￥0.7822
50+
￥0.465516 ￥0.6948
150+
￥0.374661 ￥0.6573
500+
￥0.348042 ￥0.6106
2500+
￥0.336129 ￥0.5897
5000+
￥0.329061 ￥0.5773

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型号：BAS40W-05-7-F 编号：C134372

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

1对共阴极

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5+
￥0.6053
50+
￥0.5086
150+
￥0.4603
500+
￥0.4241
3000+
￥0.3951

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型号：BZT52C4V3LP-7 编号：C5248673

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥0.6078
50+
￥0.4893
150+
￥0.4301
500+
￥0.3857

有货

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型号：DMP2045UQ-13 编号：C5359507

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.6134
50+
￥0.5215
150+
￥0.4822
500+
￥0.433
2500+
￥0.4112
5000+
￥0.398

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型号：DESD5V2S2UT-7 编号：C460593

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：260瓦峰值脉冲功率 (tp = 8x20μs)。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电30kV，接触放电30kV。 MIL-STD 883(ESD)，人体模型(HBM) 10kV。低反向漏电流，IR < 1μA。单向配置。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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5+
￥0.6164
50+
￥0.4898
150+
￥0.4264
500+
￥0.3789
3000+
￥0.3409

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型号：74AUP2G17DW-7 编号：C441816

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

高级超低功耗 (AUP) CMOS 逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池寿命而设计。74AUP2G17 由两个带标准推挽输出的施密特触发器缓冲器组成，设计工作电源范围为 0.8V 至 3.6V。该器件针对使用 IOFF 的部分掉电应用进行了全面规格定义

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5+
￥0.657459 ￥0.7557
50+
￥0.583161 ￥0.6703
150+
￥0.551319 ￥0.6337
500+
￥0.51156 ￥0.588
3000+
￥0.493899 ￥0.5677
6000+
￥0.483198 ￥0.5554

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型号：D5V0F1U2LP-7B 编号：C445029

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±20kV，接触放电 ±15kV。 1通道ESD保护。典型通道输入电容低至0.5pF。低外形封装（最大0.53mm）和超小PCB占位面积（最大1.08 * 0.53mm），适用于紧凑型便携式电子产品。通常用于高速端口，如USB 2.0、IEEE1394、串行ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅且完全符合ReHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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5+
￥0.6594
50+
￥0.5904
150+
￥0.5559
500+
￥0.53
2500+
￥0.5093

有货

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型号：SD103CW-13-F 编号：C5244993

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这些是采用SOD123封装的0.2A、20V/30V/40V肖特基整流器。

10+
￥0.6641
100+
￥0.5325
300+
￥0.4667
1000+
￥0.4174
5000+
￥0.378

有货

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型号：SMAJ58CA-13-F 编号：C134998

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7089
50+
￥0.5633
150+
￥0.4904
500+
￥0.4358
2500+
￥0.3921

有货

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型号：B240S1F-7 编号：C3001607

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器可提供低正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性，适用于一般整流应用。

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5+
￥0.7197
50+
￥0.5854
150+
￥0.5182
500+
￥0.4678
3000+
￥0.4275

有货

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型号：ES2DA-13-F 编号：C154882

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。采用绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥0.72
50+
￥0.5839
150+
￥0.5159
500+
￥0.4648

有货

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型号：1SMB5939B-13 编号：C5244674

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.7267
50+
￥0.7136
150+
￥0.7048
500+
￥0.696

有货

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型号：SMAJ7.5CA-13-F 编号：C135009

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7481
50+
￥0.5984
150+
￥0.5236
500+
￥0.4675
2500+
￥0.4226

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型号：SMAJ28A-13-F 编号：C134977

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7578
50+
￥0.6219
150+
￥0.554
500+
￥0.503
2500+
￥0.4623

有货

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型号：74LVCE1G04W5-7 编号：C842483

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

74LVCE1G04是一款具有标准图腾柱输出的单反相器门电路。该器件设计用于电源电压范围为1.4V至5V的工作环境。

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5+
￥0.758694 ￥0.8158
50+
￥0.541658 ￥0.6526
150+
￥0.41683 ￥0.571
500+
￥0.372154 ￥0.5098
3000+
￥0.336384 ￥0.4608
6000+
￥0.318499 ￥0.4363

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型号：MMBD4448HCQW-7-F 编号：C460096

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：5mA时最大0.72V。低反向电流：70V时最大100nA。快速反向恢复：最大4ns。低电容：最大3.5pF。小表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

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