DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FMMT497TA 编号：C80781

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

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5+
￥0.8479
50+
￥0.6857
150+
￥0.6046
500+
￥0.5438

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型号：SMAJ17A-13-F 编号：C134963

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.8617
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￥0.6867
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2500+
￥0.4812

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型号：74AUP1G00SE-7 编号：C842317

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

Advanced Ultra Low Power (AUP) CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池寿命而设计。是一个单路双输入正与非门，具有标准推挽输出，设计用于在0.8V至3.6V的电源范围内工作。该器件针对使用Icc5的部分掉电应用进行了全面规格设计。Icc5电路可禁用输出，防止器件掉电时产生损坏性电流回流。该门执行正布尔函数：。Y = (A × B)的非，或Y = A(overline) + B(overline)

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5+
￥0.869176 ￥1.1288
50+
￥0.67603 ￥1.009
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￥0.545832 ￥0.9576
500+
￥0.509352 ￥0.8936
3000+
￥0.493107 ￥0.8651
6000+
￥0.483303 ￥0.8479

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型号：AS324AMTR-G1 编号：C2060350

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

AS324/324A 由四个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成。它们专为单电源供电而设计，也可采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路

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5+
￥0.918368 ￥1.0436
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￥0.652782 ￥0.8369
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￥0.508912 ￥0.7484
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￥0.433772 ￥0.6379
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￥0.400316 ￥0.5887
4000+
￥0.380256 ￥0.5592

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型号：AP7365-18WG-7 编号：C460402

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款600mA、可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低压差和低静态电流特性使其适用于如电池供电设备等低功耗应用。典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。该设备具有0.8V至5.0V的可调输出，以及0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定输出版本。有SOT25、SOT89、SOT223和UDFN2020-6封装。

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￥0.922
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￥0.7515
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型号：BAT54SWQ-7-F 编号：C460165

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。完全无铅涂层，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：开关电源（SMPS）。 DC-DC转换器

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5+
￥0.9257
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￥0.7359
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￥0.641
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￥0.5698
3000+
￥0.511

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型号：ZVN3320FTA 编号：C260863

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.9339
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￥0.6473
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￥0.5183

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型号：74LVC2G32HD4-7 编号：C526352

封装：DFN-8(1x2)

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G32 是一款双路二输入或门。两个门电路均采用推挽输出，设计工作电源范围为 1.65V 至 5V。

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￥0.9618
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￥0.7484
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￥0.4793

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型号：S3M-13-F 编号：C460944

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.9726
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￥0.7685
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型号：74LVC1G14FZ4-7 编号：C526341

封装：X2-DFN1410-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。

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￥0.9746
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￥0.8587
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￥0.8091
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￥0.7471
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￥0.7195

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型号：ZXMN6A07FTA 编号：C397972

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET采用了独特的结构，将低导通电阻与快速开关速度的优势相结合，使其非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.9804
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型号：HDS10M-13 编号：C2987006

封装：SMD-4P

品牌：DIODES(美台)

适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。

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型号：MMDT2227Q-7-F 编号：C460103

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个2222A型（NPN）和一个2907A型（PNP）。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，在IATF16949认证工厂生产

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5+
￥0.9934
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￥0.7878
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型号：MMBD4448HSDW-7-F 编号：C211392

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：5mA时最大0.72V。低反向电流：70V时最大100nA。快速反向恢复：最大4ns。低电容：最大3.5pF。小表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

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5+
￥0.999
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￥0.8025
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￥0.7042
500+
￥0.6305
3000+
￥0.5715

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型号：AH1912-W-7 编号：C2152988

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH1912是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1912非常适合用于电池供电的消费产品、燃气或水表、烟雾探测器和物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至5.5V）可延长电池工作时间，并支持低电压系统微控制器，为系统设计提供了极大的灵活性

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5+
￥1.0087
50+
￥0.8071
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￥0.7207
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￥0.6129
3000+
￥0.5609

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型号：2DB1182Q-13 编号：C176911

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电压。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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5+
￥1.018065 ￥1.5195
50+
￥0.7638 ￥1.34
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￥0.593657 ￥1.2631
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￥0.548584 ￥1.1672
2500+
￥0.528515 ￥1.1245
5000+
￥0.516436 ￥1.0988

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型号：AP2111H-3.3TRG1 编号：C155300

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

AP2111 是采用 CMOS 工艺、具备使能功能的低压差线性稳压器，该稳压器可保证提供 600mA（最小值）的连续负载电流。AP2111 提供 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、4.8V 的固定输出电压，以及 0.8V 至 5V 的可调输出电压，输出精度高达 1.5%。由于环路响应速度极快，它还具备出色的负载调整率、线性调整率和负载瞬态响应性能

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5+
￥1.0312
50+
￥0.8102
150+
￥0.7154

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型号：74LV08AT14-13 编号：C842475

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

74LV08A提供四个独立的2输入与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围

5+
￥1.03664 ￥1.0912
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￥0.81719 ￥0.9614
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￥0.67935 ￥0.9058
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￥0.6273 ￥0.8364
2500+
￥0.604125 ￥0.8055
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￥0.59025 ￥0.787

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型号：AH180-WG-7 编号：C154865

封装：SC-59-3

品牌：DIODES(美台)

AH180是一款微功耗全极霍尔效应开关，专为手机、个人数字助理（PDA）和便携式个人电脑（PC）等便携式和电池供电设备而设计。基于两个霍尔效应板和斩波稳定架构，AH180在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为了适配便携式和电池供电设备，该设计经过优化，可在2.5V至5.5V的电源电压范围内工作，在3V电源供电时仅消耗24μW的功率

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5+
￥1.0415
50+
￥0.8243
150+
￥0.7156
500+
￥0.6342
3000+
￥0.5169

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型号：DFLZ12Q-7 编号：C5205191

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。大型外露焊盘和散热片，具备卓越的热性能。专利联锁夹设计，具备高浪涌能力，美国专利号 #7,095,113。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。可提供生产件批准程序（PPAP）文件

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5+
￥1.04251 ￥1.4893
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￥0.91938 ￥1.3134
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￥0.86667 ￥1.2381
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￥0.8008 ￥1.144
3000+
￥0.77147 ￥1.1021
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￥0.7539 ￥1.077

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型号：DMP3085LSD-13 编号：C155216

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥1.0449
50+
￥0.8311
150+
￥0.7395
500+
￥0.6252
2500+
￥0.5743

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型号：74LVC08AT14-13 编号：C460511

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

74LVC08A提供四个独立的2输入与门。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围

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5+
￥1.049
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￥0.8586
150+
￥0.7634
500+
￥0.692

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型号：D4V5H1U2LP1610-7 编号：C5157834

封装：UDFN1610-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合，使其非常适合保护单条线路免受高浪涌电流和其他瞬态影响。这些坚固的二极管可以安全地吸收 ±30kV 的重复 ESD 冲击，而不会降低性能。此外，它可以在极低的钳位电压下安全地消散 90A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。

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5+
￥1.0577
50+
￥0.8499
150+
￥0.7608
500+
￥0.6497
2500+
￥0.5755

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型号：AZ1117IH-5.0TRG1 编号：C108496

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压进行了优化。该器件提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在±1%以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用可能导致的结温过高。有1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻。也有一个可调版本，可以用两个外部电阻设置输出电压。有行业标准的SOT223和TO252-2封装。

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