DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZVN2106A 编号：C500798

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：60 伏 VDs。 RDS(on)=2Ω

数据手册

5+
￥3.2616
50+
￥2.6054
150+
￥2.3241
500+
￥1.9732

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型号：DMC3025LSDQ-13 编号：C5148568

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于直流电机控制和直流-交流逆变器。

数据手册

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￥3.27
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￥2.67
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￥2.41
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￥2.08
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￥1.81
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￥1.72

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型号：ZXT790AKTC 编号：C73185

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高连续集电极电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -6A。高增益器件：>200 @ -1A。典型RCE(SAT) = 83mΩ。低饱和电压。应用：DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动器

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￥3.3156 ￥6.14
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￥2.2616 ￥5.14
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￥1.5776 ￥4.64
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￥1.4076 ￥4.14
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￥1.309 ￥3.85
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￥1.2546 ￥3.69

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型号：PI4IOE5V9535ZDEX 编号：C3188776

封装：QFN-24(4x4)

品牌：DIODES(美台)

PI4IOE5V9535 是一个24引脚设备，提供16位通用并行输入/输出(GPIO)扩展，适用于IC总线/SMBus应用。它包括高驱动能力、5V耐压、低功耗、单个I/O配置和小封装等特性。

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￥3.35
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￥2.64
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￥2.33
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￥1.96
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￥1.79
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￥1.68

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型号：ZXCT1109SA-7 编号：C82765

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1107/09/10是高端单极性电流检测监视器。这些器件在检测负载电流时无需中断接地层。宽共模输入电压范围、低静态电流，再加上SOT23封装，使其适用于一系列应用，包括适配器、汽车以及由工业24V电源轨供电的系统

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￥3.64
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￥2.9
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￥2.53
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￥2.17
500+
￥1.95
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￥1.84

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型号：ZXMP6A18KTC 编号：C154895

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）支持，适用于以下场景:断开开关。电机控制

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￥3.75
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￥3.06
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￥2.71
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￥2.37
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￥2.16
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￥2.05

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型号：SBR20A300CTFP-G 编号：C526745

封装：ITO-220AB-3

品牌：DIODES(美台)

这种超级势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、升压二极管、阻塞二极管。

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￥3.84
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￥3.48
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￥3.29
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￥3.11
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￥3
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￥2.94

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型号：ZX5T951GTA 编号：C460272

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。高连续集电极电流：IC =-5.5A。峰值脉冲电流：ICM =-15A。低饱和电压：VCE(sat) <-70mV @-1A。低等效导通电阻：RSAT = 39mΩ。高增益保持：hFE 指定至-10A。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

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￥3.84
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￥3.09
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￥2.78
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￥2.38
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￥2.2

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型号：FZT651QTA 编号：C526627

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

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￥3.92
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￥3.24
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￥2.9
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￥2.56
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￥2.36
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￥2.25

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型号：ZX5T851GTA 编号：C460271

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat)<-60mV @-1A。 RSAT = 35mΩ 低等效导通电阻。 nFE 指定至 10A 高增益保持。应用：应急照明电路。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

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￥4.22
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￥3.44
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￥3.05
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￥2.67
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￥2.3
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￥2.18

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型号：MBRD20200CT-13 编号：C155302

封装：TO-252-3

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。

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1+
￥4.26
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￥3.42
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￥3.01
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￥2.59
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￥2.17
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￥2.05

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型号：AP2152ASG-13 编号：C2149820

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP2142A 和 AP2152A 是双通道限流集成高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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￥4.31
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￥3.5
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￥3.09
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￥2.69
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￥2.45
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￥2.32

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型号：PI3V713-AZLEX 编号：C2151022

封装：TQFN-32-EP(3x6)

品牌：DIODES(美台)

专为切换VGA信号设计，具有7个通道用于VGA信号（R,G,B, Hsync, Vsync, DDC Data, 和 DDC CLK）。支持在笔记本和扩展坞之间切换视频端口。高带宽达1.7GHz，低串扰(-38dB)。

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1+
￥4.36
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￥3.54
30+
￥3.13
100+
￥2.72
500+
￥2.48
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￥2.35

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型号：DMP3007SPS-13 编号：C397981

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥4.46
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￥3.65
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￥3.24
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￥2.84
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￥2.6
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￥2.48

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型号：ZVN4525E6TA 编号：C508256

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

这款250V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格参数。它具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。

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1+
￥4.49
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￥3.79
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￥3.48
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￥3.1
500+
￥2.72
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￥2.62

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型号：PAM8320RDR 编号：C2895159

封装：SO-16-EP

品牌：DIODES(美台)

PAM8320是一款高效的20W单声道D类音频功率放大器，设计用于在桥接负载配置下驱动低至4Ω的扬声器。由于功耗低且效率高达95%，该器件在播放音乐时无需任何外部散热片。PAM8320具备短路保护、热关断、过压保护和欠压锁定功能。PAM8320采用SO - 16EP封装。

1+
￥4.58
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￥3.44
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￥2.87
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￥2.3
500+
￥1.96
1000+
￥1.78

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型号：ZTX605 编号：C443658

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：120 Volt VCEO。 1 Amp连续电流。在Ic = 1 Amp时增益为2K。 Ptot = 1 Watt

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1+
￥4.71
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￥4
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￥3.64
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￥3.29
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￥3.08
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￥2.97

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型号：ZXMP10A18KTC 编号：C154723

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-100V,-3.8A,150mΩ@-10V

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1+
￥4.97
10+
￥4.18
30+
￥3.78
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￥3.38
500+
￥2.79
1000+
￥2.67

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型号：PI3WVR13412ZHEX 编号：C2150846

封装：TQFN-42(9x3.5)

品牌：DIODES(美台)

多标准视频开关，支持DisplayPort 1.3/1.4和HDMI 2.0，高速通道数据速率8.1 Gbps。

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1+
￥6.9955 ￥8.23
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￥5.76 ￥7.68
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￥4.7645 ￥7.33
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￥4.537 ￥6.98
500+
￥4.433 ￥6.82
1000+
￥4.3875 ￥6.75

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型号：AP1501-K5G-13 编号：C9981

封装：TO-263-5

品牌：DIODES(美台)

AP1501是一款完全集成的降压型DC/DC转换器，无需额外的驱动元件，即可驱动3A负载。AP1501的开关频率为150kHz，可使用小尺寸滤波元件。因此，它可减少电路板空间并降低物料清单成本

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1+
￥7.3
10+
￥5.98
30+
￥5.32
100+
￥4.67
500+
￥3.87

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型号：AP1501A-50K5G-13 编号：C674400

封装：TO-263-5

品牌：DIODES(美台)

AP1501A 系列是专为降压型 DC/DC 转换器设计的单片集成电路，无需额外的晶体管元件即可驱动 5A 负载。由于减少了外部元件数量，可轻松节省电路板空间。外部关断功能可通过逻辑电平控制，使器件进入待机模式

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1+
￥8.99
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￥7.59
30+
￥6.82
100+
￥5.95
500+
￥5.25
800+
￥5.07

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型号：DMTH10H1M7STLW-13 编号：C5245443

封装：PowerDI1012-8

品牌：DIODES(美台)

新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电池电源管理和负载开关。

1+
￥13.7
10+
￥12.71
30+
￥12.1
100+
￥11.47
500+
￥11.18

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型号：BZT52C8V2-13-F 编号：C3001623

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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10+
￥0.123041 ￥0.3001
100+
￥0.082398 ￥0.2658
300+
￥0.052227 ￥0.2487
1000+
￥0.049518 ￥0.2358
5000+
￥0.047355 ￥0.2255
10000+
￥0.046284 ￥0.2204

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型号：DMP510DL-7 编号：C397953

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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10+
￥0.1569
5000+
￥0.1344

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型号：BAV99Q-13-F 编号：C526454

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.177837 ￥0.3487
100+
￥0.11439 ￥0.279
300+
￥0.075702 ￥0.2442
1000+
￥0.067611 ￥0.2181
5000+
￥0.061132 ￥0.1972
10000+
￥0.057877 ￥0.1867

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型号：BC847B-7-F 编号：C459862

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.1906
200+
￥0.1528
600+
￥0.1318
3000+
￥0.1189

有货

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型号：DZ23C6V2-7-F 编号：C5244892

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

10+
￥0.194688 ￥0.4056
100+
￥0.154176 ￥0.3212
300+
￥0.13392 ￥0.279
3000+
￥0.118704 ￥0.2473
6000+
￥0.10656 ￥0.222
9000+
￥0.100512 ￥0.2094

有货

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型号：BAV99HDWQ-13 编号：C3009960

封装：SOT-363-6

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。高反向击穿电压。低泄漏电流。低电容。一个封装中有两个“BAV99”电路。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

10+
￥0.21224 ￥0.3032
100+
￥0.18802 ￥0.2686
300+
￥0.17591 ￥0.2513
1000+
￥0.16681 ￥0.2383
5000+
￥0.15953 ￥0.2279
10000+
￥0.15589 ￥0.2227

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型号：BAV19WS-7-F 编号：C92318

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.2342
200+
￥0.1832
600+
￥0.1549
3000+
￥0.1379

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型号：DMG1013UW-7 编号：C211434

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

P 沟道,-20V,-820mA,1.5Ω@-1.8V

数据手册

20+
￥0.2394
200+
￥0.1899
600+
￥0.1624
3000+
￥0.1459

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