DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMAJ70A-13-F 编号：C135010

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7564
50+
￥0.6197
150+
￥0.5513
500+
￥0.5
2500+
￥0.459

有货

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型号：D18V0L1B2LPQ-7B 编号：C5248756

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于汽车信息娱乐应用。

5+
￥0.7682
50+
￥0.6013
150+
￥0.5178
500+
￥0.4552
2500+
￥0.4052
5000+
￥0.3801

有货

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型号：ZXTN26020DMFTA 编号：C461825

封装：DFN-3(1.4x1.1)

品牌：DIODES(美台)

特性：高增益低饱和压降NPN晶体管。极低的集电极发射极饱和电阻。高脉冲峰值电流能力。连续集电极电流额定值为1.5A。超小表面贴装封装。符合AEC-Q101标准，可靠性高。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换

数据手册

5+
￥0.769782 ￥0.9869
50+
￥0.591872 ￥0.8704
150+
￥0.475832 ￥0.8204
500+
￥0.439698 ￥0.7581
3000+
￥0.423574 ￥0.7303
6000+
￥0.413946 ￥0.7137

有货

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型号：PD3Z284C27-7 编号：C460245

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。超小型表面贴装封装。无铅设计，符合 RoHS 标准。“绿色”模塑料（无溴、锑）。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.792164 ￥1.3658
50+
￥0.578208 ￥1.2046
150+
￥0.431452 ￥1.1354
500+
￥0.398696 ￥1.0492
3000+
￥0.384104 ￥1.0108
6000+
￥0.375364 ￥0.9878

有货

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型号：LMV331W5-7 编号：C107643

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

LMV331/LMV393系列是低压（2.7V至5.5V）单路和双路比较器，旨在有效降低低压水平下的成本和占用空间。这些器件的规格达到或超过了大家熟知的LM331/LM393器件，且工作电源电压更低，电源电流消耗也低得多。 LMV331采用5引脚SOT353/SOT25封装，可减少PC板和便携式电子设备的占用空间。LMV393采用行业标准的SOP - 8和MSOP - 8封装。 LMV331/LMV393是低压单路/双路通用比较器。它们的单电源工作电压范围为2.7V至5.5V；共模输入电压范围从负电源以下 - 0.1V延伸至正电源0.8V以内。 LMV331/393系列采用BiCMOS工艺制造，具有双极型输入和输出级，可改善噪声性能。对于便携式消费产品而言，在电路设计中，空间、低电压、低功耗和价格是主要规格要求，该系列是一种经济高效的解决方案。

数据手册

5+
￥0.8222
50+
￥0.6713
150+
￥0.5959

有货

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型号：ZXMN3B01FTA 编号：C212304

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代沟槽MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，适用于高效、低电压电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.8516
50+
￥0.7418
150+
￥0.6947
500+
￥0.636
3000+
￥0.6098

有货

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型号：BAS40DW-04-7-F 编号：C134364

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

2对串联

数据手册

5+
￥0.8539
50+
￥0.7099
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￥0.6379
500+
￥0.5839
3000+
￥0.5407

有货

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型号：74AUP1G14FZ4-7 编号：C155351

封装：X2-DFN1410-6

品牌：DIODES(美台)

先进超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池使用寿命而设计。AUP1G14是一款单路单输入施密特触发反相器门电路，具有标准推挽输出，设计工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件针对使用IOFF的部分掉电应用进行了全面规格定义

数据手册

5+
￥0.8584
50+
￥0.6867
150+
￥0.6008
500+
￥0.5364
2500+
￥0.4849
5000+
￥0.4591

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型号：SMAJ75CA-13-F 编号：C135013

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8909
50+
￥0.675014 ￥0.7181
150+
￥0.530628 ￥0.6317
500+
￥0.476112 ￥0.5668
2500+
￥0.4326 ￥0.515
5000+
￥0.410844 ￥0.4891

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型号：SMAJ51CA-13-F 编号：C134995

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9339
50+
￥0.7641
150+
￥0.6793
500+
￥0.6156
2500+
￥0.5647

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型号：D55V0M1B2WS-7 编号：C1976275

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±25kV。1 通道 ESD 保护。适用于 60V MOSFET 保护。符合 IEC 61000-4-5 标准的高峰脉冲电流。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9381
50+
￥0.7572
150+
￥0.6668
500+
￥0.599

有货

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型号：SBR2U30P1-7 编号：C132285

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：专利超级势垒整流器 (SBR) 技术。超低正向电压降。卓越的反向雪崩能力。专利互锁夹设计，具有高浪涌电流能力。软、快速开关能力。 +150°C工作结温。 ±16kV ESD保护 (HBM, 3B)。 ±25kV ESD保护 (IEC61000-4-2 4级, 空气放电)。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.9762
50+
￥0.8116
150+
￥0.7293
500+
￥0.6675

有货

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型号：PD3Z284C5V1-7 编号：C180195

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。超小型表面贴装封装。无铅设计，符合 RoHS 标准。“绿色”模塑料（无溴、锑）。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

5+
￥1.0004
50+
￥0.7892
150+
￥0.6836
500+
￥0.6044

有货

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型号：DMN3023L-7 编号：C443825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.0104
50+
￥0.8031
150+
￥0.7143
500+
￥0.6034
3000+
￥0.5314

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型号：1SMB5936B-13 编号：C780713

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.050048 ￥1.0938
50+
￥0.758778 ￥0.8823
150+
￥0.601616 ￥0.7916
500+
￥0.51566 ￥0.6785
3000+
￥0.477356 ￥0.6281
6000+
￥0.454404 ￥0.5979

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型号：D5V0H1U2LP1610-7 编号：C1975032

封装：DFN1610-2

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥1.0522
50+
￥0.8325
150+
￥0.7227
500+
￥0.6403
2500+
￥0.5744

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型号：RH02-T 编号：C460734

封装：MiniDIP

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向电压驱动。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。微型封装节省印刷电路板空间。无铅表面处理，符合RoHS标准

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1+
￥1.0659 ￥1.87
10+
￥0.7755 ￥1.65
30+
￥0.5772 ￥1.56
100+
￥0.5328 ￥1.44
500+
￥0.5143 ￥1.39
1000+
￥0.5032 ￥1.36

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型号：AP7331-SNG-7 编号：C154724

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用，例如电池供电设备。典型静态电流约为65μA。内置限流和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。提供SOT25和DFN2020-6封装。

数据手册

5+
￥1.0732
50+
￥0.8686
150+
￥0.7662
500+
￥0.6895
3000+
￥0.6281

有货

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型号：SBR2A40P1Q-7 编号：C155526

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。低漏电流。卓越的反向雪崩能力。出色的高温稳定性。专利联锁夹设计，具备高浪涌电流能力。专利超级势垒整流器技术 (SBR)。软、快速开关能力。工作结温 +150℃。 +16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 +25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.1076
50+
￥0.8754
150+
￥0.776
500+
￥0.6518

有货

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型号：BAS70DW-04-7-F 编号：C134381

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

该肖特基势垒阵列设计用于多种配置，具有低泄漏性能。这通过仅需一个组件降低了组件放置成本。设计满足 AEC-Q101 要求。配置非常适合用作:极性保护二极管。两条数据线的轨到轨数据线保护。多路复用电路。高效、低电流桥式整流电路。续流二极管。开关二极管

数据手册

5+
￥1.1502
50+
￥0.9545
150+
￥0.8566
500+
￥0.7832

有货

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型号：B260AQ-13-F 编号：C507899

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、再循环二极管、开关二极管、阻塞二极管和续流二极管。

数据手册

5+
￥1.157
50+
￥0.9185
150+
￥0.8163
500+
￥0.6888
2500+
￥0.632

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型号：ZHCS750TA 编号：C526777

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

DC-DC 转换器、移动电信、PCMIA

数据手册

5+
￥1.161602 ￥1.3507
50+
￥0.905312 ￥1.1912
150+
￥0.741048 ￥1.1228
500+
￥0.68475 ￥1.0375
3000+
￥0.659736 ￥0.9996
6000+
￥0.644688 ￥0.9768

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型号：AP2210N-3.3TRG1 编号：C155508

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA的超低压差线性稳压器（ULDO），提供极低的噪声、超低的压差（在300mA时典型值为250mV）、极低的待机电流（最大1μA）和出色的电源纹波抑制比（在100Hz时PSRR为75dB）。该器件用于电池供电的应用，如手机和个人数字助理（PDA）；以及对噪声敏感的应用，如射频（RF）电子设备。还具有独立的逻辑兼容使能/关断控制输入、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护和反向电流保护。有2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.0V、5.0V和可调版本。采用节省空间的SOT-23-3和SOT-23-5封装。

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