DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMP2045UFY4-7 编号：C2987009

封装：X2-DFN2015-3

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9392
50+
￥0.7376
150+
￥0.6368
500+
￥0.5612
3000+
￥0.4755

有货

立即购买

型号：AP3429KTTR-G1 编号：C507879

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP3429/A 是一款 2A 降压型 DC - DC 转换器。在重载情况下，恒定频率 PWM 控制具有出色的稳定性和瞬态响应，无需外部补偿元件。AP3429/A 支持 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围，可使用单节 Li+/锂聚合物电池、多节碱性/镍氢电池及其他标准电源

数据手册

5+
￥0.9415
50+
￥0.7298
150+
￥0.6391
500+
￥0.5259
3000+
￥0.4755
6000+
￥0.4452

有货

立即购买

型号：1SMB5920B-13 编号：C507853

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.0148
50+
￥0.8131
150+
￥0.7266
500+
￥0.6188
3000+
￥0.5708

有货

立即购买

型号：DFLZ10-7 编号：C151371

封装：Power-DI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.0594
50+
￥0.8686
150+
￥0.7733
500+
￥0.7018

有货

立即购买

型号：SMAJ54A-13-F 编号：C134996

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.0845
50+
￥0.842
150+
￥0.738
500+
￥0.6083
2500+
￥0.5505

有货

立即购买

型号：SDT5A100SAF-13 编号：C6802581

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

提供非常低的正向电压（VF），在高温下具有极其出色的反向泄漏稳定性，适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。

5+
￥1.1002
50+
￥0.9681
150+
￥0.9114
500+
￥0.8408
2500+
￥0.8093
5000+
￥0.7904

有货

立即购买

型号：SMBJ18CA-13-F 编号：C129585

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.1195
50+
￥0.8678
150+
￥0.7599
500+
￥0.6253
3000+
￥0.5654

有货

立即购买

型号：B280-13-F 编号：C134445

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达60A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：引脚处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.1342
50+
￥0.9494
150+
￥0.857
500+
￥0.7877
3000+
￥0.7323

有货

立即购买

型号：FMMT617TA 编号：C151825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 50mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 12A 以实现高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

数据手册

5+
￥1.2602
50+
￥1.0032
150+
￥0.8931
500+
￥0.7557

有货

立即购买

型号：PD3S230H-7 编号：C155289

封装：PowerDI323

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高浪涌能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-0101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.2762
50+
￥1.1102
150+
￥1.0391
500+
￥0.9504
3000+
￥0.9109

有货

立即购买

型号：AP2139AK-3.3TRG1 编号：C150720

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

基于CMOS的正电压调节器IC，由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络和用于电流保护的限流电路组成。AP2139具有带快速放电功能的使能电路。这些IC具有高输出电压精度、极低的静态电流和低压差电压，适用于各种便携式应用的电源。有1.2V、1.4V、1.5V、1.8V、2.1V、2.2V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V和4.0V固定输出电压版本。AP2138系列采用SOT-23-3和SOT-89封装，AP2139系列采用SOT-23-5封装。

数据手册

5+
￥1.3456
50+
￥1.0562
150+
￥0.9322
500+
￥0.7774
3000+
￥0.7085

有货

立即购买

型号：B170-13-F 编号：C134435

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

数据手册

5+
￥1.3744
50+
￥1.0695
150+
￥0.9388
500+
￥0.7758
2500+
￥0.7032

有货

立即购买

型号：ZLLS400TA 编号：C460267

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款采用SOD323封装的紧凑型肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合，包括大电流工作、极低的漏电流和低正向电压，确保适用于需要在较高温度（高于+85°C）下高效运行的应用场景。

数据手册

5+
￥1.3955
50+
￥1.1144
150+
￥0.9939
500+
￥0.8435
3000+
￥0.7766

有货

立即购买

型号：DMP3028LFDE-7 编号：C461077

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.4055
50+
￥1.1657
150+
￥1.0629
500+
￥0.9346
3000+
￥0.8775

有货

立即购买

型号：DFLS2100-7 编号：C154727

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

该器件是采用PowerDI123封装的单整流器。这些器件具有低正向压降（VF）和出色的高温稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、反向保护二极管、阻塞二极管。

数据手册

5+
￥1.4229
50+
￥1.1369
150+
￥1.0143
500+
￥0.8614
3000+
￥0.7933
6000+
￥0.7524

有货

立即购买

型号：FMMT449TA 编号：C460074

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

数据手册

5+
￥1.4548
50+
￥1.2004
150+
￥1.0913
500+
￥0.9553
3000+
￥0.8947

有货

立即购买

型号：BCP5616QTA 编号：C460003

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥1.5602
50+
￥1.2701
150+
￥1.1457
1000+
￥0.9906
2000+
￥0.9215

有货

立即购买

型号：APX811-29UG-7 编号：C110471

封装：SOT-143

品牌：DIODES(美台)

APX811/812用于微处理器监控电路，以监测电源。这些电路执行单一功能：只要Vcc电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在Vcc升至复位阈值以上后，至少保持240ms的复位状态。提供适用于各种电源电压工作的复位阈值

数据手册

5+
￥1.5755
50+
￥1.2212
150+
￥1.0694
500+
￥0.88
3000+
￥0.7957

有货

立即购买

型号：PI3B3126LEX 编号：C3001683

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

DIODES PI3B系列逻辑电路采用公司先进的亚微米CMOS技术生产，达到了行业领先的速率等级。PI3B3125和PI3B3126是3.3伏、4位总线开关，设计有四个独立的5Ω总线开关，并具有快速独立使能功能，符合行业标准74XX125/126引脚布局。当通过相应的总线使能（BE）引脚启用时，“A”引脚直接连接到该特定门的“B”引脚。总线开关不会引入额外的传播延迟或额外的地弹噪声。PI3B3125设备具有低电平有效使能，而PI3B3126具有高电平有效使能。接近零传播延迟的5欧姆开关将输入连接到输出。快速切换速度-最大4纳秒。超低静态功耗（典型值0.1微安），使其非常适合笔记本电脑应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。不含卤素和锑。“绿色”器件。

数据手册

1+
￥1.6185 ￥1.95
10+
￥1.3943 ￥1.91
30+
￥1.1844 ￥1.88
100+
￥1.1655 ￥1.85

有货

立即购买

型号：FZT651TA 编号：C24098

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.6359
50+
￥1.2879
150+
￥1.1387
1000+
￥0.9526

有货

立即购买

型号：FCX493TA 编号：C151570

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

数据手册

5+
￥1.6549
50+
￥1.3188
150+
￥1.1747
1000+
￥0.8676
2000+
￥0.7876

有货

立即购买

型号：DMN10H120SE-13 编号：C460989

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥1.6962 ￥2.57
10+
￥1.1816 ￥2.11
30+
￥0.8786 ￥1.91
100+
￥0.7636 ￥1.66
500+
￥0.713 ￥1.55
1000+
￥0.6854 ￥1.49

有货

立即购买

型号：ES3BB-13-F 编号：C154914

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达 100A 峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥1.7559
50+
￥1.3611
150+
￥1.1919
500+
￥0.9808

有货

立即购买

型号：AL1692-20CS7-13 编号：C526359

封装：SO-7

品牌：DIODES(美台)

是高性能、高功率因数、高效率和高电流的精密降压-升压和反激式可调光LED控制器/驱动器，适用于可控硅调光LED灯应用。该拓扑结构可在较宽的线路和负载调节范围内提供精确的输出电流。宽开关频率工作在边界传导模式（BCM），以简化EMI/EMC设计和测试，满足最新的监管标准。控制器搭配外部MOSFET可支持高达25W的更高输出功率应用

数据手册