DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DFLS1100-7 编号：C107674

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥0.5494
50+
￥0.4407
150+
￥0.3864
500+
￥0.3456

有货

立即购买

型号：BCW66HTA 编号：C95984

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。高连续集电极电流：IC = 800mA。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 100mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

5+
￥0.5503
50+
￥0.4471
150+
￥0.3955
500+
￥0.3568
3000+
￥0.3258

有货

立即购买

型号：DMC2990UDJ-7 编号：C397939

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5728
50+
￥0.4619
150+
￥0.4065
500+
￥0.3649
2500+
￥0.2985
5000+
￥0.2819

有货

立即购买

型号：DMN2058UW-7 编号：C2760648

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5944
50+
￥0.4815
150+
￥0.4251
500+
￥0.3827
3000+
￥0.3289

有货

立即购买

型号：D5V0F2U3LP08-7B 编号：C2960356

封装：X-FDFN-3

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和 MP3 播放器。

数据手册

5+
￥0.6083
50+
￥0.5547
150+
￥0.528
500+
￥0.5079
2500+
￥0.4918
5000+
￥0.4838

有货

立即购买

型号：74AHCT08S14-13 编号：C842298

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

74AHCT08提供四个独立的2输入与门，具备标准推挽输出。该器件设计用于4.5V至5V的电源电压范围。

数据手册

5+
￥0.628696 ￥0.7064
50+
￥0.491696 ￥0.6224
150+
￥0.404616 ￥0.5864
500+
￥0.373635 ￥0.5415
2500+
￥0.359835 ￥0.5215
5000+
￥0.351555 ￥0.5095

有货

立即购买

型号：AZ1117CR-3.3TRG1 编号：C460428

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

数据手册

5+
￥0.6855
50+
￥0.5343
150+
￥0.4587
1000+
￥0.402
2000+
￥0.3566
5000+
￥0.334

有货

立即购买

型号：SMAJ36A-13-F 编号：C134983

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6953
50+
￥0.5436
150+
￥0.4678
500+
￥0.4109
2500+
￥0.3654
5000+
￥0.3426

有货

立即购买

型号：B340AF-13 编号：C172880

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ B340AF是一款3A、40V的单整流器，DIODES™ B345AF是一款3A、45V的单整流器，它们均采用薄型SMAF封装。该器件具有低正向压降（VF），且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用，例如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。

数据手册

5+
￥0.703
50+
￥0.5566
150+
￥0.4834
500+
￥0.4285
2500+
￥0.3484

有货

立即购买

型号：74LVC2G17FX4-7 编号：C842623

封装：X2-DFN1409-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G17是一款双施密特触发器缓冲门，具有标准推挽输出。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。

数据手册

5+
￥0.723064 ￥0.9514
50+
￥0.557766 ￥0.8451
150+
￥0.44772 ￥0.7995
500+
￥0.415912 ￥0.7427
2500+
￥0.401688 ￥0.7173
5000+
￥0.393232 ￥0.7022

有货

立即购买

型号：DMN1150UFB-7B 编号：C459538

封装：DFN-3L(0.6x1)

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.728
50+
￥0.5849
150+
￥0.5133
500+
￥0.4596
2500+
￥0.4167
5000+
￥0.3952

有货

立即购买

型号：SMAJ24CA-13-F 编号：C134974

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7317
50+
￥0.59
150+
￥0.5192
500+
￥0.466
2500+
￥0.4235

有货

立即购买

型号：74LVC1G08Z-7 编号：C842517

封装：SOT-553-5

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

5+
￥0.781014 ￥0.8398
50+
￥0.557594 ￥0.6718
150+
￥0.429094 ￥0.5878
500+
￥0.383104 ￥0.5248
2500+
￥0.346312 ￥0.4744
4000+
￥0.327916 ￥0.4492

有货

立即购买

型号：AL5890-30P1-13 编号：C5329421

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5890 是一款400V恒流LED驱动器，提供具有成本效益的两引脚解决方案。它具有良好的温度稳定性和在宽电压和温度范围内的电流精度<±2.0mA（典型值）。AL5890 提供多种或预设的输出电流选项，无需外部电流设置电阻，为LED系列创建简单的驱动解决方案。AL5890支持LED链的高侧和低侧驱动。当IN和OUT之间的电压大于7V时，AL5890启动。长LED链应用可支持高达400V的工作电压，受限于封装的热限制。AL5890 采用热性能优良的PowerDI123（Type B）、SOT89 和 TO252（标准）封装。

数据手册

5+
￥0.7923
50+
￥0.6989
150+
￥0.6589
500+
￥0.5756
2500+
￥0.5534
5000+
￥0.54

有货

立即购买

型号：AP7331-SNG-7 编号：C154724

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用，例如电池供电设备。典型静态电流约为65μA。内置限流和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。提供SOT25和DFN2020-6封装。

数据手册

5+
￥0.9167
50+
￥0.7383
150+
￥0.6491
500+
￥0.5822
3000+
￥0.5286

有货

立即购买

型号：DMP2240UW-7 编号：C459548

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：P-Channel MOSFET。低导通电阻：150 mΩ @ VGS =-4.5V。200 mΩ @ VGS =-2.5V。240 mΩ @ VGS =-1.8V。极低的栅极阈值电压 VGS(th) ≤ 1V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.923
50+
￥0.744
150+
￥0.6544
500+
￥0.5873
3000+
￥0.5336

有货

立即购买

型号：SMBJ6.5CA-13-F 编号：C129586

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9435
50+
￥0.7334
150+
￥0.6433
500+
￥0.531
3000+
￥0.481

有货

立即购买

型号：B290-13-F 编号：C134446

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达60A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：引脚处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9669
50+
￥0.7941
150+
￥0.7078
500+
￥0.643
3000+
￥0.5814

有货

立即购买

型号：DMP3085LSS-13 编号：C780841

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9872
50+
￥0.8072
150+
￥0.7172
500+
￥0.6497
2500+
￥0.5844

有货

立即购买

型号：SMAZ9V1-13-F 编号：C575532

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9911
50+
￥0.8231
150+
￥0.7391
500+
￥0.6761

有货

立即购买

型号：FMMT591ATA 编号：C460079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

5+
￥0.9967
50+
￥0.7875
150+
￥0.6979
500+
￥0.586
3000+
￥0.5362

有货

立即购买

型号：FMMT495TC 编号：C5157727

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.0031
50+
￥0.8105
150+
￥0.7143
500+
￥0.6421
2500+
￥0.5843
5000+
￥0.5554

有货

立即购买

型号：RS3AB-13-F 编号：C460929

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动组装。塑料材料：UL阻燃等级为94V-0

数据手册

1+
￥1.004 ￥2.51
10+
￥0.678 ￥2.26
30+
￥0.43 ￥2.15
100+
￥0.404 ￥2.02
500+
￥0.392 ￥1.96
1000+
￥0.384 ￥1.92

有货

立即购买

型号：TB3100M-13-F 编号：C110529

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：50A峰值脉冲电流（10/1000μs）。 250A峰值脉冲电流（8/20μs）。 58-320V关态电压。氧化物-玻璃钝化结。单器件双向保护。高关态阻抗和低导通态电压。帮助设备符合GR-1089-CORE、IEC 61000-4-5、FCC Part 68、ITU-T K.20/K.21和UL497B标准。 UL列于认可组件索引中，文件编号156346。无铅表面处理/符合RoHS标准。绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

1+
￥1.0208 ￥2.32
10+
￥0.8976 ￥2.04
30+
￥0.8492 ￥1.93
100+
￥0.7832 ￥1.78

有货

立即购买

型号：PDS340-13 编号：C332294

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。低正向压降。低反向漏电流。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高正向浪涌电流能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥1.0962
50+
￥0.8838
150+
￥0.7927
500+
￥0.6791
2500+
￥0.6285

有货

立即购买

型号：74LVC1G125FZ4-7 编号：C842579

封装：X2-DFN1410-6

品牌：DIODES(美台)

是一款具有三态输出的单路非反相缓冲器/总线驱动器。当高电平施加到输出使能 (OE) 引脚时，输出进入高阻抗状态。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围。输入可承受 5.5V，允许该器件在混合电压环境中使用。该器件针对使用 Ioff 的部分掉电应用进行了全面规格设计。Ioff 电路可在器件掉电时禁用输出，防止损坏性电流回流。

数据手册

5+
￥1.1018
50+
￥0.87
150+
￥0.7706
500+
￥0.6466
2500+
￥0.5914
5000+
￥0.5583

有货

立即购买

型号：DMN31D5UFZ-7B 编号：C155265

封装：X2-DFN0606-3

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.1165
50+
￥0.8884
150+
￥0.7907
500+
￥0.6688
2500+
￥0.6145
5000+
￥0.5819

有货

立即购买

型号：APX803S-23SA-7 编号：C2067713

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX803S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与5.0V、3.3V、3.0V和2.5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，实现了出色的电路可靠性和低成本。这些电路执行单一功能：在上电时以及每当VCC电源电压降至预设阈值以下时，它们会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后的一段固定时间内保持该信号

数据手册