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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了 AEC-Q101 认证,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:DC-DC 转换器。
数据手册
  • 1+

    ¥5.88
  • 10+

    ¥5.01
  • 30+

    ¥4.53
  • 100+

    ¥3.99
  • 500+

    ¥3.75
  • 1000+

    ¥3.64
  • 有货
  • 特性:NPN晶体管:BVCEO > 100V。IC = 2A,高连续电流。低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 1A。 PNP晶体管:BVCEO > -100V。IC = -2A,高连续电流。低饱和电压:VCE(sat) < -300mV @ -1A。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,高可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥4.698 ¥5.22
    • 30+

      ¥3.712 ¥4.64
    • 100+

      ¥3.248 ¥4.06
    • 500+

      ¥2.968 ¥3.71
    • 1000+

      ¥2.824 ¥3.53
  • 有货
  • AP64501 是一款 5A 同步降压转换器,具有宽输入电压范围(3.8V 至 40V),集成高侧和低侧 MOSFET,提供高效降压 DC-DC 转换。该器件采用峰值电流模式控制,减少外部组件数量,优化 EMI 性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.44625
    • 4000+

      ¥6.19758
    是一款符合PCI Express 3.0和以太网要求的扩频时钟发生器。可用于PC或嵌入式系统,以大幅降低电磁干扰(EMI)。提供两个差分(HCSL)或LVDS扩频输出。配置为选择扩频和时钟。采用锁相环(PLL)技术,接收25MHz晶体输入,并在25MHz、100MHz、125MHz和200MHz时钟频率下产生两对差分输出(HCSL)。提供-0.5%、-0.75%和无扩频选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
    • 10+

      ¥7.9
    • 30+

      ¥7.11
    • 100+

      ¥6.21
    • 500+

      ¥5.81
    • 1000+

      ¥5.63
  • 有货
  • PCIe 3.0兼容的高速、低噪声差分时钟缓冲器,设计用作PCIe 3.0时钟发生器的配套产品。它向后兼容PCIe 1.0和2.0规范。该设备将来自PCIe 3.0时钟发生器的差分SRC时钟分配到四对差分时钟输出,可选择是否使用PLL。时钟输出由SRC_STOP#、PWRDWN#和SMBus、SCLK和SDA的输入选择控制。当SRC_STOP#或PWRDWN#输入为低电平时,输出时钟为三态。当PWRDWN#为低电平时,SDA和SCLK输入必须为三态。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.63
    • 10+

      ¥7.9
    • 30+

      ¥6.95
    • 100+

      ¥5.88
    • 500+

      ¥5.4
    • 1000+

      ¥5.19
  • 有货
  • 特性:400mW功率耗散(FR-4 PCB)。 VZ容差极小。 非常适合自动化装配工艺。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2236 ¥0.344
    • 100+

      ¥0.178945 ¥0.2753
    • 300+

      ¥0.156585 ¥0.2409
    • 3000+

      ¥0.139815 ¥0.2151
    • 6000+

      ¥0.126425 ¥0.1945
    • 9000+

      ¥0.11973 ¥0.1842
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高反向击穿电压。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2322
    • 200+

      ¥0.1866
    • 600+

      ¥0.1612
    • 3000+

      ¥0.1251
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 350mW功率耗散(FR-4 PCB)。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合JEDEC标准,高可靠性
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2419
    • 200+

      ¥0.1951
    • 600+

      ¥0.1691
    • 3000+

      ¥0.1535
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3217
    • 100+

      ¥0.2675
    • 300+

      ¥0.2403
    • 3000+

      ¥0.22
    • 6000+

      ¥0.2037
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 低电容。 低漏电流。 一个封装中有两个“BAV70”电路。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和无锑“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    • 5+

      ¥0.3819
    • 50+

      ¥0.3383
    • 150+

      ¥0.3164
    • 500+

      ¥0.3001
    • 2500+

      ¥0.287
    • 5000+

      ¥0.2805
  • 有货
  • 这款新一代瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合,使其非常适用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3922
    • 100+

      ¥0.3082
    • 300+

      ¥0.2662
    • 1000+

      ¥0.2347
    • 5000+

      ¥0.2095
    • 10000+

      ¥0.1969
  • 有货
  • 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 造成的损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合,使其非常适合用于手机、数码相机和 MP3 播放器等便携式应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.40228 ¥0.452
    • 100+

      ¥0.290246 ¥0.3674
    • 300+

      ¥0.22425 ¥0.325
    • 1000+

      ¥0.202377 ¥0.2933
    • 5000+

      ¥0.184851 ¥0.2679
    • 10000+

      ¥0.176088 ¥0.2552
  • 有货
  • 特性:提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 2通道双向ESD保护。 低通道输入电容。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4472
    • 100+

      ¥0.3514
    • 300+

      ¥0.3035
    • 3000+

      ¥0.2676
    • 6000+

      ¥0.2389
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗,高效率。 适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子在 +260℃ 下持续 10 秒。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:极性保护二极管。 续流二极管
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4514
    • 100+

      ¥0.3727
    • 300+

      ¥0.3334
    • 1000+

      ¥0.3039
    • 5000+

      ¥0.2695
  • 有货
  • 特性:500mW功率耗散,在FR-4 PCB上,TL = +75℃。 指定在低测试电流(50μA)下,适用于低偏置和便携式电池供电应用。 适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在IATF 16949认证工厂生产
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4518
    • 100+

      ¥0.3651
    • 300+

      ¥0.3218
    • 3000+

      ¥0.2737
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:通用接口、开关电源管理功能、模拟开关。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.454088 ¥0.7324
    • 50+

      ¥0.335868 ¥0.6459
    • 150+

      ¥0.255738 ¥0.6089
    • 500+

      ¥0.236292 ¥0.5626
    • 3000+

      ¥0.22764 ¥0.542
    • 6000+

      ¥0.222474 ¥0.5297
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    • 10+

      ¥0.4637
    • 100+

      ¥0.3709
    • 300+

      ¥0.3245
    • 1000+

      ¥0.2897
    • 5000+

      ¥0.2619
    • 10000+

      ¥0.248
  • 有货
  • 这款新一代TVS旨在保护敏感电子设备免受ESD损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合,使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4891
    • 100+

      ¥0.3979
    • 300+

      ¥0.3524
    • 1000+

      ¥0.3182
    • 5000+

      ¥0.2909
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5137
    • 50+

      ¥0.4129
    • 150+

      ¥0.3625
    • 500+

      ¥0.3247
    • 3000+

      ¥0.2945
  • 有货
  • 是一款采用薄型 D-FLAT 封装的整流器,具有快速恢复时间,效率高,适用于一般应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.520182 ¥0.9126
    • 50+

      ¥0.378256 ¥0.8048
    • 150+

      ¥0.280719 ¥0.7587
    • 500+

      ¥0.25937 ¥0.701
    • 2500+

      ¥0.249898 ¥0.6754
    • 5000+

      ¥0.2442 ¥0.66
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5494
    • 50+

      ¥0.4385
    • 150+

      ¥0.383
    • 500+

      ¥0.3414
    • 2500+

      ¥0.3082
    • 5000+

      ¥0.2915
  • 有货
  • 双 NPN 预偏压式
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5536
    • 50+

      ¥0.4408
    • 150+

      ¥0.3845
    • 500+

      ¥0.3422
    • 3000+

      ¥0.3084
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构,高可靠性。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5734
    • 100+

      ¥0.4482
    • 300+

      ¥0.3857
    • 3000+

      ¥0.3387
  • 有货
  • 这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5768
    • 50+

      ¥0.4738
    • 150+

      ¥0.4222
    • 500+

      ¥0.3836
    • 3000+

      ¥0.3429
    • 6000+

      ¥0.3275
  • 有货
  • 特性:低正向电压降。 低反向泄漏。 出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 +150℃工作结温。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5807
    • 50+

      ¥0.4645
    • 150+

      ¥0.4064
    • 500+

      ¥0.3629
    • 3000+

      ¥0.328
  • 有货
  • 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5985
    • 50+

      ¥0.4928
    • 150+

      ¥0.44
    • 500+

      ¥0.4004
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6142
    • 50+

      ¥0.4913
    • 150+

      ¥0.4298
    • 500+

      ¥0.3837
    • 3000+

      ¥0.3469
    • 6000+

      ¥0.3284
  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6694
    • 50+

      ¥0.5319
    • 150+

      ¥0.4631
    • 500+

      ¥0.4115
    • 2500+

      ¥0.3703
  • 有货
  • 74LVC2G32 是一款双路二输入或门。两个门电路均采用推挽输出,设计工作电源范围为 1.65V 至 5V。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.67
    • 50+

      ¥0.581
    • 150+

      ¥0.5429
    • 500+

      ¥0.4954
    • 2500+

      ¥0.4615
  • 有货
  • 74AHC1G86 是一款单路 2 输入正异或门,具有标准推挽输出。该器件设计用于 2.0V 至 5V 的电源电压范围。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6809
    • 50+

      ¥0.5711
    • 150+

      ¥0.5162
    • 500+

      ¥0.475
    • 3000+

      ¥0.442
  • 有货
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