DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SBR12U100P5Q-13 编号：C672238

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

这种超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

1+
￥4.8
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￥3.98
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￥3.56
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￥3.16
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￥2.91
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￥2.78

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型号：SBRT20U60SP5-7 编号：C156299

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑高效散热的 POWERDI5 封装，提供超低正向压降 (VF)，并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

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￥5.14
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￥4.09
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￥3.05
500+
￥2.74
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￥2.58

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型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

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￥5.15
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￥4.18
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￥3.7
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￥3.22
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￥2.9
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￥2.75

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型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

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￥5.2
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￥3.35
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￥2.67

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型号：DMHC4035LSD-13 编号：C412517

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这新一代互补MOSFET H桥具有在低栅极驱动下实现低导通电阻的特点。

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￥5.56
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￥4.52
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￥3.49
500+
￥3.18
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￥3.02

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型号：ZXMP3A16GTA 编号：C260929

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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￥5.8
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￥4.77
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￥4.26
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￥3.75
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型号：1N4148W-13-F 编号：C112342

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：1mA 时最大 0.715V。快速反向恢复：最大 4ns。低电容：最大 2pF。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。适合需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在 IATF 16949 认证的工厂生产

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20+
￥0.182
200+
￥0.1469
600+
￥0.1274
2000+
￥0.1157

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型号：MMBT2907A-7-F 编号：C106923

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。具备PPAP能力

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20+
￥0.1915
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￥0.1538
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￥0.1328
3000+
￥0.1096

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型号：BZT52C5V6-7-F 编号：C397930

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2043
200+
￥0.1619
600+
￥0.1383
3000+
￥0.1242

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型号：BAV116W-7-F 编号：C250440

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。极低的泄漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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20+
￥0.2235
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￥0.1776
600+
￥0.1521
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￥0.1218

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型号：MMBT3904Q-7-F 编号：C705324

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这种双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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20+
￥0.2313
200+
￥0.1854
600+
￥0.1599
3000+
￥0.1446

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型号：BC807-40-7-F 编号：C516610

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面芯片结构。有互补NPN类型（BC817）。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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20+
￥0.2496
200+
￥0.1981
600+
￥0.1694
3000+
￥0.1522

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型号：BZT52C5V1T-7 编号：C151562

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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20+
￥0.2519
200+
￥0.1991
600+
￥0.1697
3000+
￥0.1495

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型号：BAT43W-7-F 编号：C134398

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关时间。表面贴装封装，非常适合自动插入。提供无铅/符合RoHS标准的版本

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20+
￥0.2579
200+
￥0.2065
600+
￥0.1779
3000+
￥0.1608
9000+
￥0.1459

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型号：BZT52C2V4-7-F 编号：C260944

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2593
200+
￥0.2077
600+
￥0.1791
3000+
￥0.1619

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型号：DESD3V3S1BL-7B 编号：C500765

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：低轮廓封装（最大0.53mm）和超小PCB占位面积（最大1.08 * 0.68mm），适用于紧凑型便携式电子产品。提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电±30kV，接触放电±25kV。 1通道ESD保护。低通道输入电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子产品

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20+
￥0.2628
200+
￥0.2104
600+
￥0.1813
2000+
￥0.1638

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型号：MBR0580S1-7 编号：C177047

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这款MBR0580S1是采用SOD123封装的单整流器。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。典型应用包括AC - DC和DC - DC转换器、电池反接保护、多电源电压“O形环”以及其他对性能和尺寸要求较高的应用

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10+
￥0.3129
100+
￥0.2505
300+
￥0.2193
3000+
￥0.1959
6000+
￥0.1772

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型号：MMBT2222AT-7-F 编号：C151009

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流IC = 600mA。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅,完全符合RoHS标准。无卤素和锑。绿色器件。符合AEC Q101标准,可靠性高

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10+
￥0.3308
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￥0.2663
300+
￥0.234
3000+
￥0.2071

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型号：74LVC1G14SE-7 编号：C130459

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。

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10+
￥0.3349
100+
￥0.2667
300+
￥0.2326
3000+
￥0.2071

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型号：BZX84B5V1-7-F 编号：C460811

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

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10+
￥0.3398
100+
￥0.2856
300+
￥0.2584
3000+
￥0.2381

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型号：D5V0L2B3SO-7 编号：C445541

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 2通道双向ESD保护。低通道输入电容。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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10+
￥0.3906
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￥0.307
300+
￥0.2651
3000+
￥0.2338
6000+
￥0.2087

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型号：AZ23C5V1-7-F 编号：C150449

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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10+
￥0.4114
100+
￥0.3296
300+
￥0.2888
3000+
￥0.2581

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型号：DDZ3V6ASF-7 编号：C560270

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.4188
100+
￥0.3331
300+
￥0.2903
3000+
￥0.2457

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型号：DMMT3904W-7-F 编号：C155305

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA高集电极电流。一对本质匹配的NPN晶体管。电流增益（HFE）匹配度为2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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10+
￥0.419
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￥0.3375
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￥0.2967
3000+
￥0.2661

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型号：DMG2301L-7 编号：C102619

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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10+
￥0.4458
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￥0.363
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￥0.3216
3000+
￥0.2906
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￥0.2657

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型号：74LVC2G125RA3-7 编号：C842614

封装：X2-DFN1210-8

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G125是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

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￥0.479061 ￥0.4839
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￥0.381187 ￥0.4283
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￥0.316316 ￥0.4004
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￥0.299884 ￥0.3796
2500+
￥0.286691 ￥0.3629
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￥0.280055 ￥0.3545

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型号：RS1J-13-F 编号：C155316

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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￥0.5022
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￥0.4018
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￥0.3515
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￥0.3139
2500+
￥0.2837

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型号：TL431ASA-7 编号：C145101

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

TL431和TL432是三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性和高达100 mA的输出电流处理能力。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为2.5至36 V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，这些器件可作为齐纳二极管的替代品。TL431的电气规格与行业标准“431”相同，有两个等级可供选择，A 级和 B 级的初始公差分别为1%和0.5%。

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