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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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特性:600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
数据手册
  • 5+

    ¥1.2283
  • 50+

    ¥0.9739
  • 150+

    ¥0.8649
  • 500+

    ¥0.7289
  • 3000+

    ¥0.6683
  • 有货
  • 特性:高电流能力 (IF = 500mA)。 低VF。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力。应用:DC-DC转换器。 移动电信
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2761
    • 50+

      ¥1.0014
    • 150+

      ¥0.8837
    • 500+

      ¥0.7368
    • 3000+

      ¥0.6714
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层,符合RoHS标准。 采用绿色模塑料(无卤素和锑)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2969
    • 50+

      ¥1.0148
    • 150+

      ¥0.8938
    • 500+

      ¥0.743
    • 2500+

      ¥0.6758
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 快速恢复时间,效率高。 浪涌过载额定值达30A峰值。 适合自动化组装。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3362
    • 50+

      ¥1.0996
    • 150+

      ¥0.9983
    • 500+

      ¥0.8718
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3503
    • 50+

      ¥1.1084
    • 150+

      ¥1.0047
    • 500+

      ¥0.8753
  • 有货
  • D5V0P4URL6SO是一款高性能器件,适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用SOT26封装,具备高ESD浪涌能力和低电容特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3729
    • 50+

      ¥1.0824
    • 150+

      ¥0.9578
    • 500+

      ¥0.8025
    • 3000+

      ¥0.7333
  • 有货
  • 该肖特基势垒阵列设计用于多种配置,具有低泄漏性能。这通过仅需一个组件降低了组件放置成本。设计满足 AEC-Q101 要求。配置非常适合用作:极性保护二极管。两条数据线的轨到轨数据线保护。多路复用电路。高效、低电流桥式整流电路。续流二极管。开关二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.419
    • 50+

      ¥1.1483
    • 150+

      ¥1.0322
    • 500+

      ¥0.8875
    • 3000+

      ¥0.823
  • 有货
  • 采用紧凑高效的 PowerDI5 封装,提供极低的正向电压和出色的高温反向泄漏稳定性。非常适合用作整流二极管、续流二极管或阻断二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4218
    • 50+

      ¥1.3025
    • 150+

      ¥1.2514
    • 500+

      ¥1.1876
    • 2500+

      ¥1.1592
    • 5000+

      ¥1.1421
  • 有货
  • APX823/APX824/APX825A系列监控器提供电路初始化和时序监控功能,主要用于基于DSP和处理器的系统。上电期间,当电源电压VCC高于1.1V时,RESET信号有效。此后,电源电压监控器会监测VCC,只要VCC保持在阈值电压VTH以下,就会使RESET信号保持有效
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4248 ¥2.74
    • 50+

      ¥1.144 ¥2.2
    • 150+

      ¥1.0244 ¥1.97
    • 500+

      ¥0.8736 ¥1.68
    • 2500+

      ¥0.7696 ¥1.48
    • 5000+

      ¥0.728 ¥1.4
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4449
    • 50+

      ¥1.1491
    • 150+

      ¥1.0223
    • 500+

      ¥0.8641
    • 3000+

      ¥0.7585
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.463 ¥2.09
    • 10+

      ¥1.11 ¥1.85
    • 30+

      ¥0.87 ¥1.74
    • 100+

      ¥0.805 ¥1.61
    • 500+

      ¥0.775 ¥1.55
    • 1000+

      ¥0.76 ¥1.52
  • 有货
  • 背光驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4671
    • 50+

      ¥1.1647
    • 150+

      ¥1.0351
    • 500+

      ¥0.8734
  • 有货
  • 先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.484 ¥2.12
    • 10+

      ¥1.309 ¥1.87
    • 30+

      ¥1.232 ¥1.76
    • 100+

      ¥1.141 ¥1.63
    • 500+

      ¥1.099 ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.078 ¥1.54
  • 有货
  • 这种紧凑的SOD323封装肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合,包括大电流工作、极低的泄漏电流和低正向电压,确保适用于需要在较高温度(高于 +85°C)下高效运行的应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5686
    • 50+

      ¥1.2693
    • 150+

      ¥1.141
    • 500+

      ¥0.981
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降,高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下,文件编号E525394。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6493
    • 50+

      ¥1.2627
    • 150+

      ¥1.1236
    • 500+

      ¥0.9501
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 快速恢复时间,实现高效率。 低正向压降和高电流能力。 浪涌过载额定值达100A峰值。 非常适合自动组装。 塑料材料:UL阻燃等级为94V-0
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6619
    • 50+

      ¥1.33
    • 150+

      ¥1.1878
    • 500+

      ¥1.0103
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7634
    • 50+

      ¥1.4492
    • 150+

      ¥1.3145
    • 500+

      ¥1.1464
  • 有货
  • 这款MOSFET的设计旨在尽量降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8093
    • 50+

      ¥1.6441
    • 150+

      ¥1.5733
    • 500+

      ¥1.485
    • 3000+

      ¥1.4457
  • 有货
  • 特性:P沟道MOSFET。 极低导通电阻。 极低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9324
    • 50+

      ¥1.6263
    • 150+

      ¥1.4951
    • 500+

      ¥1.3315
  • 有货
  • AP3041 是一种电流模式高压低端通道MOSFET控制器,适用于升压调节器。它包含了实现单端初级拓扑DC/DC转换器所需的所有功能。AP3041的输入电压范围为5V至27V。其工作频率可在100kHz至1MHz之间调整。AP3041具有欠压锁定(UVLO)电路。它使用两个外部电阻来设置UVLO电压。AP3041还具有过输出电压保护功能以限制输出电压。可以通过外部电阻设置OVP电压。如果输出电压高于OVP高阈值点,则会禁用驱动器并使系统锁存。该系统还可以应用输出短路保护以及LED低端对地短路检测功能。AP3041还具有其他保护功能,如LED短路保护、LED高端对地短路保护、二极管短路保护、过流保护、过温保护等。AP3041采用SOIC-16封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.96
    • 10+

      ¥1.7
    • 30+

      ¥1.58
    • 100+

      ¥1.44
    • 500+

      ¥1.38
    • 1000+

      ¥1.34
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。 低饱和电压,VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。应用:MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥2.02
    • 10+

      ¥1.44
    • 30+

      ¥1.15
    • 100+

      ¥0.87
    • 500+

      ¥0.69
    • 1000+

      ¥0.6
  • 有货
  • 4 引脚 FL 系列缝封装置包含一个超小型 AT 切割晶体谐振器,封装在标准 3.2×2.5mm 陶瓷封装中。这些紧凑型晶体非常适合在高密度或小尺寸 PCB 应用中进行表面贴装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0532
    • 50+

      ¥1.5915
    • 150+

      ¥1.3937
    • 500+

      ¥1.1468
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-100V。 IC =-1A,高连续集电极电流。 ICM =-2.5A,峰值脉冲电流。 低饱和电压VCE(sat) <-330mV @-1A。 RCE(sat) = 210mΩ,低等效导通电阻。 625mW功率耗散。应用:高端驱动器。 负载断开开关
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0594
    • 50+

      ¥1.6445
    • 150+

      ¥1.4667
    • 500+

      ¥1.2448
  • 有货
  • 这款第三代横向MOSFET(LD - MOS)经过精心设计,能够将导通损耗降至最低,并实现超快速开关,非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装(CSP),通过将低热阻与单位占位面积内极低的RDS(ON)相结合,提高了功率密度。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.124 ¥2.95
    • 10+

      ¥1.9152 ¥2.66
    • 30+

      ¥1.8216 ¥2.53
    • 100+

      ¥1.7064 ¥2.37
    • 500+

      ¥1.4976 ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.4616 ¥2.03
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.176
    • 50+

      ¥1.7452
    • 150+

      ¥1.5605
    • 500+

      ¥1.3301
  • 有货
  • 是一款具有逻辑电平输入的自保护低端智能场效应晶体管(IntelliFET MOSFET)。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和静电放电(ESD)保护的逻辑电平功能。ZXMS6004FFQ非常适合作为由3驱动的通用开关
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1857
    • 50+

      ¥1.7523
    • 150+

      ¥1.5665
    • 500+

      ¥1.2488
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作:极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2005
    • 50+

      ¥1.7562
    • 150+

      ¥1.5658
    • 500+

      ¥1.3282
  • 有货
  • 这款采用SOD323封装的紧凑型肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合,包括大电流工作、极低漏电流和低正向电压,确保其适用于需要在较高温度(高于+85°C)下高效运行的应用。该器件已通过AEC - Q101认证,并提供生产件批准程序(PPAP)文件支持。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2389
    • 50+

      ¥1.7965
    • 150+

      ¥1.6069
    • 500+

      ¥1.3703
  • 有货
  • DIODES™ PI4MSD5V9548A 是一款通过 I2C 总线控制的八通道双向转换开关。SCL/SDA 上游线对可扩展为八个下游线对或通道
    数据手册
    • 1+

      ¥2.36
    • 10+

      ¥1.91
    • 30+

      ¥1.66
    • 100+

      ¥1.38
    • 500+

      ¥1.26
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • VBR=77.8V VC=113V IPP=13.3A 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4086
    • 50+

      ¥1.9399
    • 150+

      ¥1.739
    • 500+

      ¥1.4884
  • 有货
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