DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。连续集电极电流 IC =-3A。在-1A 时，VCE(sat) <-85mV。典型 RCE(sat) = 55mΩ。功率耗散 PD = 1.25W。应用：- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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型号：AP63201WU-7 编号：C2071044

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V，并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET，以提供高效的降压式DC/DC转换。由于采用峰值电流模式控制以及集成补偿网络，AP63200/AP63201/AP63203/AP63205器件通过减少外部元件数量，使用起来十分便捷。

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型号：AP7312-1833W6-7 编号：C195066

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

是150mA、双固定输出电压、低压差线性稳压器。包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路，可在故障条件下保护IC免受损坏。有两个使能引脚（EN1和EN2），在施加逻辑高电平时可独立开启相应通道。低压差电压和低静态电流特性使其适用于低功耗应用。典型静态电流约为60μA。提供1.2V/1.8V、1.2V/3.3V、1.5V/2.5V、1.5V/3.3V、1.8V/2.8V、1.8V/3.0V、1.8V/3.3V和3.3V/3.3V等固定输出选项。采用SOT26和DFN2018-6封装。

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型号：ZXSC380FHTA 编号：C780917

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

适用于需要从非常低的输入电压进行升压转换的应用，这些应用主要使用1.5V或1.2V电池供电。该芯片产生恒定电流脉冲，非常适合在很宽的工作电压范围内驱动单个或多个LED。它提供了易于使用、低成本、节省空间且易于布局的解决方案。采用PFM控制技术来驱动具有低饱和电阻的内部开关晶体管，即使输入电压低至1V也能确保高效率。

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型号：DMP6023LSS-13 编号：C154911

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

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型号：FZT753TA 编号：C85794

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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型号：AP7362-33SP-13 编号：C780775

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款1.5A可调输出电压的超低压差线性稳压器。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。集成的使能模块允许通过逻辑信号开启和关闭该器件。EN 上的逻辑高电平开启器件，逻辑低电平关闭器件。低压差特性和对负载阶跃变化的快速瞬态响应使其适用于低压微处理器应用。典型静态电流约为0.5mA，随负载电流变化很小。内置的电流限制和热关断功能可防止在故障条件下损坏 IC。该器件提供 U-DFN2030-8 和 SO-8EP 封装。

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型号：ZXGD3006E6TA 编号：C526792

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流，以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流

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型号：MBRB20100CT 编号：C111592

封装：TO-263-2

品牌：DIODES(美台)

此肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。

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型号：ZTX705 编号：C507845

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：120V VCEO。1A 连续电流。当 Ic = 1A 时，增益为 3K。Ptot = 1W。应用：灯、螺线管和继电器驱动器

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型号：DMT6016LPS-13 编号：C460055

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：BS250P 编号：C151450

封装：TO-92L-3

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-45V,-230mA,14Ω@-10V

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型号：DMP3010LK3-13 编号：C154730

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-30V,-17A,8mΩ@-10V

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型号：AP63357DV-7 编号：C2158014

封装：VDFN3020-13

品牌：DIODES(美台)

AP63356/AP63357 是一款 3.5A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 3.8V 至 32V。该器件完全集成了一个 74mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 40mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63356/AP63357 器件最大程度减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

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型号：ZXTN25100DFHTA 编号：C461151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。集电极电流 IC = 2.5A。低饱和电压 VCE(sat) < 95mV @ 1A。互补PNP快速ZXTP25100DFH。外延平面管芯结构。高增益。应用：DC-DC转换器。 DC风扇

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型号：PDS1040CTL-13 编号：C780876

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

是一款采用POWERDI5封装的双芯片肖特基势垒整流器，适用于低电压、高频逆变器、ORing和极性保护应用。

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型号：AL8862QSP-13 编号：C510554

封装：SOIC-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款降压型 DC/DC 转换器，用于驱动 LED 并提供恒定电流。工作输入电源电压范围为 5V 至 55V，可提供高达 1A 的外部可调输出电流。LED 串联可提供相同的 LED 电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻。开关频率高达 1MHz，允许使用更小尺寸的外部组件，从而减小 PCB 尺寸

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型号：AL9910-5S-13 编号：C264082

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

为离线高亮度 LED 灯提供了一种高效的解决方案，适用于从 85Vac 到 277VAc 的整流线电压。以高达 300kHz 的开关频率驱动外部 MOSFET，开关频率由单个电阻决定。通过 LED 创建恒定电流，提供恒定的光输出。输出电流由一个外部电阻编程，并最终由所选的外部 MOSFET 决定，因此可以驱动许多低电流 LED 以及一些高电流 LED

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型号：PI4ULS5V202UEX 编号：C481697

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

PI4ULS5V202是一款2位可配置双电源双向自动感应电平转换器，无需方向控制引脚。A端口和B端口分别用于跟踪VCCA和VCCB这两个不同的电源轨。VCCA和VCCB电源轨均可在1.2V至5.5V范围内进行配置

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型号：PAM8907SB10-7 编号：C5246119

封装：U-QFN2020-10

品牌：DIODES(美台)

PAM8907是一款内置升压转换器的压电喇叭驱动器，能够驱动陶瓷/压电发声器，输出电压最高可达31VPP。集成升压转换器后，PAM8907可提供优化解决方案，实现更高的声压级（SPL）以输出更大音量，降低静态电流以延长待机时间，并具备自动开启/关闭功能以延长工作寿命。PAM8907为电池供电的追踪器、压电喇叭或报警相关应用带来显著优势

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型号：AP63356DV-7 编号：C2157973

封装：VDFN3020-13

品牌：DIODES(美台)

AP63356/AP63357 是一款 3.5A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 3.8V 至 32V。该器件完全集成了一个 74mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 40mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63356/AP63357 器件最大程度减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

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￥4.14
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型号：PDS3100Q-13 编号：C780877

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

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型号：SBR12U100P5Q-13 编号：C672238

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

这种超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

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型号：SBRT20U60SP5-7 编号：C156299

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑高效散热的 POWERDI5 封装，提供超低正向压降 (VF)，并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

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型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

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型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

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型号：ZXMP3A16GTA 编号：C260929

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：1N4148W-13-F 编号：C112342

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：1mA 时最大 0.715V。快速反向恢复：最大 4ns。低电容：最大 2pF。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。适合需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在 IATF 16949 认证的工厂生产

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