东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74VHC245FT 编号：C2676119

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC245FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

数据手册

5+
￥1.2558
50+
￥1.0038
150+
￥0.8958
500+
￥0.7611

有货

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型号：74VHC4051AFT 编号：C146324

封装：TSSOP-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

八通道模拟多路复用器/解复用器，低电压驱动，适用于3 V和5 V系统。

数据手册

5+
￥1.3258
50+
￥1.0329
150+
￥0.9074
500+
￥0.7508

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型号：SSM3K339R,LF 编号：C7320719

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 145 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 160 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 180 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 220 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

5+
￥1.351
50+
￥1.0486
150+
￥0.919
500+
￥0.7573

有货

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型号：SSM3K123TU,LF 编号：C146289

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动。低导通电阻：RDS(on) = 66mΩ（最大值）(VGS = 1.5V)。RDS(on) = 43mΩ（最大值）(VGS = 1.8V)。RDS(on) = 32mΩ（最大值）(VGS = 2.5V)。RDS(on) = 28mΩ（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

5+
￥1.3996
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￥1.2127
150+
￥1.1326
500+
￥1.0326

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型号：TA78L05F(TE12L,F) 编号：C4153784

封装：SOT-89-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合为TTL/CMOS供电。无需外部组件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为150mA（Tj = 25℃）。采用PW-mini（SOT-89）封装

5+
￥1.5386
50+
￥1.2261
150+
￥1.0922
1000+
￥0.9251

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型号：TK5A50D(STA4,X,S) 编号：C2917544

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.3Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值） (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.4-4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

1+
￥1.7408 ￥5.12
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￥1.5878 ￥4.67
50+
￥1.5028 ￥4.42
100+
￥1.411 ￥4.15
500+
￥1.3668 ￥4.02
1000+
￥1.3464 ￥3.96

有货

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型号：74LCX08FT 编号：C4470442

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压四通道 2 输入与门，具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压 (3.3V) VCC 应用而设计，但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。

5+
￥1.7558
50+
￥1.3762
150+
￥1.1683
500+
￥0.9654

有货

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型号：TC7SH126FU,LJ(CT 编号：C150186

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

总线缓冲器，具有三态输出

数据手册

1+
￥1.7755 ￥2.65
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￥1.3338 ￥2.34
30+
￥1.034 ￥2.2
100+
￥0.9541 ￥2.03
500+
￥0.9212 ￥1.96
1000+
￥0.8977 ￥1.91

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型号：74VHC164FT 编号：C5916341

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

8 位移位寄存器（串行输入，并行输出）。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 8 位串行输入并行输出移位寄存器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持了 CMOS 的低功耗。由带时钟输入和优先清除输入的串行输入、并行输出 8 位移位寄存器组成。提供两个串行数据输入（A、B），以便其中一个可用作数据使能。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，可向输入引脚施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于连接 5 至 3V 系统和双电源系统，如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏

5+
￥1.864
50+
￥1.4621
150+
￥1.2899
500+
￥1.075

有货

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型号：SSM6J414TU,LF 编号：C5379821

封装：SOT-363F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 54 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ (最大值) (@VGS = -1.8 V)。 -RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = -2.5 V)。 -RDS(ON) = 22.5 mΩ (最大值) (@VGS = -4.5 V)。应用：电源管理开关

1+
￥1.9
10+
￥1.64
30+
￥1.54
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.3

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型号：TLP293(Y-TPL,E 编号：C194122

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由一个与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（-55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.9399
50+
￥1.5114
150+
￥1.3277
500+
￥1.0986

有货

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型号：TC7WBL3306CFK,L(CT 编号：C2673290

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WBL3305CFK和TC7WBL3306CFK是低电压/低电容CMOS 2位总线开关。该开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟时间进行连接

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￥2.0084
50+
￥1.5548
150+
￥1.3604
500+
￥1.1179
3000+
￥1.0099
6000+
￥0.945

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型号：TK40E06N1,S1X(S 编号：C5360503

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.4 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 60V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥2.15
10+
￥1.86
50+
￥1.74
100+
￥1.59
500+
￥1.52
1000+
￥1.48

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型号：TLP385(GRH-TPL,E 编号：C396052

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP385是一款高隔离型光电耦合器，采用4引脚SO6L封装，由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压（5000 Vrms）。

数据手册

1+
￥2.3218 ￥2.47
10+
￥1.8312 ￥2.18
30+
￥1.517 ￥2.05
100+
￥1.3986 ￥1.89
500+
￥1.3468 ￥1.82
1000+
￥1.3172 ￥1.78

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型号：TLP620(GB,F) 编号：C96252

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP620, -2 和 -1 由一个光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合组成。TLP620-2 在八引脚塑料 DIP 中提供两个隔离通道，而 TLP620-4 在十六引脚塑料 DIP 中提供四个隔离通道。

数据手册

5+
￥2.4808
50+
￥1.9516
200+
￥1.5736
500+
￥1.2907

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型号：TLP293(BL-TPL,E 编号：C3002261

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.03
30+
￥1.79
100+
￥1.49
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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型号：TPC6113,LF(CM 编号：C5370546

封装：VS6-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装，占用空间小。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS =-4.5V)。低泄漏电流：IDSS =-10 μA(最大值)(VDS =-20 V)。增强模式：Vth =-0.5 至-1.2V(VDS =-10 V, ID =-0.2 mA)。应用：锂离子电池应用。电源管理开关应用

数据手册

1+
￥2.64
10+
￥1.99
30+
￥1.67
100+
￥1.35
500+
￥1.15
1000+
￥1.05

有货

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型号：CUHZ30V,H3F 编号：C6493455

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。 VZ的典型电压符合E24系列。应用：电压浪涌保护

1+
￥2.67
10+
￥2.08
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.37

有货

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型号：TLP183(TPL,E 编号：C5331592

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.11
30+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

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型号：TC74VHC4051AF(EK,F 编号：C6916292

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速、低电压驱动的8通道模拟多路复用器/解复用器，使用硅栅CMOS技术。

1+
￥2.78
10+
￥2.45
30+
￥2.29
100+
￥2.13
500+
￥2.03
1000+
￥1.98

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型号：TPN3300ANH,LQ(S 编号：C22456024

封装：TSON-8(3.3x3.3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 4.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥2.78
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.58
500+
￥1.43
1000+
￥1.34

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型号：TLP266J(TPL,E 编号：C2848501

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅组成，与红外 LED 光耦合。采用 SO6 封装，保证爬电距离最小为 5.0mm，电气间隙最小为 5.0mm，绝缘厚度最小为 0.4mm。因此，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥2.9118 ￥12.66
10+
￥2.6818 ￥11.66
30+
￥2.5369 ￥11.03
100+
￥2.3897 ￥10.39
500+
￥2.323 ￥10.1
1000+
￥2.2931 ￥9.97

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型号：TLP184(V4GRTL,SE) 编号：C3003190

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

数据手册

1+
￥3.3098 ￥8.71
10+
￥2.2456 ￥8.02
30+
￥1.3644 ￥7.58
100+
￥1.2852 ￥7.14
500+
￥1.2492 ￥6.94
1000+
￥1.2348 ￥6.86

有货

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型号：TTA004B,Q(S 编号：C5155086

封装：TO-126N

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：VCEO = -160V (min)。与TTC004B互补。小集电极输出电容：Cob = 17 pF (typ.)。高过渡频率：fT = 100 MHz (typ.)。应用：音频放大器

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.88
30+
￥2.56
250+
￥1.88

有货

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型号：TA78L12F(TE12L.F) 编号：C2762681

封装：HSOP-3-1.5mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合用于 TTL/CMOS 电源。无需外部零件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为 150mA（Tj = 25℃）。采用 PW-mini（SOT-89）封装

数据手册

1+
￥3.7
10+
￥2.99
30+
￥2.69
100+
￥2.31
500+
￥1.94

有货

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型号：TLP2745(D4-TP,E 编号：C5125644

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用最大厚度为2.3mm的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA和低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs，有缓冲输出。

数据手册

1+
￥4.1
10+
￥3.28
30+
￥2.87
100+
￥2.46

有货

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型号：TK8A65D(STA4,X,M) 编号：C2929219

封装：ITO-220S-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)

1+
￥4.16
10+
￥3.38
50+
￥2.74
100+
￥2.35
500+
￥2.12

有货

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C99487

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.43
30+
￥2.99
100+
￥2.57
500+
￥2.31
1000+
￥2.18

有货

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型号：TC74AC541FT(EL) 编号：C7421335

封装：TSSOP20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器具有反相、三态输出和同相、三态输出两种类型。采用硅栅和双层金属布线C²MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。反相类型和同相类型可供选择，当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态，所有输入均配备抗静电放电或瞬态过电压保护电路。

1+
￥4.43
10+
￥3.98
30+
￥3.76
100+
￥3.53

有货

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型号：TC74HC165AF(EL,F) 编号：C7121109

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效LSTTL相似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。由带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入启用，8个触发器随每个时钟脉冲进行串行移位。当SHIFT/LOAD输入为低电平时，并行数据在时钟脉冲的正跳变沿异步加载到寄存器中。CK-INH输入仅在CK输入为高电平时应置为高电平。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

1+
￥5.17
10+
￥4.64
30+
￥4.36
100+
￥4.03
500+
￥3.89

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