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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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操作
特性:7 个电路内置。 高电压:VOUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = 300mA/ch(最大值)。 输入电压(输出开启):TBD62502A 系列 14V(最小值),TBD62503A 系列 2.5V(最小值)。 输入电压(输出关闭):TBD62502A 系列 7.0V(最大值),TBD62503A 系列 0.6V(最大值)。 封装:PG 型 DIP16-P-300-2.54A;FG 型 SOP16-P-225-1.27;FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B;FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002
  • 1+

    ¥7.43
  • 10+

    ¥6.04
  • 30+

    ¥5.28
  • 100+

    ¥4.42
  • 500+

    ¥4.04
  • 1000+

    ¥3.86
  • 有货
  • 由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.6
    • 10+

      ¥6.25
    • 30+

      ¥5.51
    • 100+

      ¥4.67
    • 500+

      ¥4.3
    • 1000+

      ¥4.13
  • 有货
  • 适用于功率放大器应用,适用于70W高保真音频放大器的输出级。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.75
    • 10+

      ¥8.17
    • 25+

      ¥6.54
    • 100+

      ¥5.56
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|γfs| = 2.6S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    • 1+

      ¥10.21
    • 10+

      ¥8.48
    • 50+

      ¥7.53
    • 100+

      ¥6.46
    • 500+

      ¥5.98
    • 1000+

      ¥5.77
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35mΩ(典型值)(VGS = -4.5V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -20V)。 增强模式:VDA = -0.5 至 -1.2V (VDS = -10V, ID = -1.0 mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 1+

      ¥11.08
    • 10+

      ¥9.3
    • 30+

      ¥8.19
    • 100+

      ¥7.04
    • 500+

      ¥6.53
    • 1000+

      ¥6.3
  • 有货
    • 1+

      ¥19.59
    • 10+

      ¥16.91
    • 30+

      ¥15.31
    • 100+

      ¥13.7
    • 500+

      ¥12.96
  • 有货
  • TLP3545A和TLP3545AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用6引脚DIP封装。TLP3545A和TLP3545AF的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用
    数据手册
    • 1+

      ¥26.77
    • 10+

      ¥22.74
    • 30+

      ¥20.35
    • 100+

      ¥17.93
    • 500+

      ¥16.81
  • 有货
  • 特性:2.5V驱动,低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω(最大值)(@ VGS = 4V);RDS(ON) = 6.0Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。应用:负载开关应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1807
    • 200+

      ¥0.1388
    • 600+

      ¥0.1155
    • 2000+

      ¥0.1015
    • 8000+

      ¥0.0894
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2126
    • 100+

      ¥0.1851
    • 300+

      ¥0.1713
    • 1000+

      ¥0.161
    • 5000+

      ¥0.1527
    • 10000+

      ¥0.1486
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2425
    • 200+

      ¥0.1911
    • 600+

      ¥0.1625
    • 3000+

      ¥0.1454
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,hFE线性度出色,hFE值高。
    • 5+

      ¥0.3399
    • 50+

      ¥0.2959
    • 150+

      ¥0.2739
    • 500+

      ¥0.2574
    • 2500+

      ¥0.2442
    • 5000+

      ¥0.2376
  • 有货
  • 特性:高电压:VCEO = 120V。出色的hFE线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。高hFE:hFE = 200至700。低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。与2SA1163互补。小封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3658
    • 100+

      ¥0.2865
    • 300+

      ¥0.2469
    • 3000+

      ¥0.2172
    • 6000+

      ¥0.1935
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3844
    • 100+

      ¥0.3076
    • 300+

      ¥0.2692
    • 1000+

      ¥0.2404
    • 5000+

      ¥0.2173
    • 10000+

      ¥0.2058
  • 有货
  • 特性:小封装。 低正向电压:VF(2) = 0.45 V(典型值)。应用:高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4433
    • 100+

      ¥0.3473
    • 300+

      ¥0.2993
    • 3000+

      ¥0.2633
  • 有货
  • 适用于音频频率低功率放大器应用、驱动级放大器应用和开关应用,具有出色的hFE线性度。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4512
    • 50+

      ¥0.346
    • 150+

      ¥0.2935
    • 500+

      ¥0.2541
    • 3000+

      ¥0.205
    • 6000+

      ¥0.1892
  • 有货
  • 磁性传感器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4717
    • 50+

      ¥0.3709
    • 150+

      ¥0.3205
    • 500+

      ¥0.2827
    • 3000+

      ¥0.2524
    • 6000+

      ¥0.2373
  • 有货
  • 特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω(典型值)@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω(典型值)@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω(典型值)@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω(典型值)@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω(典型值)@VGS = -4.5V。应用:模拟开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4962
    • 50+

      ¥0.3954
    • 150+

      ¥0.345
    • 500+

      ¥0.3072
    • 2500+

      ¥0.277
    • 5000+

      ¥0.2493
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小封装(双类型)。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管,以适应不同的电路设计。 与RN2901至RN2906互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5524
    • 50+

      ¥0.4818
    • 150+

      ¥0.4465
    • 500+

      ¥0.42
    • 3000+

      ¥0.3988
    • 6000+

      ¥0.3882
  • 有货
  • 特性:高速:tpH = 7 ns(典型值),VCC = 5V。 低功耗:ICC = 1 μA(最大值),Ta = 25℃。 高抗噪性:VMIN = VNIL = 28% VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2 mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH÷tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5691
    • 50+

      ¥0.4491
    • 150+

      ¥0.3891
    • 500+

      ¥0.3441
  • 有货
  • 2-输入或非门
    • 5+

      ¥0.5698
    • 50+

      ¥0.4958
    • 150+

      ¥0.4588
    • 500+

      ¥0.4311
    • 2500+

      ¥0.4089
  • 有货
  • TC4S584F 是一款在输入端具备施密特触发器功能的单路反相器。也就是说,由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电平电压不同(V_P、V_N),除了普通反相器应用外,TC4S584F 还可广泛应用于多种场景,包括线路接收器、波形整形电路、无稳态多谐振荡器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.653
    • 50+

      ¥0.509
    • 150+

      ¥0.437
    • 500+

      ¥0.3829
  • 有货
  • DF2B5M4SL是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,可防止静电和噪声干扰。DF2B5M4SL利用回滞特性,具有低动态电阻和卓越的保护性能。此外,其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4SL采用超紧凑型封装(0.32 mm×0.62 mm),可满足对占用空间要求较小的应用需求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6594
    • 50+

      ¥0.5222
    • 150+

      ¥0.4536
    • 500+

      ¥0.4022
    • 2500+

      ¥0.361
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNH = VNL = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个低功耗肖特基TTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpH。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6765
    • 50+

      ¥0.5421
    • 150+

      ¥0.4749
    • 500+

      ¥0.4245
  • 有货
  • 2-输入与非门
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7163
    • 50+

      ¥0.5579
    • 150+

      ¥0.4787
    • 500+

      ¥0.4193
    • 3000+

      ¥0.3717
  • 有货
  • 反相器
    • 5+

      ¥0.7467
    • 50+

      ¥0.5835
    • 150+

      ¥0.5019
    • 500+

      ¥0.4407
    • 3000+

      ¥0.3917
  • 有货
  • 3-8 线解码器。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 3-8 解码器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗。当设备启用时,3 个二进制选择输入(A、B 和 C)确定输出 Y0(overline)-Y7(overline) 中哪一个将变为低电平
    数据手册
    • 5+

      ¥0.781488 ¥1.4472
    • 50+

      ¥0.506044 ¥1.1501
    • 150+

      ¥0.347752 ¥1.0228
    • 500+

      ¥0.293726 ¥0.8639
    • 2500+

      ¥0.269688 ¥0.7932
    • 5000+

      ¥0.255272 ¥0.7508
  • 有货
  • TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装,是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110°C)和较高的隔离电压(3750Vrms),因此它适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8421
    • 50+

      ¥0.6597
    • 150+

      ¥0.5685
    • 500+

      ¥0.5001
    • 2500+

      ¥0.4454
    • 5000+

      ¥0.418
  • 有货
  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8749
    • 50+

      ¥0.7021
    • 150+

      ¥0.6157
    • 500+

      ¥0.5509
    • 2000+

      ¥0.4351
    • 4000+

      ¥0.4091
  • 有货
  • 特性:峰值正向电压:VFM = 0.49V(最大值)@IFM = 3A。 平均正向电流:IF(AV) = 3A。 重复峰值反向电压:VRRM = 30V。 小而薄的封装,适用于高密度电路板组装。应用:开关稳压器中的二次整流。 移动设备中的反向电流保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.904
    • 50+

      ¥0.7234
    • 150+

      ¥0.6331
    • 500+

      ¥0.5653
    • 3000+

      ¥0.5111
    • 6000+

      ¥0.484
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V 最大,IC = -1A。 高速开关时间:tSTG = 1.0 μs(典型值)。 小型扁平封装,PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SC2873互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9479
    • 50+

      ¥0.7608
    • 150+

      ¥0.6673
    • 1000+

      ¥0.5207
    • 2000+

      ¥0.4646
  • 有货
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