东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP268J(TPL,E 编号：C71643

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TC74VHC02FK(EL,K) 编号：C24899415

封装：VSSOP14-P-0030-0.50

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的先进高速 CMOS 2 输入或非门。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。内部电路由三级组成，包括缓冲输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

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型号：TK6A80E,S4X 编号：C556305

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器

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型号：TK2P90E,RQ(S 编号：C2960440

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.7Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 720V)。增强模式：VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用：开关稳压器

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型号：TC74VHC541FK(EL,K 编号：C5381654

封装：VSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC540/TC74VHC541是采用硅栅I²CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器。它们在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。TC74VHC540为反相类型，TC74VHC541为同相类型

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型号：TK560A65Y,S4X(S 编号：C5361063

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.43Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VHA = 3至4V（VDS = 10V，ID = 0.24mA）。应用：开关稳压器

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型号：TK750A60F,S4X(S 编号：C396043

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：易于控制栅极开关。低漏源导通电阻：RD(ON) = 0.62Ω（典型值）。增强模式：VHA = 2 至 4V（VDS = 10V，ID = 1mA）。应用：开关电源

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型号：TPN5900CNH,L1Q 编号：C5986860

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 2.6 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 150 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

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型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TBD62003AFNG,EL 编号：C150145

封装：SSOP-16-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，超小体积，ULN2003升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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型号：TLP290-4(TP,E 编号：C5221832

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4光耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于其在 -55至110°C的宽工作温度范围内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP293-4(TP,E 编号：C3002262

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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型号：TK20A60W5,S5VX 编号：C5350395

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：快速反向恢复时间：trr = 110 ns（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.15Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VCu = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器

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型号：TLP124(BV-TPL,F) 编号：C7083

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：最小80 V

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型号：TLP700(TP,F) 编号：C43687210

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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￥9.49
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型号：TLP548J(F) 编号：C5370524

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP548J由一个与红外发射二极管光耦合的光控晶闸管组成，采用六引脚塑料DIP封装。

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￥10.12
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￥8.32
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型号：TLP7830(TP4,E 编号：C2931196

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP7830是一款1位二阶Δ-Σ调制器，基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离功能的高速数据流。

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￥15.43
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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

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￥16.8
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￥12.76
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￥10.44

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型号：TK25A60X,S5X(M 编号：C25715837

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)= 0.105Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。具有较低电容的高速开关特性。增强模式：Vth = 2.5 至 3.5V，VDS = 10V，ID = 1.2mA。应用：开关稳压器

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￥17.11
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￥14.7
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￥13.19
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￥11.64
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￥10.95
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￥10.64

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型号：TMPM037FWUG(KY,JZ) 编号：C1344452

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥19.22
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￥16.54
30+
￥14.95
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￥13.34
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￥12.59

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型号：TLP7820(TP4,E 编号：C2978064

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。

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￥25.24
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￥21.76
30+
￥19.7
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￥15.82
500+
￥14.85

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型号：1SS416,L3M(B 编号：C2943683

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关

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20+
￥0.1865
200+
￥0.1433
600+
￥0.1193
2000+
￥0.1049
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￥0.0924

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型号：1SS181,LF 编号：C2762666

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 2.2pF（典型值）

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20+
￥0.2089
200+
￥0.1603
600+
￥0.1333
3000+
￥0.1171
9000+
￥0.103
21000+
￥0.0955

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型号：SSM3K37MFV,L3F 编号：C146334

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用和模拟开关应用，1.5V驱动，低导通电阻。导通电阻 RDS(ON) 在不同条件下有不同最大值：VGS = 1.5V 时，RDS(ON) 最大为 5.60Ω；VGS = 1.8V 时，RDS(ON) 最大为 4.05Ω；VGS = 2.5V 时，RDS(ON) 最大为 3.02Ω；VGS = 4.5V 时，RDS(ON) 最大为 2.20Ω。

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10+
￥0.21054 ￥0.319
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￥0.17391 ￥0.2635
300+
￥0.155628 ￥0.2358
1000+
￥0.1419 ￥0.215
5000+
￥0.130944 ￥0.1984
8000+
￥0.1254 ￥0.19

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型号：1SS294,LF 编号：C261914

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压高速开关。符合AEC Q101标准。低正向电压Δ:VF(3) = 0.54V（典型值）

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10+
￥0.3154
100+
￥0.2482
300+
￥0.2146
3000+
￥0.1894

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型号：SSM3K44FS,LF 编号：C6423711

封装：SOT-416

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用和模拟开关应用，紧凑的封装适合高密度安装。

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￥0.3353
50+
￥0.2913
150+
￥0.2693
500+
￥0.2528
3000+
￥0.2396
6000+
￥0.233

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型号：DF2B20M4SL,L3F 编号：C1973643

封装：0201

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压（VRWM为18.5V）的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电（ESD）和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路，凭借高静电放电抗扰度（VESD）性能提升系统可靠性。因其低电容特性，非常适合用于近场通信（NFC）等天线应用。此外，其小封装尺寸（0.62mm×0.32mm）适用于高密度贴装。

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5+
￥0.341
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￥0.297
150+
￥0.275
500+
￥0.2585
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