东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC74VHC14FK(EL,K) 编号：C146346

封装：VSSOP-14-0.5mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC14是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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型号：TC74VHC86F(EL,K,F) 编号：C26449373

封装：SOP14-P-300-1.27A

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四异或门。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。内部电路包括一个输出缓冲器，可提供高抗噪性和稳定的输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，0至5.5V的电压可施加到输入引脚。该器件可用于5V至3V系统的接口以及双电源系统，如电池备份。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT574AFT(BE) 编号：C7421311

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型触发器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保 0 至 5.5V 可应用于输入和输出引脚，而无需考虑电源电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池、热插拔等）而导致的设备损坏

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型号：74HC574D(BJ,K) 编号：C435813

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74HC574D是一款高速CMOS八进制触发器，采用硅栅C2MOS技术制造，具备三态输出。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。这些8位D型触发器由时钟输入（CK）和输出使能输入（OE(上划线)）控制

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型号：TC7WU04FU(TE12L,F) 编号：C22413222

封装：SSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成，可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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型号：TC4013BF(EL,N,F) 编号：C2847420

封装：SOP-14-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TC74HC02AF(EL,F) 编号：C5381645

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC02A 是采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 2 输入或非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 类似的高速运行

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型号：TLP184(V4GBTL,SE 编号：C2929221

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP184(SE) 是一款交流输入型光电耦合器，由一个与两个红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP184(SE) 采用非常小巧轻薄的 SO6 封装，具有高抗噪性和高隔离电压。

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型号：TLP187(V4-TPL,E 编号：C2987974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光电耦合器，由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用

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型号：TK110P10PL,RQ(S2 编号：C695267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 9.3 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 32 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 8.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TPH1R403NL,L1Q(M 编号：C2940403

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 10.6 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.7 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

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型号：TPH5900CNH,L1Q(M 编号：C5349389

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 2.6 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 150 V)。增强模式：VTM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TPN1600ANH,L1Q 编号：C7401649

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小尺寸、薄封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 7.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 13 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V，ID = 0.2 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TK10P60W,RVQ(S 编号：C2840188

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.327 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）。应用：开关稳压器

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型号：TBD62783AFWG,EL 编号：C146353

封装：SOIC-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是DMOS晶体管阵列，具有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。

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型号：TPH4R50ANH1,LQ(MW 编号：C31837493

封装：SOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小型薄封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TPH4R50ANH1,LQ 编号：C6718996

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 22 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 79 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TC74VHC14F(EL,K,F) 编号：C5350393

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与TC74VHC04相同，但输入具有迟滞特性，凭借其施密特触发器功能，可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

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型号：TLP2310(TPL,E 编号：C7473281

封装：SOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2310 是一款采用小型 SO6 封装的 5 Mbps 低功耗光电耦合器。在 -40°C 至 125°C 的整个工作温度范围内，TLP2310 的电源电流（I₍DDI₎ / I₍DDH₎）最大仅为 0.3 mA，且能在低至 2.7 V 的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。

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型号：TK3P80E,RQ 编号：C5340741

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。增强模式：VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用：开关稳压器

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型号：TLP2161(TP,F) 编号：C516860

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2161由一个高输出红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片耦合而成。它采用SO8封装。单个SO8封装内集成了两个电路，可减小安装面积

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型号：TLP176GA(TP,F) 编号：C516859

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176GA由一个红外发光二极管和一个光电MOSFET通过光耦合组成，采用SOP封装，适用于表面贴装组装。TLP176GA适用于需要节省空间的调制解调器应用。

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型号：TC74HC541AF(EL,F) 编号：C146313

封装：SOIC-20-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74HC540A/TC74HC541A是采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS八进制总线缓冲器。它们能实现与等效LSTTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。TC74HC540A为反相类型，TC74HC541A为同相类型

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型号：TBD62064AFAG(Z,EHZ) 编号：C5370554

封装：P-SSOP24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。

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型号：TLP748J(D4,F) 编号：C150192

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用六引脚塑料DIP封装。

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型号：TPH1R712MD,L1Q 编号：C141596

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)。低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -20V)。增强模式：VDA = -0.5 至 -1.2V (VDS = -10V, ID = -1.0 mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

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型号：TLP2105(TP,F) 编号：C2880451

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成。它在单个SO8封装中内置了两个电路，可减少安装面积。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。有缓冲输出。

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型号：TMPM374FWUG 编号：C49213561

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：TC358870XBG(NOK) 编号：C3008712

封装：VFBGA-80(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

Ultra HD to DSI桥接器将高分辨率(高于4 Gbps)HDMI流转换为MIPI DSI Tx视频。它是TC358779XBG的后续产品,没有缩放功能。HDMI-RX以297 MHz运行,可承载高达7.2 Gbps的视频流。它需要双链路MIPI DSI Tx(1 Gbps/数据通道)来传输最大7.2 Gbps的视频数据。该桥接芯片是当前和下一代应用处理器通过其HDMI Tx输出端口驱动(双)DSI链路显示器所必需的。

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