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价格(含税)

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：TPH1R403NL,L1Q(M 编号：C2940403

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 10.6 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.7 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥2.96
30+
￥2.58
100+
￥2.2
500+
￥1.76
1000+
￥1.64

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.01
30+
￥2.63
100+
￥2.24
500+
￥2.01
1000+
￥1.9

有货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：TLP291-4(V4GBTPE 编号：C2848503

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围（-55至110°C）内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.12
30+
￥2.75
100+
￥2.21
500+
￥2
1000+
￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:11.5A

型号：TK12A60W,S4VX 编号：C556303

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.265Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 0.6mA。应用：开关稳压器

1+
￥4.199 ￥6.46
10+
￥3.2285 ￥5.87
30+
￥2.4975 ￥5.55
100+
￥2.3355 ￥5.19
500+
￥2.2635 ￥5.03
1000+
￥2.232 ￥4.96

有货

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耐压:600V 电流:9.7A

型号：TK10P60W,RVQ(S 编号：C2840188

封装：DPAK

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.327 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.17
10+
￥4.68
30+
￥4.41
100+
￥3.67
500+
￥3.54
1000+
￥3.47

有货

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N沟道MOS管

型号：TPH4R50ANH1,LQ(MW 编号：C31837493

封装：SOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小型薄封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥5.45
10+
￥4.37
30+
￥3.83
100+
￥3.29
500+
￥2.97
1000+
￥2.81

有货

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TLP5754(D4-TP,E(T

型号：TLP5754(D4-TP,E 编号：C843785

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

数据手册

1+
￥5.47
10+
￥4.35
30+
￥3.8
100+
￥3.24
500+
￥2.91
1500+
￥2.74

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.46
30+
￥4.83
100+
￥4.2
500+
￥3.3
1500+
￥3.11

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:100A

型号：TK100E10N1,S1X 编号：C5986394

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用：开关稳压器

1+
￥7.5
10+
￥6.17
50+
￥5.43
100+
￥4.61
500+
￥4.24
1000+
￥4.07

有货

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4通道高电流DMOS晶体管阵列

型号：TBD62064AFG,EL 编号：C141521

封装：HSOP-16-EP-6.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

数据手册

1+
￥7.51
10+
￥6.32
30+
￥5.67
100+
￥4.94
500+
￥4.61
1500+
￥4.46

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:150A

型号：TPHR6503PL,L1Q 编号：C7125477

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.65
10+
￥6.96
30+
￥6.58
100+
￥6.15
500+
￥5.97
1000+
￥5.88

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:150A

型号：TPH1R204PL1,LQ 编号：C7401598

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 17 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 56 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥8.36
10+
￥6.84
30+
￥6.01
100+
￥5.06
500+
￥4.65
1000+
￥4.46

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压40V

型号：TLP241A(TP1,F 编号：C2152214

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

数据手册

1+
￥8.95
10+
￥7.44
30+
￥6.61
100+
￥5.67
500+
￥4.77
1500+
￥4.58

有货

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4通道高电流灌电流型DMos晶体管阵列

型号：TBD62064AFAG(Z,EHZ) 编号：C5370554

封装：P-SSOP24

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。

数据手册

1+
￥9.34
10+
￥7.84
30+
￥6.9
100+
￥5.93
500+
￥5.49
1000+
￥5.3

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP124(BV-TPL,F) 编号：C7083

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：最小80 V

数据手册

1+
￥9.41
10+
￥8.25
30+
￥7.61
100+
￥6.89
500+
￥6.03
1000+
￥5.89

有货

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TMPM374FWUG

型号：TMPM374FWUG 编号：C49213561

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥13.45
10+
￥11.3
30+
￥9.96
100+
￥8.58
500+
￥7.96
800+
￥7.69

有货

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TRS10A65F,S1Q(S2

型号：TRS10A65F,S1Q(S2 编号：C47147824

封装：TO-220F-2L

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥25.11
10+
￥21.62
50+
￥19.55
100+
￥17.46
500+
￥16.49
1000+
￥16.06

有货

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P沟道耐压:60V 电流:50A

型号：TPCA8123,L1Q 编号：C180399

封装：SOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小型,薄型実装面積小。振抗低：Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。漏電流低：IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。操作简单，增强型，Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)

数据手册

1+
￥30.02
10+
￥25.6
30+
￥22.97
100+
￥20.32
500+
￥18.05
1000+
￥17.49

有货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：TLP191B(U,C,F) 编号：C150137

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

小型扁平耦合器适用于表面贴装组装，由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成，适用于MOS FET栅极驱动。

数据手册

1+
￥38.09
10+
￥32.54
30+
￥29.16
150+
￥26.33

有货

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80V 100mA

型号：1SS387,L3F 编号：C146426

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：紧凑的2引脚封装。适用于高密度安装。低正向电压：VF(3) = 0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：Crr = 0.3pF（典型值）

数据手册

20+
￥0.2427
200+
￥0.1863
600+
￥0.1549
2000+
￥0.136

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：SSM3K44FS,LF 编号：C6423711

封装：SOT-416

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用和模拟开关应用，紧凑的封装适合高密度安装。

5+
￥0.3353
50+
￥0.2913
150+
￥0.2693
500+
￥0.2528
3000+
￥0.2396
6000+
￥0.233

有货

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NPN 电流:20mA 电压:30V

型号：2SC2714-Y(TE85L,F) 编号：C17563125

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小反向传输电容：Cre = 0.7 pF（典型值）。低噪声系数：NF = 2.5 dB（典型值）。应用：高频放大器应用。 FM、RF、MIX、IF放大器应用

10+
￥0.3774
100+
￥0.3006
300+
￥0.2622
3000+
￥0.2334
6000+
￥0.2104

有货

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电压:40V 电流:100mA

型号：1SS396(TE85L,F) 编号：C4153755

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF = 5μA（最大值）

数据手册

5+
￥0.4068
50+
￥0.3548
150+
￥0.3288
500+
￥0.3093
3000+
￥0.2937
6000+
￥0.2858

有货

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1SS294(TE85L,F)

型号：1SS294(TE85L,F) 编号：C4153754

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.4397
50+
￥0.3828
150+
￥0.3544
500+
￥0.333
3000+
￥0.3159
6000+
￥0.3074

有货

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数字输出磁传感器

型号：TCS40DPR,LF 编号：C150116

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：推挽输出。南极和北极检测。重量：11.0mg（典型值）

数据手册

5+
￥0.551
50+
￥0.4358
150+
￥0.3782
500+
￥0.335
3000+
￥0.3004

有货

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80V 100mA

型号：1SS196(TE85L,F) 编号：C7527496

封装：SC-59-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装：SC-59。低正向电压：VF(2) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：trF = 1.6 ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

5+
￥0.5666
50+
￥0.4587
150+
￥0.4047
500+
￥0.3643
3000+
￥0.3319
6000+
￥0.3157

有货

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CMOS数字集成电路，双2输入或非门

型号：TC7WH02FU,LJ(CT 编号：C6880163

封装：MSOP-8-2.8mm(TSSOP-8)

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入或非门。

5+
￥0.8621
50+
￥0.7466
150+
￥0.6971
500+
￥0.6353

有货

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NPN+PNP 50V 100mA

型号：RN4605(TE85L,F) 编号：C7421325

封装：SOT-26

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：包含两个采用SM6封装（6引脚超小型）的器件。内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺，使设备小型化。应用：开关电路。逆变器电路

5+
￥0.8967
50+
￥0.6951
150+
￥0.6087
500+
￥0.5009

有货

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用于高速开关和 DC-DC 转换器应用的硅 PNP 外延型晶体管

型号：2SA2060(TE12L,F 编号：C165924

封装：TO-243AA

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hT 在 200 至 500 之间（IC = -0.3 A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = -0.2V（最大值）。高速开关：tr = 90 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

数据手册

5+
￥0.9574
50+
￥0.8276
150+
￥0.7719
1000+
￥0.7025
2000+
￥0.6716
5000+
￥0.6531

有货

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NPN 电流:2A 电压:50V

型号：2SC2873-Y(TE12L,ZC 编号：C396015

封装：TO-243AA

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE(sat)最大0.5V（IC = 1A）。高速开关时间：tSTG典型值为1.0μs。小型扁平封装，PC = 1.0至2.0W（安装在陶瓷基板上）。与2SA1213互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

数据手册

5+
￥1.0301
50+
￥0.8429
150+
￥0.7494
1000+
￥0.5911
2000+
￥0.5349

有货

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