东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-323

特性：AEC-Q101 合格。高电压：VCEO = 120V。出色的 hFE 线性度：hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值）。高 hFE：hFE = 200 至 700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与 2SA1587 互补。应用：音频通用放大器应用

10+
￥0.2317
100+
￥0.2017
300+
￥0.1867
3000+
￥0.1755
6000+
￥0.1665
9000+
￥0.162

有货

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型号：DF2B7AFS,L3M 编号：C1972965

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B7AFS是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2B7AFS利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，它采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。

数据手册

10+
￥0.2919
100+
￥0.2295
300+
￥0.1983
1000+
￥0.1749
5000+
￥0.1561

有货

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型号：1SS389,L3F 编号：C516855

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用，小封装，正向电压低。

数据手册

10+
￥0.3047
100+
￥0.2385
300+
￥0.2054
1000+
￥0.1805
5000+
￥0.1606
8000+
￥0.1507

有货

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型号：1SS362FV,L3F 编号：C261915

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于超高速开关应用，小封装，正向电流和正向电压特性出色，反向恢复时间快，总电容小。

数据手册

10+
￥0.3047
100+
￥0.2375
300+
￥0.2039
1000+
￥0.1787
5000+
￥0.1585

有货

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型号：2SA1162-Y(TE85L,F) 编号：C5381787

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -50V。高集电极电流：IC = -150mA(最大值)。高hFE：hFE = 70至400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。低噪声：NF = 1dB (典型值)，10dB (最大值)。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

数据手册

10+
￥0.3529
100+
￥0.313
300+
￥0.293
3000+
￥0.2334

有货

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型号：RN2105MFV,L3F(CT 编号：C2929214

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。超小型封装，适合非常高密度的安装。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1101MFV至RN1106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.3704
100+
￥0.2887
300+
￥0.2479
1000+
￥0.2172
5000+
￥0.1927
8000+
￥0.1805

有货

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型号：CMS30I40A(TE12L,QM) 编号：C2762662

封装：M-FLAT

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：VFM = 0.55V (最大值)@IFM = 3.0 A。平均正向电流：IF(AV) = 3.0 A。重复峰值反向电压：VRRM = 40 V。小而薄的封装，适用于高密度电路板组装。应用：开关稳压器中的二次整流。移动设备中的反向电流保护

数据手册

5+
￥0.5879
50+
￥0.5177
150+
￥0.4827
500+
￥0.4563
3000+
￥0.387
6000+
￥0.3765

有货

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型号：1SS315TPH3F 编号：C146374

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：UHF 波段混频器应用

数据手册

5+
￥0.6034
50+
￥0.4786
150+
￥0.4162
500+
￥0.3694
3000+
￥0.3024

有货

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型号：RN1306,LF 编号：C17287336

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2301至RN2306互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889
3000+
￥0.3457

有货

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型号：TC7S08FU,LF 编号：C146362

封装：SSOP-5-1.3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpd = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25℃时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNI_H = VNI_L = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IO_H| = |IO_L| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tp_LH ≡ tp_HL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

数据手册

5+
￥0.6773
50+
￥0.5333
150+
￥0.4613
500+
￥0.4073

有货

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型号：TLP785(TELS-T6,F 编号：C2938722

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP（DIP4）封装，具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

5+
￥0.7092
50+
￥0.5556
150+
￥0.4788
500+
￥0.4212
2000+
￥0.3751
4000+
￥0.352

有货

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型号：TC7WH08FK,LJ(CT 编号：C2880449

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

数据手册

5+
￥0.9163
50+
￥0.7942
150+
￥0.7419
500+
￥0.6766
3000+
￥0.6475

有货

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型号：TC7S32FU,LF 编号：C7121123

封装：SSOP-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpHL = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25°C时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNH = VNL = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IOH| = |IOL| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tpLH ÷ tpHL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

5+
￥0.9427
50+
￥0.7336
150+
￥0.6439
500+
￥0.5321

有货

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型号：74VHC573FT(BJ) 编号：C7421297

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC573FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的、具有三态输出的先进高速 CMOS 八进制锁存器。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。

5+
￥0.9554
50+
￥0.8294
150+
￥0.7754
500+
￥0.708
2500+
￥0.678

有货

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型号：TC7SZ04FE,LJ(CT 编号：C6284098

封装：SOT-553

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Top = -40 至 125℃。高输出电流：±24 mA（最小值），VCC = 3.0 V。超高速运行：tpd = 2.4 ns（典型值），VCC = 5.0 V，CL = 50 pF。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。在 VCC = 3.3 V 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

5+
￥1.1303
50+
￥0.8784
150+
￥0.7705
500+
￥0.6358
2500+
￥0.5758
4000+
￥0.5398

有货

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型号：TC7SET08F,LJ(CT 编号：C5156506

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

数据手册

5+
￥1.2835
50+
￥1.006
150+
￥0.8871
500+
￥0.7057

有货

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型号：TLP785(BL,F 编号：C115022

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

数据手册

5+
￥1.2945
50+
￥1.0173
200+
￥0.8601
500+
￥0.7119
2000+
￥0.6459
4000+
￥0.6063

有货

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型号：SSM6K217FE,LF 编号：C6685680

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 155 mΩ（典型值）(VGS = 8.0V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 165 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 170 mΩ（典型值）(VGS = 3.6V, ID = 1.0A)。RDS(ON) = 190 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V, ID = 0.5A)。RDS(ON) = 230 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V, ID = 0.2A)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

5+
￥1.363
50+
￥1.0606
150+
￥0.931
500+
￥0.7693
2500+
￥0.6973
4000+
￥0.654

有货

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型号：2SC4541(TE12L,ZC) 编号：C7421248

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE(saq) = 0.5V 最大 (I = 1.5A)。高速开关时间：tSTG = 0.5 μs（典型值）。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W（安装在陶瓷基板上）。与 2SA1736 互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

5+
￥1.489
50+
￥1.1866
150+
￥1.057
1000+
￥0.8953
2000+
￥0.8233

有货

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型号：2SC6026MFVG,L3XG 编号：C7421250

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于通用放大器应用，具有高电压和高电流特性，VCEO = 50V，IC = 150mA（最大值），hFE线性良好，hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值），hFE为120至400，与2SA2154MFV互补。

5+
￥1.58
50+
￥1.37
150+
￥1.28
500+
￥1.16
2500+
￥1.11
5000+
￥1.08

有货

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型号：TA78L05F(TE12L,F) 编号：C4153784

封装：SOT-89-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合为TTL/CMOS供电。无需外部组件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为150mA（Tj = 25℃）。采用PW-mini（SOT-89）封装

5+
￥1.611
50+
￥1.2582
150+
￥1.107
1000+
￥0.9184
2000+
￥0.8344

有货

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型号：2SC3324-BL(TE85L,F 编号：C2999171

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频频率低噪声放大器应用。

数据手册

5+
￥1.6566
50+
￥1.2739
150+
￥1.1099
500+
￥0.9052

有货

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型号：TC7WU04FK,LF 编号：C6716826

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成，可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.6887
50+
￥1.3107
150+
￥1.1487
500+
￥0.9466

有货

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型号：SSM6J512NU,LF 编号：C7320745

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.7037
50+
￥1.3257
150+
￥1.1637
500+
￥0.9616
3000+
￥0.8716

有货

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型号：74VHCT244AFT(BE) 编号：C7421307

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

1+
￥1.84
10+
￥1.63
30+
￥1.54
100+
￥1.43
500+
￥1.38
1000+
￥1.35

有货

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型号：CMS11(TE12L,Q,M) 编号：C146309

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

适合开关模式电源应用、便携式设备电池应用。因采用小尺寸表面贴装封装M-FLATTM，适合紧凑组装。

数据手册

5+
￥1.9356
50+
￥1.5425
150+
￥1.374
500+
￥1.1638

有货

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型号：74LCX574FT(AJ) 编号：C7421271

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制 D 型触发器，具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件适用于低电压 (3.3V) VCC 应用，但也可用于输入和输出与 5V 电源环境的接口。这个 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

1+
￥2.19
10+
￥1.94
30+
￥1.83
100+
￥1.7
500+
￥1.64
1000+
￥1.6

有货

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型号：74VHCT574AFT(BE) 编号：C7421311

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型触发器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保 0 至 5.5V 可应用于输入和输出引脚，而无需考虑电源电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池、热插拔等）而导致的设备损坏

1+
￥2.32
10+
￥2.04
30+
￥1.91
100+
￥1.76
500+
￥1.69
1000+
￥1.65

有货

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型号：TK110P10PL,RQ(S2 编号：C695267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 9.3 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 32 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 8.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥3.38
10+
￥2.97
30+
￥2.77
100+
￥2.57
500+
￥2.45
1000+
￥2.38

有货

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型号：TPN19008QM,LQ 编号：C5354423

封装：TSON-8(3.1x3.1)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 5.5 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 16.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 14.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥3.73
10+
￥2.99
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￥2.62
100+
￥2.25
500+
￥2.03
1000+
￥1.92

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