东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DF2S6.8FS,L3M 编号：C1972978

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

20+
￥0.1448
200+
￥0.1083
600+
￥0.0881
2000+
￥0.0759
10000+
￥0.0654
20000+
￥0.0597

有货

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型号：1SS404,H3F 编号：C2847422

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速开关应用双引脚小封装适用于更高的安装密度低正向电压：VF(3) = 0.38V（典型值）低反向电流：IR = 50μA（最大值）小总电容：CT = 46 pF（典型值）

10+
￥0.313
100+
￥0.273
300+
￥0.253
3000+
￥0.238
6000+
￥0.226

有货

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型号：SSM6N7002KFU,LF 编号：C6916295

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)；RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

10+
￥0.3505
100+
￥0.2737
300+
￥0.2353
3000+
￥0.2065
6000+
￥0.1835

有货

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型号：1SS362FV,L3F 编号：C261915

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于超高速开关应用，小封装，正向电流和正向电压特性出色，反向恢复时间快，总电容小。

数据手册

10+
￥0.3529
100+
￥0.2828
300+
￥0.2477
1000+
￥0.2214
5000+
￥0.2004

有货

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型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C5274157

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。重量：1.5mg（典型值）

数据手册

10+
￥0.3663
100+
￥0.289
300+
￥0.2504
1000+
￥0.2214
5000+
￥0.1886

有货

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型号：1SS396(TE85L,F) 编号：C4153755

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-59。低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF = 5μA（最大值）

数据手册

5+
￥0.4068
50+
￥0.3548
150+
￥0.3288
500+
￥0.3093
3000+
￥0.2937
6000+
￥0.2858

有货

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型号：2SC2713-BL,LF 编号：C2880441

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用。

数据手册

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913

有货

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型号：2SA1588-Y,LF 编号：C150182

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频频率低功率放大器应用、驱动级放大器应用和开关应用，具有出色的hFE线性度。

数据手册

5+
￥0.4512
50+
￥0.346
150+
￥0.2935
500+
￥0.2541
3000+
￥0.205
6000+
￥0.1892

有货

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型号：SSM3J35AMFV,L3F 编号：C5274156

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

数据手册

5+
￥0.4759
50+
￥0.3751
150+
￥0.3247
500+
￥0.2869
2500+
￥0.2567
5000+
￥0.2289

有货

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型号：RN1903,LF(CT 编号：C17610761

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：包含两个采用US6封装（6引脚超小型）的器件。内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺。与RN2901至RN2906互补。应用：开关电路。逆变器电路

5+
￥0.5491
50+
￥0.4291
150+
￥0.3691
500+
￥0.3241

有货

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型号：1SV305,L3F 编号：C17265513

封装：SC-79(SOD-523)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。高电容比：C₁V / C₄V = 3.0（典型值）。低串联电阻：rs = 0.27Ω（典型值）

5+
￥0.617
50+
￥0.533
150+
￥0.497
500+
￥0.452
2500+
￥0.432

有货

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型号：TC4S584F.LF 编号：C2762702

封装：SOT-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4S584F 是一款在输入端具备施密特触发器功能的单路反相器。也就是说，由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电平电压不同（V_P、V_N），除了普通反相器应用外，TC4S584F 还可广泛应用于多种场景，包括线路接收器、波形整形电路、无稳态多谐振荡器等。

数据手册

5+
￥0.6722
50+
￥0.5377
150+
￥0.4705
500+
￥0.42
3000+
￥0.3797

有货

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型号：TC7S08FU,LF 编号：C146362

封装：SSOP-5-1.3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速：在VCC = 5V时，tpd = 7ns（典型值）。低功耗：在Ta = 25℃时，ICC = 1μA（最大值）。高抗噪性：VNI_H = VNI_L = 28%VCC（最小值）。输出驱动能力：5个LSTTL负载。对称输出阻抗：|IO_H| = |IO_L| = 2mA（最小值）。平衡传播延迟：tp_LH ≡ tp_HL。宽工作电压范围：VCC = 2至6V

数据手册

5+
￥0.678
50+
￥0.5468
150+
￥0.4812
500+
￥0.432
3000+
￥0.3704

有货

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型号：CMS30I30A(TE12L,QM 编号：C2762688

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：峰值正向电压：VFM = 0.49V（最大值）@IFM = 3A。平均正向电流：IF(AV) = 3A。重复峰值反向电压：VRRM = 30V。小而薄的封装，适用于高密度电路板组装。应用：开关稳压器中的二次整流。移动设备中的反向电流保护

数据手册

5+
￥0.729454 ￥1.0274
50+
￥0.492392 ￥0.8072
150+
￥0.363528 ￥0.7128
500+
￥0.30345 ￥0.595
3000+
￥0.256785 ￥0.5035
6000+
￥0.24072 ￥0.472

有货

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型号：RN4605(TE85L,F) 编号：C7421325

封装：SOT-26

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：包含两个采用SM6封装（6引脚超小型）的器件。内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺，使设备小型化。应用：开关电路。逆变器电路

5+
￥0.9047
50+
￥0.7031
150+
￥0.6167
500+
￥0.5089

有货

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型号：2SD2719(TE85L,F) 编号：C5331493

封装：TSM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 2000（最小值）(VCE = 2V, IC = 1A)。集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用：电磁阀驱动应用。电机驱动应用

数据手册

5+
￥1.1481
50+
￥1.0158
150+
￥0.9591
500+
￥0.8883
3000+
￥0.8568
6000+
￥0.8379

有货

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型号：74VHC138FT(BJ) 编号：C261918

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

3-8 线解码器。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 3-8 解码器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗。当设备启用时，3 个二进制选择输入（A、B 和 C）确定输出 Y0(overline)-Y7(overline) 中哪一个将变为低电平

数据手册

5+
￥1.15776 ￥1.4472
50+
￥0.92008 ￥1.1501
150+
￥0.81824 ￥1.0228
500+
￥0.69112 ￥0.8639
2500+
￥0.63456 ￥0.7932
5000+
￥0.60064 ￥0.7508

有货

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型号：TC7WH02FU,LJ(CT 编号：C6880163

封装：MSOP-8-2.8mm(TSSOP-8)

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入或非门。

5+
￥1.2411
50+
￥0.9639
150+
￥0.8451
500+
￥0.6969

有货

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型号：74LCX00FT 编号：C5916104

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74LCX00FT是一款高性能CMOS二输入与非门。它专为3.3 V系统设计，在保持CMOS低功耗的同时实现高速运行

5+
￥1.4924
50+
￥1.2909
150+
￥1.2046
500+
￥1.0968

有货

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型号：74VHC132FT(BJ) 编号：C7421275

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS 2输入施密特与非门。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。引脚配置和功能与74VHC00FT相同，但输入具有滞后特性，凭借其施密特触发器功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

5+
￥1.507
50+
￥1.2046
150+
￥1.075
500+
￥0.9133
2500+
￥0.8413
5000+
￥0.798

有货

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型号：SSM3J351R,LF 编号：C150147

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 107mΩ（典型值）(VGS = -10V)；RDS(ON) = 122mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)；RDS(ON) = 129mΩ（典型值）(VGS = -4.0V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.5096
50+
￥1.1702
150+
￥1.0247
500+
￥0.8432

有货

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型号：TC7WZ126FK,LXGJ(CT 编号：C7421351

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双总线缓冲器，具有三态输出

5+
￥1.6583
50+
￥1.2903
150+
￥1.1327
500+
￥0.9359

有货

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型号：SSM6J512NU,LF 编号：C7320745

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

5+
￥1.7037
50+
￥1.3257
150+
￥1.1637
500+
￥0.9616
3000+
￥0.8716

有货

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型号：74VHCT244AFT(BE) 编号：C7421307

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

1+
￥1.71
10+
￥1.5
30+
￥1.41
100+
￥1.29
500+
￥1.24
1000+
￥1.21

有货

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型号：74VHC373FT 编号：C20247070

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC373FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。

1+
￥1.73
10+
￥1.5
30+
￥1.4
100+
￥1.28
500+
￥1.22
1000+
￥1.19

有货

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型号：74VHC174FT(TB,BJ) 编号：C22457412

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是先进的高速CMOS HEX D型触发器，采用硅栅CMOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS低功耗。施加到D输入的信息信号在时钟脉冲的正沿传输到Q输出。当CLR输入保持低电平时，Q输出处于低逻辑电平，与其他输入无关。输入保护电路确保可在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于连接5V至3V系统和双电源系统，如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。