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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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TLP290 - 4光耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于其在 -55至110°C的宽工作温度范围内性能有保障,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
数据手册
  • 1+

    ¥7.29
  • 10+

    ¥6.03
  • 30+

    ¥5.34
  • 100+

    ¥4.35
  • 500+

    ¥4
  • 1000+

    ¥3.85
  • 有货
  • N沟道,75V,150A,2.6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥7.32
    • 30+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥5.42
    • 500+

      ¥4.98
    • 1000+

      ¥4.77
  • 有货
    • 1+

      ¥9.88
    • 10+

      ¥8.08
    • 30+

      ¥7.09
    • 100+

      ¥5.98
    • 500+

      ¥5.48
    • 1000+

      ¥5.25
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 21 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 74 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.1 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.96
    • 10+

      ¥8.22
    • 30+

      ¥7.27
    • 100+

      ¥6.2
    • 500+

      ¥5.72
    • 1000+

      ¥5.5
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 77.5 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.89
    • 10+

      ¥12.54
    • 30+

      ¥11.07
    • 100+

      ¥9.56
    • 500+

      ¥8.88
    • 1000+

      ¥8.58
  • 有货
    • 1+

      ¥22.13
    • 10+

      ¥18.91
    • 30+

      ¥17
    • 100+

      ¥15.07
    • 500+

      ¥14.18
    • 1500+

      ¥13.78
  • 有货
  • 应用:ESD保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2143
    • 200+

      ¥0.1657
    • 600+

      ¥0.1387
    • 2000+

      ¥0.1225
    • 10000+

      ¥0.1084
  • 有货
  • 特性:ESD保护栅极。低导通电阻:RDS(on) = 2.8Ω(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(on) = 3.1Ω(典型值)(@ VGS = 5V);RDS(on) = 3.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2374
    • 100+

      ¥0.1871
    • 300+

      ¥0.162
    • 3000+

      ¥0.1379
    • 6000+

      ¥0.1228
    • 9000+

      ¥0.1153
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V);RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关
    • 10+

      ¥0.3578
    • 100+

      ¥0.281
    • 300+

      ¥0.2426
    • 3000+

      ¥0.2138
    • 6000+

      ¥0.1908
    • 9000+

      ¥0.1792
  • 有货
  • 特性:低正向电压:0.54V(典型值)。 低反向电流:5μA(最大值)。 小封装:SC-70。 重量:0.004g(典型值)
    • 10+

      ¥0.3996
    • 100+

      ¥0.313
    • 300+

      ¥0.2698
    • 3000+

      ¥0.2373
    • 6000+

      ¥0.2113
    • 9000+

      ¥0.1984
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 400mΩ(最大值)(@VGS = -4.0V),RDS(ON) = 300mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6648
    • 50+

      ¥0.5208
    • 150+

      ¥0.4488
    • 500+

      ¥0.3948
    • 3000+

      ¥0.3516
    • 6000+

      ¥0.33
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6649
    • 50+

      ¥0.5209
    • 150+

      ¥0.4489
    • 500+

      ¥0.3949
    • 3000+

      ¥0.3517
    • 6000+

      ¥0.33
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 1.5Ω(最大值)(@ VGS = 1.5V)。RDS(ON) = 1.14Ω(最大值)(@ VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 0.85Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 0.66Ω(最大值)(@ VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 0.63Ω(最大值)(@ VGS = 5.0V)
    • 5+

      ¥0.7225
    • 50+

      ¥0.628
    • 150+

      ¥0.5875
    • 500+

      ¥0.5369
    • 3000+

      ¥0.5144
    • 6000+

      ¥0.5009
  • 有货
  • 适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。
    • 5+

      ¥1.1311
    • 50+

      ¥0.8915
    • 150+

      ¥0.7888
    • 500+

      ¥0.6607
    • 2500+

      ¥0.6036
  • 有货
  • 是浪涌吸收器。 平均功率耗散 P = 0.7W,齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V。 由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”,适合紧凑组装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.204742 ¥1.5646
    • 50+

      ¥0.924466 ¥1.3798
    • 150+

      ¥0.741342 ¥1.3006
    • 500+

      ¥0.685026 ¥1.2018
    • 3000+

      ¥0.659946 ¥1.1578
    • 6000+

      ¥0.644955 ¥1.1315
  • 有货
    • 5+

      ¥1.5479
    • 50+

      ¥1.2052
    • 150+

      ¥1.0583
    • 500+

      ¥0.8751
    • 3000+

      ¥0.7935
    • 6000+

      ¥0.7445
  • 有货
  • 是一款高速CMOS施密特反相器,采用硅栅C²MOS技术制造。它实现了与等效LSTTL相似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗特性。引脚配置和功能与TC74HC04A相同,但输入具有25% VCC的滞后特性,凭借其施密特触发功能,可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0534
    • 50+

      ¥1.5998
    • 150+

      ¥1.4054
    • 500+

      ¥1.1629
    • 2000+

      ¥1.0549
  • 有货
  • 74VHC86FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 四异或门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.27
    • 50+

      ¥1.76
    • 150+

      ¥1.55
    • 500+

      ¥1.28
    • 2500+

      ¥1.16
  • 有货
  • 双路三态输出总线缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.29
    • 50+

      ¥1.78
    • 150+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.3
    • 3000+

      ¥1.18
  • 有货
  • 特性:最适合用于 TTL/CMOS 电源。 无需外部零件。 内置过热保护。 内置过流保护。 最大输出电流为 150mA(Tj = 25℃)。 采用 PW-mini(SOT-89)封装
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.69
    • 30+

      ¥2.39
    • 100+

      ¥2.01
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.75
    • 30+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.69
    • 500+

      ¥2.37
    • 1000+

      ¥2.21
  • 有货
  • 由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联,因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级,具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出,也有反相器输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.22
    • 10+

      ¥4.24
    • 30+

      ¥3.75
    • 100+

      ¥3.26
    • 500+

      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.49
  • 有货
  • TLP2310 是一款采用小型 SO6 封装的 5 Mbps 低功耗光电耦合器。在 -40°C 至 125°C 的整个工作温度范围内,TLP2310 的电源电流(I₍DDI₎ / I₍DDH₎)最大仅为 0.3 mA,且能在低至 2.7 V 的电源电压下工作,有助于降低各种系统的功耗。
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥4.45
    • 30+

      ¥3.88
    • 100+

      ¥3.32
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.81
  • 有货
  • 应用:VHF和UHF频段放大器应用。电信设备的高频功率放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.97
    • 10+

      ¥5.67
    • 30+

      ¥5.02
    • 100+

      ¥4.38
    • 500+

      ¥4
  • 有货
  • 特性:8 电路内置。 高电压:VOUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = -500mA(每通道最大值)。 输入电压(输出开启):2.0V(最小值)。 输入电压(输出关闭):0.6V(最大值)。 封装:PG 型 P-DIP18-300-2.54-001;FG 型 SOP18-P-375-1.27;FNG 型 SSOP18-P-225-0.65;FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001
    数据手册
    • 1+

      ¥7.61
    • 10+

      ¥6.11
    • 30+

      ¥5.35
    • 100+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.01
    • 1000+

      ¥3.78
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.41 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥7.32
    • 30+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥5.42
    • 500+

      ¥4.98
    • 1000+

      ¥4.77
  • 有货
  • TCKE8xx系列是18V高输入电压的单输入单输出eFuse集成电路。它可用作可重复使用的保险丝,具备多种保护功能,如通过外部电阻实现可调过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容实现可调压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅为28mΩ(典型值),高输出电流可达5.0A,宽输入电压工作特性使该系列非常适合用于电源管理应用,如硬盘驱动器的电源电路和电池充电应用。该系列采用0.5mm间距的小型封装WSON10B(3.0mm×3.0mm,厚度:0.7mm(典型值))。因此,该系列非常适合各种需要高密度焊接的应用,如便携式电子产品。
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥7.72
    • 30+

      ¥6.79
    • 100+

      ¥5.74
    • 500+

      ¥5.27
    • 1000+

      ¥5.06
  • 有货
  • TTA1943适用于功率放大器应用。高集电极电压:VCEO = -230 V (rΩ min),与TTC5200互补,推荐用于100 W高保真音频放大器输出级。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.79
    • 10+

      ¥8.07
    • 30+

      ¥7.12
    • 100+

      ¥5.78
    • 500+

      ¥5.31
    • 1000+

      ¥5.09
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS,RDS(ON) = 0.25Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:VDA = 3.0至4.0V,VDS = 10V,ID = 0.85mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥11.91
    • 10+

      ¥10.21
    • 50+

      ¥9.14
    • 100+

      ¥8.05
    • 500+

      ¥7.56
    • 1000+

      ¥7.35
  • 有货
  • Parallel Port to MIPI DSI转换器,支持RGB到DSI的转换。所有内部寄存器可以通过I²C或SPI访问。
    • 1+

      ¥46.79
    • 10+

      ¥39.87
    • 30+

      ¥35.65
    • 100+

      ¥32.11
  • 有货
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