东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CRZ16(TE85L,Q,M) 编号：C435815

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

是浪涌吸收器。平均功率耗散 P = 0.7W，齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V。由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装

数据手册

5+
￥1.314264 ￥1.5646
50+
￥1.021052 ￥1.3798
150+
￥0.832384 ￥1.3006
500+
￥0.769152 ￥1.2018
3000+
￥0.740992 ￥1.1578
6000+
￥0.72416 ￥1.1315

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型号：TC7WH14FU,LXGJ(CT 编号：C7421350

封装：SM8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高速运行：tsp = 5.5 ns（典型值）(VCC = 5.0 V, CL = 15 pF)。低功耗：ICC = 2.0 μA（最大值）(Ta = 25℃)。高抗噪性：VNI H = VNI L = 28%VCC（最小值）。 5.5V 耐受输入。平衡传播延迟：tPLH = tPHL。宽工作电压范围：VCC = 2.0 至 5.5V。引脚分配和功能与 TC7w14 相同

5+
￥1.3668
50+
￥1.2093
150+
￥1.1418
500+
￥1.0575

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型号：SSM6J507NU,LF 编号：C146318

封装：UDFNB-6(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 20mΩ（最大值）（VGS = -10V）。 RDS(ON) = 28mΩ（最大值）（VGS = -4.5V）。 RDS(ON) = 32mΩ（最大值）（VGS = -4.0V）。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.6265
50+
￥1.2935
150+
￥1.1507
500+
￥0.9727
3000+
￥0.8934

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型号：TC7WU04FK,LF 编号：C6716826

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成，可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

5+
￥1.6887
50+
￥1.3107
150+
￥1.1487
500+
￥0.9466

有货

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型号：74VHC374FT(BJ) 编号：C7421288

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制D型触发器，具有三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造，能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS低功耗特性。该8位D型触发器由时钟输入（CK）和输出使能输入（OE）控制。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，可向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。

1+
￥1.74
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￥1.51
30+
￥1.41
100+
￥1.28
500+
￥1.23
1000+
￥1.2

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型号：TC7WPB9306FK,LF 编号：C146315

封装：VSSOP-8-0.5mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS 2 位双电源总线开关可在不同电压电平的两个节点之间提供接口。这些器件可连接到两个独立的电源。VCCA 支持 1.8V、2.5V 和 3.3V 电源，而 VCCB 支持 2.5V、3.3V 和 5.0V 电源。通过在 An/Bn 数据线和 VCCA/VCCB 电源之间简单添加外部上拉电阻，即可实现双向电平转换

数据手册

5+
￥1.8172
50+
￥1.4122
150+
￥1.2386
500+
￥1.0221

有货

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型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.8252
50+
￥1.422
150+
￥1.2492
500+
￥1.0336
3000+
￥0.9376
6000+
￥0.88

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型号：TC7WZ14FU,LJ(CT 编号：C7421352

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

三态施密特反相器

5+
￥1.9676
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￥1.5291
150+
￥1.3412
500+
￥1.1067

有货

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型号：TLP183(GR-TPL,E 编号：C80194

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证具备高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。

数据手册

5+
￥1.998656 ￥2.2712
50+
￥1.378494 ￥1.7673
150+
￥1.054884 ￥1.5513
500+
￥0.871692 ￥1.2819
3000+
￥0.790092 ￥1.1619
6000+
￥0.741132 ￥1.0899

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型号：74LCX573FT(AJ) 编号：C2652969

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制 D 型锁存器，具有 5V 容限输入和输出。为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压（3.3V）VCC 应用而设计，但可用于输入和输出端与 5V 电源环境接口。这个 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

数据手册

1+
￥2.1294 ￥2.34
10+
￥1.6686 ￥2.06
30+
￥1.3774 ￥1.94
100+
￥1.2709 ￥1.79
500+
￥1.2283 ￥1.73
1000+
￥1.1999 ￥1.69

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型号：TC4052BFT(EL,N) 编号：C5221831

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是多路复用器，具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。控制端子的数字信号可使各通道对应的开关“导通”，大振幅（VDD-VEE）可由小逻辑振幅（VDD-VSS）的控制信号进行切换。例如，在VDD = 5V、VSS = 0V和VEE = -5V的情况下，可通过5V单电源逻辑电路切换 -5V至 +5V之间的信号。由于每个开关的导通电阻较低，可连接到低输入阻抗的电路。

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.56
30+
￥2.4
100+
￥2.13
500+
￥2.03
1000+
￥1.98

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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

1+
￥3.01
10+
￥2.65
30+
￥2.47
100+
￥2.29
500+
￥2.18
1000+
￥2.12

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型号：TC7WZ04FK,LJ(CT 编号：C5956636

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q100 (Rev. H)。宽工作温度范围：Topr = -40 至 125℃。高输出电流：±24 mA（最小值），VCC = 3.0 V。超高速运行：tpd = 2.3 ns（典型值），VCC = 5.0 V，CL = 50 pF。工作电压范围：VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。在 3.3 V VCC 下运行时，性能与 TC74LCX 系列匹配

1+
￥3.26
10+
￥2.53
30+
￥2.22
100+
￥1.82
500+
￥1.65
1000+
￥1.55

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型号：SSM3K341R,LXHF 编号：C5908551

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 28mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 36mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 43mΩ（典型值）(@ VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

1+
￥3.52
10+
￥2.81
30+
￥2.45
100+
￥2.1
500+
￥1.89
1000+
￥1.78

有货

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型号：TC74HC4053AFT(EL) 编号：C5381649

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器，采用硅栅C²MOS技术制造。它们实现了与等效LSTTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。具有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。数字信号到控制终端可开启每个通道的相应开关，大振幅信号(VCC-VEE)可由小逻辑振幅(VCC-GND)控制信号切换。每个开关的导通电阻低，可连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

1+
￥3.79
10+
￥3.34
30+
￥3.12
100+
￥2.89
500+
￥2.76
1000+
￥2.69

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型号：TK10A60D(STA4,X,S) 编号：C2848495

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.4
50+
￥2.86
100+
￥2.44
500+
￥2.19
1000+
￥2.06

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型号：TC74AC14F(EL,F) 编号：C6880151

封装：SOIC-14-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

六施密特反相器 TC74AC14F 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。

1+
￥4.53
10+
￥3.63
30+
￥3.17
100+
￥2.72
500+
￥2.45
1000+
￥2.31

有货

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型号：TLP185(GR-TPR,E 编号：C393884

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

数据手册

1+
￥4.55
10+
￥3.72
30+
￥3.3
100+
￥2.89
500+
￥2.64
1000+
￥2.51

有货

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型号：TK12A50D(STA4,X,S) 编号：C4153802

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥4.68
10+
￥3.7
50+
￥3.21
100+
￥2.72
500+
￥2.43
1000+
￥2.28

有货

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型号：TK16A60W 编号：C556312

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 0.79mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.184 ￥8.1
10+
￥3.9798 ￥7.37
50+
￥3.0624 ￥6.96
100+
￥2.8644 ￥6.51
500+
￥2.7764 ￥6.31
1000+
￥2.7324 ￥6.21

有货

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型号：TPCA8120,L1Q(CM 编号：C5370566

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：由于采用小型薄型封装，占用空间小。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值）(VGS = -10V)。低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -30V)。增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V，ID = -1mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

数据手册

1+
￥5.28
10+
￥4.74
30+
￥4.44
100+
￥4.11
500+
￥3.96
1000+
￥3.89

有货

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型号：TLP126(TPL,F) 编号：C23649

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成，在低交流输入电流下可提供高电流传输比（CTR）。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

数据手册

1+
￥5.72
10+
￥4.55
30+
￥3.97
100+
￥3.39
500+
￥3.05
1000+
￥2.87

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥5.93
10+
￥4.85
30+
￥4.26
100+
￥3.59
500+
￥3.29
1500+
￥3.15

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型号：TLP701(TP,F) 编号：C5006

封装：SOIC-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

贴片6脚封装

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1+
￥6.14
10+
￥5.49
30+
￥5.13
100+
￥4.73
500+
￥4.55
1500+
￥4.47

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型号：TPHR6503PL,L1Q 编号：C7125477

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥6.79
10+
￥6.1
30+
￥5.72
100+
￥5.3
500+
￥5.11
1000+
￥5.02

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型号：TLP176AM(TPL,E 编号：C5370540

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176AM由一个红外LED和一个光MOSFET组成，封装在4引脚SO6中。该光电继电器的输出电流额定值高于光电晶体管型光耦合器，适用于高电流的开/关控制。它是无卤素的，工作温度范围可达110℃（最大）。该器件通常处于断开状态（1-Form-A），关断状态输出端电压为60 V（最小），触发LED电流为3 mA（最大），导通状态电流为700 mA（最大）。导通状态电阻为2 Ω（最大），隔离电压为3750 Vrms（最小）。TLP176AM通过了UL 1577、cUL、UL 508认证，并且符合VDE批准的EN 60747-5-5标准。它适用于安全系统、工厂自动化、测量仪器、电池管理系统（非汽车）、可编程逻辑控制器（PLC）以及机械继电器替换等应用。

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