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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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同步可预置4位计数器 74VHC161FT:二进制、异步清零;74VHC163FT:二进制、同步清零。74VHC161FT和74VHC163FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS同步可预置4位二进制计数器。
  • 1+

    ¥2.24
  • 10+

    ¥1.97
  • 30+

    ¥1.84
  • 100+

    ¥1.7
  • 500+

    ¥1.62
  • 1000+

    ¥1.58
  • 有货
  • TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.53
    • 30+

      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.63
    • 500+

      ¥2.36
    • 1000+

      ¥2.22
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

      ¥3.1
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.24
  • 有货
  • 是小型扁平耦合器,适用于表面贴装组件。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光控三端双向可控硅开关组成。零电压交叉导通,峰值关态电压:600 V (min),触发LED电流:10 mA (max),导通状态电流:70 mA (max),隔离电压:2500 Vrms (min),UL认证:UL1577,文件编号E67349
    数据手册
    • 1+

      ¥4.47
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.66
    • 500+

      ¥2.39
    • 1000+

      ¥2.25
  • 有货
  • 特性:出色的开关时间:ton = 14 ns(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 100 mS(最小值),ID = 50 mA。 低导通电阻:RDS(ON) = 0.6 Ω(典型值)@ ID = 50 mA。 增强模式。 与2SJ168互补。应用:高速开关应用。 模拟开关应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.57
    • 10+

      ¥3.71
    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥2.85
    • 500+

      ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.19
  • 有货
  • DMOS晶体管阵列有8个电路。每个输出端内置了用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请注意热条件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.73
    • 100+

      ¥3.2
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.72
  • 有货
  • 新产品,本芯片用场效应管作输出管,相比传统的ULN2003(三极管做输出管)管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.81
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.44
    • 500+

      ¥3.09
    • 1000+

      ¥2.91
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 77.5 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.27
    • 10+

      ¥6.62
    • 30+

      ¥6.21
    • 100+

      ¥5.79
    • 500+

      ¥5.6
    • 1000+

      ¥5.52
  • 有货
  • TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.95
    • 10+

      ¥7.44
    • 30+

      ¥6.61
    • 100+

      ¥5.67
    • 500+

      ¥4.77
    • 1500+

      ¥4.58
  • 有货
    • 1+

      ¥9.07
    • 10+

      ¥7.63
    • 50+

      ¥6.6
    • 100+

      ¥5.7
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      ¥5.3
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  • 有货
    • 1+

      ¥10.03
    • 10+

      ¥8.23
    • 30+

      ¥7.24
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      ¥6.13
    • 500+

      ¥5.63
    • 1000+

      ¥5.4
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:VCEO = 230V (min)。 与TTA1943互补。 推荐用于100W高保真音频放大器输出级
    数据手册
    • 1+

      ¥10.33
    • 10+

      ¥8.61
    • 30+

      ¥7.67
    • 100+

      ¥5.93
  • 有货
  • 该芯片的主要功能是DSI-to-LVDS桥接,支持高达1600x1200 24位/像素分辨率的单链路LVDS和高达WUXGA (1920x1200 24位/像素)分辨率的双链路LVDS。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.37
    • 10+

      ¥11.31
    • 30+

      ¥10.64
    • 100+

      ¥9.45
    • 500+

      ¥9.14
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 77.5 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效DC-DC转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.73
    • 10+

      ¥12.38
    • 30+

      ¥10.91
    • 100+

      ¥9.4
    • 500+

      ¥8.72
    • 1000+

      ¥8.43
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道,而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.88
    • 10+

      ¥13.53
    • 25+

      ¥10.97
    • 100+

      ¥9.46
    • 500+

      ¥8.78
  • 有货
  • 特性:小型,薄型実装面積小。 振抗低:Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。 漏電流低:IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。 操作简单,增强型,Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥30.02
    • 10+

      ¥25.6
    • 30+

      ¥22.97
    • 100+

      ¥20.32
    • 500+

      ¥18.05
    • 1000+

      ¥17.49
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    • 20+

      ¥0.2104
    • 200+

      ¥0.1617
    • 600+

      ¥0.1346
    • 3000+

      ¥0.1183
    • 9000+

      ¥0.1042
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2126
    • 100+

      ¥0.1851
    • 300+

      ¥0.1713
    • 1000+

      ¥0.161
    • 5000+

      ¥0.1527
    • 10000+

      ¥0.1486
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 超小型封装,适合非常高密度的安装。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1101MFV至RN1106MFV互补。应用:开关。 逆变器电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4089
    • 100+

      ¥0.3272
    • 300+

      ¥0.2864
    • 1000+

      ¥0.2557
    • 5000+

      ¥0.2312
    • 8000+

      ¥0.2189
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。小封装:SC-59。低正向电压:VF(2) = 0.90V(典型值)。快速反向恢复时间:trF = 1.6 ns(典型值)。小总电容:CT = 0.9pF(典型值)
    • 5+

      ¥0.5365
    • 50+

      ¥0.4287
    • 150+

      ¥0.3747
    • 500+

      ¥0.3343
    • 3000+

      ¥0.3019
    • 6000+

      ¥0.2857
  • 有货
  • DF2B5M4SL是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,可防止静电和噪声干扰。DF2B5M4SL利用回滞特性,具有低动态电阻和卓越的保护性能。此外,其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4SL采用超紧凑型封装(0.32 mm×0.62 mm),可满足对占用空间要求较小的应用需求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6219
    • 50+

      ¥0.4847
    • 150+

      ¥0.4161
    • 500+

      ¥0.3647
    • 2500+

      ¥0.3235
    • 5000+

      ¥0.303
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7122
    • 50+

      ¥0.5459
    • 150+

      ¥0.4628
    • 500+

      ¥0.4004
    • 3000+

      ¥0.3505
    • 6000+

      ¥0.3256
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 1.5Ω(最大值)(@ VGS = 1.5V)。RDS(ON) = 1.14Ω(最大值)(@ VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 0.85Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 0.66Ω(最大值)(@ VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 0.63Ω(最大值)(@ VGS = 5.0V)
    • 5+

      ¥0.7225
    • 50+

      ¥0.628
    • 150+

      ¥0.5875
    • 500+

      ¥0.5369
    • 3000+

      ¥0.5144
    • 6000+

      ¥0.5009
  • 有货
  • TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC,具备压摆率控制驱动器,具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下,典型导通电阻仅为 34 mΩ,输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能
    数据手册
    • 5+

      ¥0.73602 ¥0.8178
    • 50+

      ¥0.58473 ¥0.6497
    • 150+

      ¥0.50904 ¥0.5656
    • 500+

      ¥0.45225 ¥0.5025
    • 2500+

      ¥0.40689 ¥0.4521
    • 5000+

      ¥0.38421 ¥0.4269
  • 有货
  • 反相器
    • 5+

      ¥0.7467
    • 50+

      ¥0.5835
    • 150+

      ¥0.5019
    • 500+

      ¥0.4407
    • 3000+

      ¥0.3917
  • 有货
  • 六反相器(开漏)。采用硅栅 C2MOS 技术制造,能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗。引脚配置和功能与 74VHC04FT 相同,但具有高性能 MOS N 沟道晶体管(开漏输出)。该器件可通过合适的上拉电阻用于线与、LED 驱动等应用。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可承受 0 至 5.5V 的电压。可用于 5V 到 3V 系统以及双电源系统(如电池备份)的接口,防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.0501
    • 50+

      ¥1.0253
    • 150+

      ¥1.0087
    • 500+

      ¥0.9922
  • 有货
  • 特性:高电容比:C₁V / C₄V = 4.3(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.4Ω(典型值)。 适用于小尺寸调谐器
    • 5+

      ¥1.0837
    • 50+

      ¥0.8603
    • 150+

      ¥0.7646
    • 500+

      ¥0.6452
    • 2500+

      ¥0.592
    • 4000+

      ¥0.5601
  • 有货
  • 双2输入与门
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2326
    • 50+

      ¥0.9226
    • 150+

      ¥0.7897
    • 500+

      ¥0.6239
    • 3000+

      ¥0.55
  • 有货
  • 特性:高正向传输导纳:|Yfs| = 15 mS(典型值),VDS = 10 V,VGS = 0。 高击穿电压:VGD_S =-30 V。 低噪声:NF = 1.0 dB(典型值),VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ。 高输入阻抗:IGSS =-1 nA(最大值),VGS =-30 V。 小封装。应用:音频频率低噪声放大器应用
    • 5+

      ¥1.2408
    • 50+

      ¥0.9888
    • 150+

      ¥0.8808
    • 500+

      ¥0.7461
    • 3000+

      ¥0.6861
    • 6000+

      ¥0.65
  • 有货
  • 低电压六缓冲器,输入和输出(开漏)具有 5V 容限。专为 3.3V 系统和 5V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。具有高性能 MOS N 沟道晶体管(开漏输出)。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2682
    • 50+

      ¥1.105
    • 150+

      ¥1.035
    • 500+

      ¥0.9011
    • 2500+

      ¥0.8623
  • 有货
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