东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TCD1304DG(8Z,K) 编号：C5348961

封装：CDIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高灵敏度、低暗电流的3648像元CCD线性图像传感器，由高灵敏度CCD芯片组成，具有电子快门功能（ICG），该功能可使输出电压不受光强变化影响而保持恒定。

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1+
￥232.61
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￥220.05

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

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￥3.43
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￥3.02
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￥2.81
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￥2.61
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￥2.48
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￥2.42

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型号：TPH3R704PL,L1Q(M 编号：C22455092

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.42
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￥3.56
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￥3.13
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￥2.71
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￥2.46
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￥2.32

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型号：TBD62083AFG,EL 编号：C163228

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，本芯片用场效应管作输出管，相比传统的ULN2803（三极管做输出管）管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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￥5.35
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￥4.27
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￥2.87
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￥2.71

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型号：TPH4R008NH,L1Q(M 编号：C396039

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小尺寸、薄封装。高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥5.46
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￥4.38
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￥3.84
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￥3.3
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￥2.98
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￥2.82

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型号：2SK3565(STA4,Q,M) 编号：C396031

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（VDS = 720V）。增强模式：Vth = 2.0-4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）

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￥6.58
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￥5.4
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￥4.74
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￥4.01
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￥3.68
1000+
￥3.53

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1+
￥6.76
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￥5.68
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￥4.31
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￥3.64
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￥3.34
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￥3.2

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型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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1+
￥7.29
10+
￥6
30+
￥5.29
100+
￥4.48
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￥4.13
1500+
￥3.96

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型号：TLP176AM(TPL,E 编号：C5370540

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176AM由一个红外LED和一个光MOSFET组成，封装在4引脚SO6中。该光电继电器的输出电流额定值高于光电晶体管型光耦合器，适用于高电流的开/关控制。它是无卤素的，工作温度范围可达110℃（最大）。该器件通常处于断开状态（1-Form-A），关断状态输出端电压为60 V（最小），触发LED电流为3 mA（最大），导通状态电流为700 mA（最大）。导通状态电阻为2 Ω（最大），隔离电压为3750 Vrms（最小）。TLP176AM通过了UL 1577、cUL、UL 508认证，并且符合VDE批准的EN 60747-5-5标准。它适用于安全系统、工厂自动化、测量仪器、电池管理系统（非汽车）、可编程逻辑控制器（PLC）以及机械继电器替换等应用。

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1+
￥7.5
10+
￥6.17
30+
￥5.43
100+
￥4.61
500+
￥4.24
1000+
￥4.08

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型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。

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1+
￥11.02
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￥9.25
30+
￥8.14
100+
￥7
500+
￥6.48
1000+
￥6.26

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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1+
￥16.54
10+
￥13.98
30+
￥12.38
100+
￥10.74
500+
￥9.99

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型号：TLP3556A(TP1,F 编号：C2152263

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外LED光耦合，采用4引脚DIP封装。低导通电阻和高允许导通电流，适用于电力线控制应用。

1+
￥19.21
10+
￥16.28
30+
￥14.53
100+
￥12.77
500+
￥11.96
1500+
￥11.59

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型号：TCD1209DG(8Z,K) 编号：C5179035

封装：DIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管，在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个（此处原文未完整说明5个什么，可能是引脚、电源等，需结合完整原文确定）进行操作

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1+
￥165.11
30+
￥149.51

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型号：1SS352,H3F 编号：C15885

封装：SC-76-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于超高速开关应用，小封装，正向电压低，反向恢复时间快，总电容小。

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20+
￥0.1744
200+
￥0.1339
600+
￥0.1114
3000+
￥0.0979
9000+
￥0.0862

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型号：RN1105MFV,L3F(CT 编号：C7421319

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。超小型封装，适合高密度安装。集成偏置电阻，减少外部部件数量，可减小系统尺寸并缩短组装时间。提供多种电阻值选择，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.3159
100+
￥0.2462
300+
￥0.2114
1000+
￥0.1853
5000+
￥0.1644
8000+
￥0.154

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型号：RN1106MFV,L3F 编号：C5349733

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。超小型封装，适合非常高密度的安装。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

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10+
￥0.4069
100+
￥0.3205
300+
￥0.2773
1000+
￥0.2449
5000+
￥0.219
8000+
￥0.206

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型号：2SC2713-BL,LF 编号：C2880441

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用。

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10+
￥0.4473
100+
￥0.3513
300+
￥0.3033
3000+
￥0.2673
6000+
￥0.2385
9000+
￥0.224

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型号：2SA1163-BL,LF 编号：C2929210

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -120V。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与2SC2713互补。应用：音频通用放大器应用

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5+
￥0.479
50+
￥0.3734
150+
￥0.3205
500+
￥0.2809
3000+
￥0.2493
6000+
￥0.2334

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型号：1SS272(TE85L,F) 编号：C24566

封装：SC-61B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.92V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9pF（典型值）

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5+
￥0.4892
50+
￥0.3836
150+
￥0.3308
500+
￥0.2912
3000+
￥0.2595
6000+
￥0.2436

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型号：1SV305(TPH3,F) 编号：C2762669

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。高电容比：C₁V / C₄V = 3.0（典型值）。低串联电阻：rₛ = 0.27Ω（典型值）

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5+
￥0.6617
50+
￥0.506
150+
￥0.4281
500+
￥0.3697
2500+
￥0.323
4000+
￥0.2997

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型号：CRS08(TE85L,Q,M) 编号：C141550

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

正向电压：VFM = 0.36V（最大值）平均正向电流：IF(AV) = 1.5A 重复峰值反向电压：VRRM = 30V 采用小型表面贴装封装“S-FLATTM”，适合紧凑组装。

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5+
￥1.0003
50+
￥0.7934
150+
￥0.6899
500+
￥0.562
3000+
￥0.4999
6000+
￥0.4688

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型号：1SS306TE85LF 编号：C441770

封装：SC-61B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-61。低正向电压：VF(2) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 30 ns（典型值）。小总电容：CT = 1.5 pF（典型值）

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5+
￥1.2308
50+
￥0.9788
150+
￥0.8708
500+
￥0.7361
3000+
￥0.6761
6000+
￥0.64

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型号：TLP183(GB-TPL,E 编号：C2835183

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器，采用SO6封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压（3750 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125 °C）。与DIP封装相比，TLP183体积更小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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5+
￥1.2705
50+
￥0.9913
150+
￥0.8717
500+
￥0.7224
3000+
￥0.656
6000+
￥0.6161

有货

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型号：1SS306(TE85L.F) 编号：C2762667

封装：SC-61

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-61。低正向电压：VF(2) = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：trr = 30 ns（典型值）。小总电容：CT = 1.5pF（典型值）

数据手册

5+
￥1.2882
50+
￥1.0362
150+
￥0.9282
500+
￥0.7935
3000+
￥0.6861
6000+
￥0.65

有货

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型号：74VHC74FT(BJ) 编号：C7421300

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

双 D 型触发器，具有预置和清除功能。采用硅栅 C2MOS 技术制造，实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗特性。在 CK 脉冲的正跳变期间，施加到 D 输入的信号电平被传输到 Q 输出。CLR 和 PR 独立于 CK，通过将相应输入设置为低电平来完成操作。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，0 至 5.5V 可以施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

5+
￥1.4043
50+
￥1.0941
150+
￥0.9612
500+
￥0.7953
2500+
￥0.7214

有货

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型号：SSM3J351R,LF 编号：C150147

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 107mΩ（典型值）(VGS = -10V)；RDS(ON) = 122mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)；RDS(ON) = 129mΩ（典型值）(VGS = -4.0V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.4265
50+
￥1.137
150+
￥1.0129
500+
￥0.8581
3000+
￥0.7891

有货

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型号：74VHC4052AFT 编号：C146311

封装：TSSOP-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

双四通道模拟多路复用器/解复用器，低电压驱动，适用于3 V和5 V系统。

数据手册

5+
￥2.247
50+
￥1.743
150+
￥1.527
500+
￥1.2575
2500+
￥1.1375
5000+
￥1.0655

有货

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

1+
￥2.49
10+
￥1.94
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

有货

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型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4
100+
￥2.97
500+
￥2.34
1000+
￥2.2

有货

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型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

数据手册

1+
￥5.83
10+
￥4.73
30+
￥4.18
100+
￥3.64
500+
￥2.9
1000+
￥2.73

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