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首页 > 热门关键词 > 东芝驱动芯片
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TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
数据手册
  • 5+

    ¥0.863
  • 50+

    ¥0.7445
  • 150+

    ¥0.6937
  • 500+

    ¥0.6303
  • 2500+

    ¥0.6202
  • 5000+

    ¥0.6033
  • 有货
  • 由红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±20kV/μs,有逻辑缓冲输出,还有反相器输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.11
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.6
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 2.5A,IGBT/MOS驱动光耦
    数据手册
    • 1+

      ¥3.88
    • 10+

      ¥3.14
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.42
    • 500+

      ¥1.96
    • 1500+

      ¥1.85
  • 有货
  • TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4
    • 10+

      ¥3.58
    • 30+

      ¥3.18
    • 100+

      ¥2.77
    • 500+

      ¥2.21
    • 1500+

      ¥2.09
  • 有货
  • 东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成,该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻,用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装,提供两个隔离通道,而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.49
    • 10+

      ¥5.41
    • 30+

      ¥4.82
    • 100+

      ¥4.15
    • 500+

      ¥3.39
    • 1500+

      ¥3.25
  • 有货
  • 隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中,电机电流流经外部电阻,产生的模拟电压降由隔离放大器感应。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.55
    • 10+

      ¥22.01
    • 30+

      ¥19.91
    • 100+

      ¥15.96
    • 500+

      ¥14.98
    • 1500+

      ¥14.54
  • 有货
  • 用于音频频率的通用放大器应用。具有高电压和高电流、出色的hFE线性度、高hFE、低噪声等特点,采用小封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1615
    • 200+

      ¥0.1291
    • 600+

      ¥0.1111
    • 3000+

      ¥0.0787
    • 9000+

      ¥0.0693
    • 21000+

      ¥0.0642
  • 有货
  • 特性:低反向电流:IR(2) = 5 μA (max)。 通用USC封装,相当于SOD-323和SC-76封装。应用:高速开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2378
    • 200+

      ¥0.1839
    • 600+

      ¥0.1539
    • 3000+

      ¥0.1359
    • 9000+

      ¥0.1203
    • 21000+

      ¥0.1119
  • 有货
  • 特性:4.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 42mΩ(最大值)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3057
    • 100+

      ¥0.2395
    • 300+

      ¥0.2064
    • 3000+

      ¥0.1816
    • 6000+

      ¥0.1617
    • 9000+

      ¥0.1518
  • 有货
  • 2输入与门
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3926
    • 100+

      ¥0.3062
    • 300+

      ¥0.263
    • 3000+

      ¥0.2306
    • 6000+

      ¥0.2047
    • 9000+

      ¥0.1917
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压:VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 1 Ω(典型值)(IB = 5mA)。 高直流电流增益:hFE = 200至1200。应用:静音和开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5767
    • 50+

      ¥0.4495
    • 150+

      ¥0.3859
    • 500+

      ¥0.3382
    • 3000+

      ¥0.3
    • 6000+

      ¥0.2809
  • 有货
  • N沟道,10V,0.014A,150mW
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8444
    • 50+

      ¥0.6595
    • 150+

      ¥0.567
    • 500+

      ¥0.4977
    • 3000+

      ¥0.4515
    • 6000+

      ¥0.4238
  • 有货
  • 由基于光电晶体管的高速探测器与GaAs红外发光二极管光耦合组成,采用SO6封装。通过几个kΩ电阻实现了早期开关特性,对应20 kbps的传输速率,填补了通用晶体管耦合器和对应1 Mbps的IC耦合器之间的空白。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6482
    • 50+

      ¥1.2853
    • 150+

      ¥1.1298
    • 500+

      ¥0.9357
    • 3000+

      ¥0.8493
    • 6000+

      ¥0.7975
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 5.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.24
    • 10+

      ¥2.53
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.67
    • 1000+

      ¥1.57
  • 有货
  • TLP293 4由与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C,且具有较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.37
    • 10+

      ¥3.51
    • 30+

      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.34
    • 1000+

      ¥2.21
  • 有货
  • TLP291-4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP291-4可在较宽的工作温度范围(Ta = -55至110 °C)内保证性能,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.19
    • 10+

      ¥4.15
    • 30+

      ¥3.62
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.64
  • 有货
  • ICLOADSWITCH8CH0.5A18SOP
    数据手册
    • 1+

      ¥6.06
    • 10+

      ¥4.98
    • 30+

      ¥4.39
    • 100+

      ¥3.72
    • 500+

      ¥3.42
    • 1000+

      ¥3.28
  • 有货
  • 适用于功率放大器应用,与2SC5200互补,推荐用于100W高保真音频放大器输出级。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.22
    • 10+

      ¥8.6
    • 30+

      ¥7.71
    • 100+

      ¥6.5
    • 500+

      ¥6.06
    • 1000+

      ¥5.85
  • 有货
  • 特性:高击穿电压:VCEO = 230 V (min)。 与2SA1943互补。 适用于100W高保真音频放大器的输出级
    数据手册
    • 1+

      ¥10.62
    • 10+

      ¥8.95
    • 30+

      ¥7.9
    • 100+

      ¥6.6
    • 500+

      ¥6.11
    • 1000+

      ¥5.9
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA)= 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1479
    • 200+

      ¥0.1182
    • 600+

      ¥0.1017
    • 3000+

      ¥0.0918
    • 9000+

      ¥0.0832
    • 21000+

      ¥0.0786
  • 有货
  • 特性:1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 56 mΩ(最大值)(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ(最大值)(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ(最大值)(@VGS = 1.8 V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.238
    • 100+

      ¥0.2068
    • 300+

      ¥0.1912
    • 3000+

      ¥0.1795
    • 6000+

      ¥0.1702
    • 9000+

      ¥0.1655
  • 有货
  • 低电压高速开关。符合AEC Q101标准。低正向电压Δ:VF(3) = 0.54V(典型值)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3233
    • 100+

      ¥0.2544
    • 300+

      ¥0.22
    • 3000+

      ¥0.1942
    • 6000+

      ¥0.1735
    • 9000+

      ¥0.1632
  • 有货
  • 双通道多路复用器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.966885 ¥1.3245
    • 50+

      ¥0.73521 ¥1.167
    • 150+

      ¥0.582735 ¥1.0995
    • 500+

      ¥0.538109 ¥1.0153
    • 3000+

      ¥0.518234 ¥0.9778
    • 6000+

      ¥0.506309 ¥0.9553
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 65mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V);RDS(ON) = 51mΩ(典型值)(@ VGS = 10V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1233
    • 50+

      ¥0.8713
    • 150+

      ¥0.7633
    • 500+

      ¥0.6286
    • 3000+

      ¥0.5686
    • 6000+

      ¥0.5326
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品,它在物理尺寸上更小/更薄,并且符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.07
    • 500+

      ¥1.86
    • 1500+

      ¥1.75
  • 有货
  • TLP627M是一款光耦合器,由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高,TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用
    • 1+

      ¥4.21
    • 10+

      ¥3.36
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.52
    • 500+

      ¥2.27
    • 1500+

      ¥2.14
  • 有货
  • 新产品,超小体积,ULN2803升级品,场效应管作输出管,管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.3
    • 10+

      ¥3.44
    • 30+

      ¥3.01
    • 100+

      ¥2.58
    • 500+

      ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.19
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35Ω(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 640V)。 增强模式:VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥4.34
    • 10+

      ¥3.54
    • 50+

      ¥3.14
    • 100+

      ¥2.74
    • 500+

      ¥2.5
    • 1000+

      ¥2.38
  • 有货
  • 20MBd 双路高速光耦,CMR@15KV/uS
    数据手册
    • 1+

      ¥6.7
    • 10+

      ¥5.92
    • 30+

      ¥5.19
    • 100+

      ¥4.64
  • 有货
  • 隔离电压:3750Vrms 导通电流:1.4A off状态输出端电压:60V
    • 1+

      ¥7.94
    • 10+

      ¥6.54
    • 30+

      ¥5.77
    • 100+

      ¥4.9
    • 500+

      ¥4.51
    • 1000+

      ¥4.33
  • 有货
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