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描述

价格(含税)

库存

操作

AC,DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

数据手册

1+
￥14.46
10+
￥12.32
30+
￥10.98
100+
￥9.61
500+
￥8.99
1500+
￥8.72

有货

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电压:30V 电流:100mA

型号：1SS416,L3M(B 编号：C2943683

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速开关

数据手册

20+
￥0.1869
200+
￥0.1437
600+
￥0.1197
2000+
￥0.1053
10000+
￥0.0928
20000+
￥0.086

有货

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电压:80V 电流:100mA

型号：1SS352(TPH3,F) 编号：C2847394

封装：USC

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。小封装。低正向电压：0.98V（典型值）。快速反向恢复时间：1.6 ns（典型值）。小总电容：0.5 pF（典型值）

20+
￥0.1983
200+
￥0.1521
600+
￥0.1265
3000+
￥0.1111
9000+
￥0.0978
21000+
￥0.0906

有货

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80V 100mA

型号：1SS226(TE85L,F) 编号：C165923

封装：S-Mini

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。应用：超高速开关

数据手册

10+
￥0.239
100+
￥0.1836
300+
￥0.1558
3000+
￥0.135
6000+
￥0.1184
9000+
￥0.11

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：CTS520,L3F 编号：C2847407

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低反向电流：IR(2) = 5μA (最大值)。小芯片级封装：厚度 = 0.40mm (最大值)。应用：高速开关

10+
￥0.2654
100+
￥0.2126
300+
￥0.1862
1000+
￥0.1664
5000+
￥0.1505
10000+
￥0.1181

有货

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NPN 电流:500mA 电压:50V

型号：2SC3325-Y,LF 编号：C165920

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的hPE线性度：hPE(q) = 25（最小值）（VCE = 6V，IC = 400 mA）。高电压：VCEO = 50V（最小值）。与2SA1313互补。小封装。应用：音频低功率放大器。驱动级放大器

数据手册

10+
￥0.3598
100+
￥0.283
300+
￥0.2446
3000+
￥0.2158
6000+
￥0.1927
9000+
￥0.1812

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.5A

型号：SSM3K318R,LF 编号：C146333

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)；RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用：负载开关。超高速开关

数据手册

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
3000+
￥0.3397
6000+
￥0.318

有货

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200V 1A

型号：CRH01(TE85L,Q,M) 编号：C2847411

封装：S-FLAT(1.6x3.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：重复峰值反向电压：VRRM = 200V。平均正向电流：IF(AV) = 1A。峰值正向电压：VFM = 0.98V(Max.)。极快反向恢复时间：trr = 35 ns (Max.)。因采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装

数据手册

5+
￥0.9667
50+
￥0.7423
150+
￥0.6462
500+
￥0.5262
3000+
￥0.4728
6000+
￥0.4407

有货

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电压:30V 电流:5A

型号：CMS04(TE12L,Q,M) 编号：C603062

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

近年来，从计算机、家用电器到汽车和工业设备等众多产品，都对减小尺寸和重量的有效解决方案提出了需求。不同应用场景对半导体的要求也有所不同。以电源为例，要求在更小的尺寸内容纳更高的容量，这会提高系统的运行温度

数据手册

5+
￥1.1561
50+
￥0.9396
150+
￥0.8468
500+
￥0.731
3000+
￥0.611
6000+
￥0.58

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C74225

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器，在 SO4 封装中，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 125 °C），因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.4583
50+
￥1.1458
150+
￥1.0118
500+
￥0.8448
2500+
￥0.7267
5000+
￥0.6821

有货

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2SC6124(TE12L,ZC)

型号：2SC6124(TE12L,ZC) 编号：C5340733

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.5295
50+
￥1.1887
150+
￥1.0426
1000+
￥0.8603
2000+
￥0.7792
5000+
￥0.7305

有货

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TLP2761(TP,E(T

型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥2.85
10+
￥2.51
30+
￥2.35
100+
￥2.18
500+
￥2.08
1500+
￥2.02

有货

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8通道灌电流型DMoS晶体管阵列

型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

1+
￥4.36
10+
￥3.49
30+
￥3.06
100+
￥2.63
500+
￥2.38
1000+
￥2.25

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:92A

型号：TPH3R704PL,L1Q 编号：C141553

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.0 mΩ（典型值） (V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值） (V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.8
500+
￥2.55
1000+
￥2.42

有货

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8通道源型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62783AFNG(Z,EL) 编号：C4153829

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

1+
￥4.71
10+
￥3.77
30+
￥3.3
100+
￥2.83
500+
￥2.55
1000+
￥2.4

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V 停产

型号：TLP627(F) 编号：C96253

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装（DIP），提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥5.37
10+
￥4.29
30+
￥3.75
100+
￥3.21
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:150A

型号：TPHR8504PL,LQ(M1W 编号：C22388172

封装：DFN-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥6.04
10+
￥4.84
30+
￥4.24
100+
￥3.64
500+
￥3.29
1000+
￥3.1

有货

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600V 50A

型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

1+
￥10.27
10+
￥8.58
25+
￥6.52
100+
￥5.48
500+
￥5.01
1000+
￥4.8

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：1A@8/20us

型号：DF2S6.8FS,L3M 编号：C1972978

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

数据手册

20+
￥0.1546
200+
￥0.1157
600+
￥0.094
2000+
￥0.0811
10000+
￥0.0698
20000+
￥0.0638

有货

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80V 100mA 停产

型号：1SS302TE85LF 编号：C150148

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-70。低正向电压：0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：1.6ns（典型值）。小总电容：0.9pF（典型值）。重量：0.006g（典型值）

数据手册

10+
￥0.246
100+
￥0.1932
300+
￥0.1668
3000+
￥0.147
6000+
￥0.1312
9000+
￥0.1232

有货

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电压:40V 电流:500mA

型号：CUS05S40,H3F 编号：C442418

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(2) = 0.56 V（典型值）(@IF = 500mA)。应用：高速开关

10+
￥0.3959
100+
￥0.3095
300+
￥0.2663
3000+
￥0.2339
6000+
￥0.208
9000+
￥0.195

有货

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1SV325,H3F(T

型号：1SV325,H3F 编号：C4153758

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

5+
￥0.5465
50+
￥0.4265
150+
￥0.3665
500+
￥0.3215
2500+
￥0.2855
4000+
￥0.2675

有货

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10V 280mΩ 电容比2

型号：1SV281(TPH3,F) 编号：C146317

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于小型调谐器

数据手册

5+
￥1.0846
50+
￥0.9565
150+
￥0.9016
500+
￥0.741548 ￥0.8332
2500+
￥0.714403 ￥0.8027
4000+
￥0.698116 ￥0.7844

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

数据手册

5+
￥1.2161
50+
￥0.9691
150+
￥0.8633
500+
￥0.6331
2500+
￥0.5743
5000+
￥0.539

有货

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CMOS数字集成电路，双4输入与门

型号：74VHC21FT 编号：C4470883

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC21FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

5+
￥1.3991
50+
￥1.0866
150+
￥0.9527
500+
￥0.7856
2500+
￥0.7112
5000+
￥0.6665

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:6A

型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.4317
50+
￥1.1113
150+
￥0.9739
500+
￥0.8026
3000+
￥0.7263
6000+
￥0.6805

有货

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CMOS数字集成电路，2位总线开关

型号：TC7WB66CFK,LF 编号：C516178

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WB66CFK/L8X 和 TC7WB67CFK/L8X 是低导通电阻、高速 CMOS 2 位总线开关。这些总线开关能够以极小的传播延迟实现连接或断开，同时保持 CMOS 的低功耗特性

数据手册

5+
￥1.4849
50+
￥1.1671
150+
￥1.0309
500+
￥0.861
3000+
￥0.7854

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP182(GB-TPL,E 编号：C96457

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.5566
50+
￥1.1836
150+
￥1.0238
500+
￥0.8243
3000+
￥0.7355
6000+
￥0.6822

有货

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NPN 5A 50V

型号：2SC5886A(T6L1,NQ) 编号：C5156044

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (Ic = 0.5 A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22 V (最大值)。高速开关：tf = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

5+
￥2.3575
50+
￥1.8787
150+
￥1.6735
500+
￥1.4175
2000+
￥1.3035

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥3.0888 ￥7.02
10+
￥1.9924 ￥5.86
30+
￥1.2528 ￥5.22
100+
￥1.08 ￥4.5
500+
￥1.0032 ￥4.18
1000+
￥0.9696 ￥4.04

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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最快4小时发货
严控渠道

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降低成本

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