东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-16-4.6mm

TLP291-4由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4光电耦合器采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于TLP291-4可在较宽的工作温度范围（Ta = -55至110 °C）内保证性能，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥5.87
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￥3
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型号：TBD62783AFG(Z,EL) 编号：C840444

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：8 电路内置。高电压：VOUT = 50V（最大值）。高电流：IOUT = -500mA（每通道最大值）。输入电压（输出开启）：2.0V（最小值）。输入电压（输出关闭）：0.6V（最大值）。封装：PG 型 P-DIP18-300-2.54-001；FG 型 SOP18-P-375-1.27；FNG 型 SSOP18-P-225-0.65；FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001

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型号：TLP172A(TP,F) 编号：C99477

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172A由一个砷化镓红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SOP封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通/断控制。

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￥11.52
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￥9.28
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型号：SSM3K15AMFV,L3F 编号：C516857

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω（最大值）(@ VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω（最大值）(@ VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

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￥0.1878
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￥0.1442
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￥0.1054
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￥0.0928
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￥0.0861

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型号：SSM3J35CT,L3F 编号：C396019

封装：CST-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。模拟开关应用。 1.2V 驱动低导通电阻：Rₒₙ = 44Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.2V）。Rₒₙ = 22Ω（最大值）（V₍GS₎ = -1.5V）。Rₒₙ = 11Ω（最大值）（V₍GS₎ = -2.5V）。Rₒₙ = 8Ω（最大值）（V₍GS₎ = -4.0V）

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￥0.413244 ￥0.7947
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￥0.294336 ￥0.7008
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￥0.211392 ￥0.6606
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￥0.195328 ￥0.6104
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￥0.188192 ￥0.5881
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￥0.183904 ￥0.5747

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型号：TC7SET08FU,LJ(CT 编号：C92250

封装：SOT-353

品牌：TOSHIBA(东芝)

2-输入与门

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￥0.4243
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￥0.2966

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型号：CRH01(TE85L,Q,M) 编号：C2847411

封装：S-FLAT(1.6x3.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：重复峰值反向电压：VRRM = 200V。平均正向电流：IF(AV) = 1A。峰值正向电压：VFM = 0.98V(Max.)。极快反向恢复时间：trr = 35 ns (Max.)。因采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装

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￥0.989
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￥0.4509

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型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

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￥1.483
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￥1.1554
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￥0.8399
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型号：74VHC273FT 编号：C2677964

封装：TSSOPB-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC273FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八D型触发器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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￥1.5171
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￥1.3282
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￥1.2473
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￥1.1463
2500+
￥1.1014

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型号：74VHCT14AFT(BJ) 编号：C6423715

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。引脚配置和功能与74VHC04FT相同，但输入具有迟滞特性，凭借其施密特触发器功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。输入电压与TTL输出电压兼容。可作为3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压，这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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￥1.95
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￥1.72
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￥1.62
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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥2.85
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￥2.35
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￥2.08
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￥2.02

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型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.51 ￥7.02
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￥2.344 ￥5.86
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￥1.566 ￥5.22
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￥1.35 ￥4.5
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￥1.254 ￥4.18
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型号：TPH8R80ANH,L1Q(M 编号：C5328892

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 13 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.4 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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￥4.7641 ￥6.71
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￥2.4708 ￥3.48

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型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C95713

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 4由光电晶体管组成，这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合，可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：TCKE812NA,RF 编号：C1880271

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是18V高输入电压单输入-单输出电子保险丝IC。可作为可重复使用的保险丝，具备多种保护功能，如通过外部电阻调节过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容调节压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅28mΩ（典型值），高输出电流可达5.0A，宽输入电压工作特性使其适用于硬盘驱动器电源电路和电池充电等电源管理应用。采用0.4mm间距的小型封装WsON10B（3.0mm x 3.0mm，厚度：0.7mm（典型值）），适用于需要高密度焊接的便携式电子设备等各种应用。

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型号：TLP2704(TP,E 编号：C393893

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器光耦合组成，采用SO6L封装。支持高达125℃的工作温度，SO6L封装符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。保证了传播延迟时间和脉冲宽度失真的最小值和最大值，适用于电机控制应用中IPM和控制IC电路之间的隔离接口。

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￥5.3
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型号：TPH4R008NH,L1Q(M 编号：C396039

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小尺寸、薄封装。高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

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型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

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型号：TLP292-4(TP,E 编号：C5349740

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms)，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥7.64
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￥4.34
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型号：TLP3122A(TPL,E 编号：C4153843

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

隔离电压:3750Vrms 导通电流:1.4A off状态输出端电压:60V

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型号：TPH3R70APL,L1Q(M 编号：C471285

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 21 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 74 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

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型号：2SC5200-O(Q) 编号：C559174

封装：TO-3PL

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高击穿电压：VCEO = 230 V (min)。与2SA1943互补。适用于100W高保真音频放大器的输出级

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￥9.06
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型号：TPD2015FN,L1F(S 编号：C5353808

封装：SSOP-30-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TPD2015FN是一款带有MOSFET输出的高端开关阵列（8通道）。这是一款单片功率IC，可直接由CMOS、TTL逻辑电路（如MCU等）驱动，具备过流和过温保护功能。

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型号：TPD2007F(EL,F) 编号：C114443

封装：SOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥8.6

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型号：TLP3556A(TP1,F 编号：C2152263

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外LED光耦合，采用4引脚DIP封装。低导通电阻和高允许导通电流，适用于电力线控制应用。

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型号：2SA1586-GR,LF 编号：C6380449

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。高电压：VCEO = -50V。高集电极电流：IC = -150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

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￥0.1898
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型号：1SS389,L3F 编号：C516855

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用，小封装，正向电压低。

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￥0.1507

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型号：RN1402,LF 编号：C7421322

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2401至RN2406互补。应用：开关。逆变器电路

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￥0.2183
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型号：1SV323,H3F 编号：C516856

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

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型号：74VHC14FT(BJ) 编号：C80863

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与74VHC04FT相同，但输入具有滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

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