东芝驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP785(GB-TP6,F 编号：C45445

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (交流：5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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5+
￥0.637
50+
￥0.503
150+
￥0.4341
500+
￥0.3774
2000+
￥0.3575
4000+
￥0.3441

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1+
￥5.12
10+
￥4.25
30+
￥3.63
100+
￥3.12
500+
￥2.96
1500+
￥2.86

有货

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型号：TLP240A(TP1,F 编号：C146360

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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￥4.81
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￥3.98
30+
￥3.4
100+
￥2.92
500+
￥2.84
1500+
￥2.75

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型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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1+
￥5.03
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￥4.32
30+
￥3.82
100+
￥3.41
500+
￥2.47
1000+
￥2.39

有货

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型号：TLP2309(TPL,E 编号：C85066

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1Mbit高速光耦，支持5V和3.3V供电

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1+
￥3.05
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￥2.36
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￥2.02
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￥1.72
500+
￥1.57
1000+
￥1.52

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型号：TLP2355(TPL,E 编号：C99485

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±20kV/μs，有逻辑缓冲输出，还有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.42
30+
￥2.07
100+
￥1.77
500+
￥1.61
1000+
￥1.56

有货

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型号：TLP293(GB-TPL,E 编号：C77656

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥0.9209
50+
￥0.7043
150+
￥0.5985
500+
￥0.5042
2500+
￥0.477
5000+
￥0.4615

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型号：TLP2361(TPL,E 编号：C107626

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速光电探测器

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1+
￥3.1
10+
￥2.42
30+
￥2.09
100+
￥1.79
500+
￥1.53
1000+
￥1.48

有货

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型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C99494

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE) 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

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5+
￥1.0195
50+
￥0.7811
150+
￥0.6647
500+
￥0.5608
2500+
￥0.5323
5000+
￥0.5152

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型号：TLP2160(TP,F) 编号：C393887

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装，具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对，有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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1+
￥7.22
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￥5.99
30+
￥5.32
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￥4.56
500+
￥3.88
1000+
￥3.73

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型号：T2N7002BK,LM 编号：C146372

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

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50+
￥0.1072
500+
￥0.0829
3000+
￥0.0694
6000+
￥0.0613
24000+
￥0.0543
51000+
￥0.0505

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型号：74HC595D(BJ) 编号：C431479

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8- 位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 8 位移位寄存器/锁存器，能实现与等效 LSTTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗特性。包含一个 8 位移位寄存器，为一个 8 位存储寄存器提供数据。移位操作在 SCK 输入的上升沿完成，输出寄存器在 RCK 输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于 RCK 和 SCK 信号相互独立，在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且，由于并行输出是三态的，它可以直接连接到 8 位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

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5+
￥1.0987
50+
￥0.876
150+
￥0.7805
500+
￥0.6614
2500+
￥0.5919
5000+
￥0.56

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型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥5.54
10+
￥4.42
50+
￥3.86
100+
￥3.3
500+
￥2.97
1000+
￥2.79

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型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

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1+
￥5.55
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￥4.44
50+
￥3.88
100+
￥3.33
500+
￥3
1000+
￥2.83

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型号：TLP175A(TPL,E 编号：C141522

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP175A光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用4引脚SO6封装。这款光电继电器需要1mA的LED电流才能导通

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1+
￥6.6
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￥5.38
30+
￥4.77
100+
￥4.17
500+
￥2.89
1000+
￥2.7

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型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

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10+
￥0.283
100+
￥0.2254
300+
￥0.1966
3000+
￥0.1556
6000+
￥0.1383
9000+
￥0.1296

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型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用

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10+
￥0.3801
100+
￥0.2985
300+
￥0.2578
3000+
￥0.2188
6000+
￥0.1943
9000+
￥0.182

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型号：CUS08F30,H3F 编号：C150183

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：Vr(3) = 0.40V（典型值）。通用USC封装，相当于SOD-323和SC-76封装。应用：高速开关

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5+
￥0.5036
50+
￥0.3937
150+
￥0.3387
500+
￥0.2974
3000+
￥0.2644
6000+
￥0.2479

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型号：TLP290(GB-TP,SE 编号：C73839

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合，可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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5+
￥1.0872
50+
￥0.8504
150+
￥0.7488
500+
￥0.6222
2500+
￥0.5484
5000+
￥0.5146

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型号：TLP5701(TP,E 编号：C74960

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准

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1+
￥2.41
10+
￥2.12
30+
￥1.98
100+
￥1.83
500+
￥1.75
1500+
￥1.71

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型号：TLP118(TPL,E) 编号：C89721

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.26
30+
￥2.89
100+
￥2.53
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

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型号：TLP293-4(GB-TP,E 编号：C112623

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293 4由与铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP293 4光电耦合器采用超小型薄型SO16封装。由于TLP293 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C，且具有较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥4.22
10+
￥3.39
30+
￥2.97
100+
￥2.56
500+
￥2.26
1000+
￥2.13

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型号：TLP184(GB-TPL,SE 编号：C49659

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如混合集成电路。

数据手册

5+
￥0.9784
50+
￥0.7614
150+
￥0.6684
500+
￥0.5524
3000+
￥0.5007
6000+
￥0.4697

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型号：TLP2745(TP,E 编号：C146330

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2745由高输出GaAlAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用厚度最大为2.3 mm的薄型SO6L封装。

数据手册

1+
￥4.37
10+
￥3.55
30+
￥3.14
100+
￥2.74
500+
￥2.19
1500+
￥2.06

有货

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型号：TPH2R608NH,L1Q(M 编号：C5379811

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 28 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 75 V)。增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器