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描述

价格(含税)

库存

操作

DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP293(GB-TPL,E 编号：C77656

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.9896
50+
￥0.7713
150+
￥0.6777
500+
￥0.561
2500+
￥0.5077
5000+
￥0.4765

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥4.81
10+
￥4.14
30+
￥3.67
100+
￥3.29
500+
￥2.41
1000+
￥2.33

有货

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N沟道耐压:60V 电流:400mA

型号：T2N7002BK,LM 编号：C146372

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：ESD(HBM) 等级：2 kV。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关

数据手册

50+
￥0.1072
500+
￥0.0829
3000+
￥0.0694
6000+
￥0.0613
24000+
￥0.0543
51000+
￥0.0505

有货

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三态输出串行至串行或并行移位寄存器

型号：74HC595D(BJ) 编号：C431479

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

8- 位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 8 位移位寄存器/锁存器，能实现与等效 LSTTL 类似的高速操作，同时保持 CMOS 的低功耗特性。包含一个 8 位移位寄存器，为一个 8 位存储寄存器提供数据。移位操作在 SCK 输入的上升沿完成，输出寄存器在 RCK 输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于 RCK 和 SCK 信号相互独立，在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且，由于并行输出是三态的，它可以直接连接到 8 位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入都配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥1.229
50+
￥0.9619
150+
￥0.8474
500+
￥0.7045
2500+
￥0.6212
5000+
￥0.583

有货

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1个N沟道耐压:900V

型号：TK7A90E,S4X(S 编号：C5331584

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.29
10+
￥4.23
50+
￥3.7
100+
￥3.18
500+
￥2.87
1000+
￥2.71

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP175A(TPL,E 编号：C141522

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP175A光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用4引脚SO6封装。这款光电继电器需要1mA的LED电流才能导通

数据手册

1+
￥6.35
10+
￥5.27
30+
￥4.73
100+
￥4.19
500+
￥3.06
1000+
￥2.9

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:6A

型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

数据手册

10+
￥0.3094
100+
￥0.247
300+
￥0.2158
3000+
￥0.1712
6000+
￥0.1525
9000+
￥0.1431

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用

数据手册

10+
￥0.3801
100+
￥0.2985
300+
￥0.2578
3000+
￥0.2188
6000+
￥0.1943
9000+
￥0.182

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP290(GR-TP,SE 编号：C99494

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290(SE) 由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合，并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路

数据手册

5+
￥1.1226
50+
￥0.862
150+
￥0.7348
500+
￥0.6214
2500+
￥0.5902
5000+
￥0.5715

有货

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TLP155E(TPL,E

型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.54
30+
￥2.23
100+
￥1.85
500+
￥1.68
1000+
￥1.57

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V 停产

型号：TLP118(TPL,E) 编号：C89721

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥4.01
10+
￥3.28
30+
￥2.91
100+
￥2.55
500+
￥1.99
1000+
￥1.87

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):2500V

型号：TLP2160(TP,F) 编号：C393887

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装，具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对，有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥7.64
10+
￥6.34
30+
￥5.63
100+
￥4.83
500+
￥4.11
1000+
￥3.95

有货

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电压:30V 电流:800mA

型号：CUS08F30,H3F 编号：C150183

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：Vr(3) = 0.40V（典型值）。通用USC封装，相当于SOD-323和SC-76封装。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.4915
50+
￥0.3851
150+
￥0.3318
500+
￥0.2919
3000+
￥0.26
6000+
￥0.244

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP290(GB-TP,SE 编号：C73839

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290由光电晶体管组成，该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合，可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

数据手册

5+
￥1.2684
50+
￥0.9927
150+
￥0.8745
500+
￥0.7271
2500+
￥0.6412
5000+
￥0.6018

有货

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BiCD集成硅单片电路，7通道下沉型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62003AFWG 编号：C114084

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2003AFWG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.03
30+
￥2.71
100+
￥2.3
500+
￥2.12
1000+
￥1.81

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压60V

型号：TLP172AM(TPL,E 编号：C2152276

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP172AM由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合组成，采用4引脚SO6封装。这款光电继电器的输出电流额定值比光电晶体管型光电耦合器更高；因此，它适用于大电流的通断控制。

数据手册

1+
￥4.89
10+
￥3.92
30+
￥3.43
100+
￥2.95
500+
￥2.54
1000+
￥2.39

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP185(GR-TPL,SE 编号：C128776

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.7661
50+
￥0.6002
150+
￥0.5172
500+
￥0.455
3000+
￥0.4052
6000+
￥0.3803

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TLP785(GB,F 编号：C193694

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5 kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

数据手册

5+
￥0.7963
50+
￥0.6331
200+
￥0.5087
500+
￥0.4475
2000+
￥0.3985
4000+
￥0.3741

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP184(GB-TPL,SE 编号：C49659

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

AC输入型光耦合器，由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装，具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如混合集成电路。

数据手册

5+
￥0.9811
50+
￥0.7644
150+
￥0.6715
500+
￥0.5556
3000+
￥0.504
6000+
￥0.4731

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:9A

型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1265
50+
￥0.8745
150+
￥0.7665
500+
￥0.6318
3000+
￥0.5718
6000+
￥0.5358

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP2309(TPL,E 编号：C85066

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1Mbit高速光耦，支持5V和3.3V供电

数据手册

1+
￥3.22
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.85
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5701(TP,E 编号：C74960

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个GaAlAs红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比，TLP5701在尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准

数据手册

1+
￥3.46
10+
￥2.76
30+
￥2.42
100+
￥2.08
500+
￥1.87
1500+
￥1.77

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：TLP5754(TP,E 编号：C331357

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

IGBT驱动光耦

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.16
30+
￥3.71
100+
￥3.26
500+
￥2.45
1500+
￥2.31

有货

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1个N沟道耐压:800V

型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.31
50+
￥3.77
100+
￥3.23
500+
￥2.91
1000+
￥2.75

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP250H(F) 编号：C88151

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥6.52
10+
￥5.29
50+
￥4.3
100+
￥3.69
500+
￥3.33
1000+
￥3.14

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:214A

型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.71
50+
￥7.96
100+
￥7.11
500+
￥6.74
1000+
￥6.57

有货

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1个N沟道耐压:900V

型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥4.56
10+
￥3.72
50+
￥3.3
100+
￥2.88
500+
￥2.63
1000+
￥2.5

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

数据手册

1+
￥6.36
10+
￥5.21
30+
￥4.57
100+
￥3.86
500+
￥3.54
1000+
￥3.4

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:207A

型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥9.29
10+
￥7.94
50+
￥6.81
100+
￥5.97
500+
￥5.6
1000+
￥5.43

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4A

型号：SSM3J334R,LF 编号：C396017

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于电源管理开关应用。

数据手册

10+
￥0.4116
100+
￥0.3298
300+
￥0.289
3000+
￥0.2583
6000+
￥0.2338
9000+
￥0.2215

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
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