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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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电压:150V 电流:1A
型号：DFLS1150Q-7 编号：C155245
封装：PowerDI-123
品牌：DIODES(美台)
特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗，高效率。 专利联锁夹设计，具有高浪涌电流能力。 无铅涂层，符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产。应用：开关电源直流-直流转换器。 续流二极管
数据手册

  • 5+

    ￥1.2206

  • 50+

    ￥0.9461

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    ￥0.8285

  • 500+

    ￥0.6818
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    四路2输入与门
    型号：74LV08AT14-13 编号：C842475
    封装：TSSOP-14
    品牌：DIODES(美台)
    74LV08A提供四个独立的2输入与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围

    • 5+

      ￥0.938432 ￥1.0912

    • 50+

      ￥0.730664 ￥0.9614

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    • 500+

      ￥0.552024 ￥0.8364

    • 2500+

      ￥0.53163 ￥0.8055

    • 5000+

      ￥0.51942 ￥0.787
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    SOT563封装，互补型预偏置NPN/PNP小信号晶体管
    型号：DCX144EH-7 编号：C460020
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.938872 ￥0.9988

    • 50+

      ￥0.681828 ￥0.8117

    • 150+

      ￥0.531394 ￥0.7181

    • 500+

      ￥0.479446 ￥0.6479

    • 3000+

      ￥0.437932 ￥0.5918

    • 6000+

      ￥0.417138 ￥0.5637
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    耐压:9.1V 电流:5uA@7V
    型号：SMAZ9V1-13-F 编号：C575532
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0006

    • 50+

      ￥0.8179

    • 150+

      ￥0.7266

    • 500+

      ￥0.6581
  • 有货
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    双向TVS 200V截止 峰值脉冲电流：1.2A
    型号：SMAJ200CA-13-F 编号：C134968
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0151

    • 50+

      ￥0.8133

    • 150+

      ￥0.7268

    • 500+

      ￥0.6188

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      ￥0.5419
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    3引脚微功率电压检测器
    型号：APX809S05-29SA-7 编号：C460559
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    APX809S/810S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与+2.5V、+3V、+3.3V和+5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本解决方案。这些电路执行单一功能：只要VCC电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后至少保持240ms的复位状态
    数据手册

    • 5+

      ￥1.044

    • 50+

      ￥0.8339

    • 150+

      ￥0.7439

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      ￥0.6316

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      ￥0.5566
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    NPN 电流:4.5A 电压:20V
    型号：ZXTN25020BFHTA 编号：C526803
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    先进的工艺能力和封装设计，最大限度地提高了这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.044638 ￥1.6849

    • 50+

      ￥0.772668 ￥1.4859

    • 150+

      ￥0.588252 ￥1.4006

    • 500+

      ￥0.543564 ￥1.2942

    • 3000+

      ￥0.523698 ￥1.2469

    • 6000+

      ￥0.51177 ￥1.2185
  • 有货
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    双向TVS 100V截止 峰值脉冲电流：1.2A
    型号：SMAJ100CA-13-F 编号：C134938
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0818

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      ￥0.852

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      ￥0.6306

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      ￥0.5759
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A
    型号：DMP3028LFDE-7 编号：C461077
    封装：UDFN2020-6
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0889

    • 50+

      ￥0.8616

    • 150+

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      ￥0.6427

    • 3000+

      ￥0.5886
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：D3V3X8U9LP3810-7 编号：C1973794
    封装：UDFN3810-9
    品牌：DIODES(美台)
    D3V3X8U9LP3810是一款高性能器件，适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用UDFN3810 - 9（B型）封装，具备高ESD浪涌能力、低ESD钳位电压和超低电容。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1106

    • 50+

      ￥0.8853

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    • 500+

      ￥0.6682
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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：12.4A
    型号：SMBJ30CA-13-F 编号：C135066
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=33.3V VC=48.4V IPP=12.4A 双向
    数据手册

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      ￥1.1141

    • 50+

      ￥0.9086

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    • 500+

      ￥0.7107
  • 有货
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    单向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：15.4A
    型号：SMBJ24A-13-F 编号：C135060
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=26.7V VC=38.9V IPP=15.4A 单向
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1323

    • 10+

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      ￥0.6772

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      ￥0.622

    • 1000+

      ￥0.5888
  • 有货
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    PNP 电流:1A 电压:80V
    型号：BC53-16PA-7 编号：C460676
    封装：DFN-3(2x2)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -80V。 高连续集电极电流：Ic = -1A。 峰值脉冲电流：ICM = -2A。 功耗：520mW。 低饱和电压：VCE(sat) < -500mV @ -0.5A。 互补NPN类型：BC56-16PA。应用：中功率开关或放大应用。 音频驱动和输出级
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1575

    • 50+

      ￥0.9388

    • 150+

      ￥0.8451

    • 500+

      ￥0.7282
  • 有货
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    NPN 电流:3A 电压:20V
    型号：DNLS320E-13 编号：C144152
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电阻：在3A时，RCE(SAT) = 80mΩ。 高直流电流增益：在IC = 2A时，hF > 400。 有互补PNP类型。 适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 无铅设计/符合RoHS标准。 环保器件
    数据手册

    • 1+

      ￥1.197 ￥2.1

    • 10+

      ￥0.8695 ￥1.85

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      ￥0.6438 ￥1.74

    • 100+

      ￥0.5957 ￥1.61

    • 500+

      ￥0.5735 ￥1.55

    • 1000+

      ￥0.5624 ￥1.52
  • 有货
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    3.3V 300mA 5.25V
    型号：AP7343DQ-33W5-7 编号：C5183854
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    是一款低压差稳压器，具有高输出电压精度、低RDS(ON)、高PSRR、低输出噪声和低静态电流的特点。该稳压器基于CMOS工艺。包含电压基准、误差放大器、限流电路和使能输入，可开启或关闭。通过集成电阻网络，可提供固定输出电压版本。凭借其低功耗以及线路和负载瞬态响应特性，非常适合对噪声敏感的汽车应用。采用SOT25、W-DFN2020-6 (SWP) (Type A1)和W-DFN2020-6 (SWP) (Type UXD)封装，可实现最小占位面积和密集PCB布局。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2015

    • 50+

      ￥0.9365

    • 150+

      ￥0.8229

    • 500+

      ￥0.6812

    • 3000+

      ￥0.6181
  • 有货
    • 立即购买
    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：D5V0L4B5SO-7 编号：C1869325
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    特性：提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。4 通道双向 ESD 保护。低通道输入电容。无铅/符合 RoHS 标准。“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2382

    • 50+

      ￥0.9721

    • 150+

      ￥0.8581

    • 500+

      ￥0.7158
  • 有货
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    升压型 500mA 2.6V~16V
    型号：AP3012KTR-G1 编号：C102618
    封装：SOT-23-5
    品牌：DIODES(美台)
    是一种基于电感的升压（降压-升压）转换器，采用高频（1.5MHz）工作，因此可以使用小型、低剖面电感。内置过压保护（OVP），当输出电压超过29V的OVP阈值时，设备将进入关断模式。采用标准SOT-23-5封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.261

    • 50+

      ￥1.0391

    • 150+

      ￥0.944

    • 500+

      ￥0.8254
  • 有货
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    独立式 耐压:36V 电流:0.5uA@27.4V
    型号：SMAZ36-13-F 编号：C150508
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2715

    • 50+

      ￥0.991

    • 150+

      ￥0.8707

    • 500+

      ￥0.7207

    • 2500+

      ￥0.6539
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V
    型号：ZXMN10A07FTA 编号：C140566
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2909

    • 50+

      ￥0.9941

    • 150+

      ￥0.867

    • 500+

      ￥0.7083

    • 3000+

      ￥0.6376
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:400V 电流:1A 反向恢复时间：28ns
    型号：US1GWF-7 编号：C150485
    封装：SOD-123F
    品牌：DIODES(美台)
    采用SOD123F（标准）封装的整流器，适用于功率因数校正电路中的升压二极管。适用于高温条件下的超快开关速度AC-AC和DC-DC转换器的二次整流和续流，用于消费类应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3042

    • 50+

      ￥1.0174

    • 150+

      ￥0.8945

    • 500+

      ￥0.7411
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
    型号：DMN3025LFV-13 编号：C3279394
    封装：PowerDI3333-8
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

    • 5+

      ￥1.3402

    • 50+

      ￥1.064

    • 150+

      ￥0.9456

    • 500+

      ￥0.7979

    • 3000+

      ￥0.7321
  • 有货
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    PNP 电流:1.5A 电压:20V
    型号：FMMT718TA 编号：C74079
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -20V。IC = -1.5A 连续集电极电流。ICM = -6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -1A。RCE(SAT) = 97mΩ 低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3473

    • 50+

      ￥1.1012

    • 150+

      ￥0.9958

    • 500+

      ￥0.8642
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    霍尔效应开关
    型号：AH1806-W-7 编号：C126663
    封装：SC-59-3
    品牌：DIODES(美台)
    AH1806是一款高灵敏度、微功耗全极霍尔效应开关IC，专为便携式和电池供电的消费类产品、家用电器及工业应用而设计，如智能电表磁干扰检测。基于两个灵敏的霍尔效应板和铜稳定架构，AH1806在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为支持便携式和电池供电设备，该设计经过优化，可在2.5V至5.5V的电源范围内工作，在3V电源下仅消耗24μW的功率
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3497

    • 50+

      ￥1.0615

    • 150+

      ￥0.938

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      ￥0.7839

    • 3000+

      ￥0.7153
  • 有货
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    单向TVS 90V截止 峰值浪涌电流：4.1A
    型号：SMBJ90A-13-F 编号：C135112
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=100V VC=146V IPP=4.1A 单向
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3589

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      ￥1.0542

    • 150+

      ￥0.9237

    • 500+

      ￥0.7608

    • 3000+

      ￥0.6882

    • 6000+

      ￥0.6447
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:450V
    型号：FMMT459TA 编号：C397955
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEV > 500V。 BVECV > 6V 反向阻断。 IC = 150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达 500mA 峰值脉冲电流。 625mW 功耗。 低饱和电压 < 90mV @ 50mA。应用：离线开关应用。 RCD 电路
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    耐压:100V 电流:0.8A
    型号：HD01-T 编号：C52151
    封装：MBS
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动装配。 微型封装，节省PCB空间。 UL认可组件索引下列出，文件编号E94661。 无铅表面处理，符合RoHS标准
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    双向TVS 130V截止 峰值浪涌电流：7.2A
    型号：SMCJ130CA-13-F 编号：C135131
    封装：SMC
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=144V VC=209V IPP=7.2A 双向
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    电压:45V 电流:10A
    型号：SDT10A45P5-13 编号：C2997843
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    封装在紧凑的高效散热PowerDi5中，具有非常低的VF和出色的高温反向泄漏稳定性，适合作为整流二极管、续流二极管或阻塞二极管使用。
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5.5A@8/20us
    型号：DT1240A-08LP3810-7 编号：C526598
    封装：UDFN3810-9
    品牌：DIODES(美台)
    DT1240A-08LP3810是一款高性能器件，适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用UDFN3810-9（B型）封装，具有高ESD浪涌能力和低电容。
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    电压:200V 电流:1A
    型号：DFLS1200-7 编号：C324985
    封装：PowerDI-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗，高效率。 专利联锁夹设计，具有高浪涌电流能力。 无铅表面处理，符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 有符合汽车标准的产品可供选择
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