美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FCX605TA 编号：C155228

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 120V。低饱和电压 < 1.5V @ 1A。达林顿晶体管 DFE > 2k @ 1A。 IC = 1A 高连续集电极电流。符合无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。应用：各种驱动功能。灯具

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型号：ZXCT1022E5TA 编号：C150487

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1022是一款精密高端电流检测监视器。使用此类器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。 ZXCT1022为需要最小检测电压的应用提供100的固定增益。极低的失调电压使仅10mV的检测电压就能实现3%的典型精度，为大电流下所需的小检测电阻提供了更好的容差。 20V至低至2.5V的宽输入电压范围使其适用于多种应用。最低工作电流仅为25μA，再加上其SOT23 - 5封装，使其也适用于便携式电池设备。

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型号：AL8807AW5-7 编号：C2678580

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款降压型 DC/DC 转换器，用于以恒定电流驱动 LED。该器件可以在 6V 至 36V 的电压源下串联驱动多达 9 个白色高亮度 LED。具有扩展的 CTRL 引脚电压范围，将其模拟调光范围增加到大于 10:1。改进的模拟调光范围使其适用于各种需要宽模拟调光范围的照明应用。以高达 1MHz 的频率进行开关，并控制上升和下降时间以减少 EMI。这允许使用小尺寸的外部组件，从而最小化所需的 PCB 面积。最大输出电流通过连接在 VIN 和 SET 输入引脚之间的外部电阻器设置。内置过温保护，因此如果发生故障，设备将自动关闭，并仅在其结温冷却后重新启动。

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型号：DMC3025LSDQ-13 编号：C5148568

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于直流电机控制和直流-交流逆变器。

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型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

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型号：DMP6023LFGQ-13 编号：C672173

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有PPAP支持，适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。

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型号：SMCJ24CAQ-13-F 编号：C1975850

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感汽车电路，抵御ISO7637 - 2中规定的浪涌，以及符合ISO10605标准的静电放电。

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型号：SBR05M60BLP-7 编号：C443659

封装：DFN-4(3x3)

品牌：DIODES(美台)

SBR05M60BLP采用低外形U-DFN3030-4封装，内部集成四个二极管，构成全桥配置。该器件具有低正向压降和出色的高温稳定性，非常适合用于对占用空间和外形高度有要求的桥式二极管应用。

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型号：ZXCT1109SA-7 编号：C82765

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1107/09/10是高端单极性电流检测监视器。这些器件在检测负载电流时无需中断接地层。宽共模输入电压范围、低静态电流，再加上SOT23封装，使其适用于一系列应用，包括适配器、汽车以及由工业24V电源轨供电的系统

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型号：FZT1151ATA 编号：C155344

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。高连续集电极电流：IC =-3A。峰值脉冲电流：ICM =-5A。低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

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型号：ZXTN2020FTA 编号：C460288

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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型号：ZVP4525GTA 编号：C211425

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代沟槽 MOSFET 具有独特结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，非常适合高效电源管理应用。

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型号：DMP6023LFG-7 编号：C526579

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：ZX5T951GTA 编号：C460272

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。高连续集电极电流：IC =-5.5A。峰值脉冲电流：ICM =-15A。低饱和电压：VCE(sat) <-70mV @-1A。低等效导通电阻：RSAT = 39mΩ。高增益保持：hFE 指定至-10A。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

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型号：BS250P 编号：C151450

封装：TO-92L-3

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-45V,-230mA,14Ω@-10V

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型号：ZXMP6A18KTC 编号：C154895

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）支持，适用于以下场景:断开开关。电机控制

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型号：DMP3007SCG-7 编号：C260899

封装：V-DFN3333-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

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型号：DMTH8012LPSQ-13 编号：C2960358

封装：TDFN-8-Power

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：同步整流器、背光照明、电源管理功能、直流-直流转换器。

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型号：DMT6008LFG-7 编号：C461111

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：3.0SMCJ28A-13 编号：C460481

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

特性：3000W 峰值脉冲功率耗散。 5V 至 170V 关断电压。单向和双向。 IEC-61000-4-2 ESD 空气放电 30kV，接触放电 30kV。人体模型 (HBM) 8kV；充电设备模型 (CDM) 1kV；机器模型 (MM) 800V。玻璃钝化芯片结构。出色的钳位能力。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合 JEDEC 高可靠性标准

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型号：ZXTP19060CZTA 编号：C780921

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

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型号：ZXMS6005DN8-13 编号：C2150232

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管（IntelliFET）MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关

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型号：ZXMP10A18KTC 编号：C154723

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-100V,-3.8A,150mΩ@-10V

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型号：FZT849TA 编号：C154747

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 30V。高连续集电极电流：IC = 7A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。功率耗散：PD = 3W。极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。极低的饱和电压。互补PNP型FZT949。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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