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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片

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描述

价格(含税)

库存

操作

耐压:7.5V 电流:0.5uA@6.0V

型号：DDZX7V5C-13 编号：C5378688

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常尖锐的击穿特性。在FR-4 PCB上的功耗为300mW。齐纳电压（Vz）的公差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的泄漏电流。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。有单独数据手册的汽车级兼容部件（DDZX5V1BQ）

数据手册

10+
￥0.2727
100+
￥0.2415
300+
￥0.2259
1000+
￥0.2143
5000+
￥0.2049

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:5uA@3.0V

型号：MMBZ5232BW-7-F 编号：C2760638

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：小尺寸表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.286092 ￥0.3532
100+
￥0.200646 ￥0.2826
300+
￥0.150853 ￥0.2473
3000+
￥0.134749 ￥0.2209
6000+
￥0.121817 ￥0.1997
9000+
￥0.115351 ￥0.1891

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:1.03A 700mA

型号：DMC2400UV-7 编号：C177025

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

这种新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

单价：
￥0.3123 / 个

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:0.1uA@6.2V

型号：DDZ9694-7 编号：C151594

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

数据手册

5+
￥0.31455 ￥1.0485
50+
￥0.18494 ￥0.9247
150+
￥0.08716 ￥0.8716
500+
￥0.08054 ￥0.8054
3000+
￥0.07759 ￥0.7759
6000+
￥0.07582 ￥0.7582

有货

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200V 200mA

型号：BAV21WS-7-F 编号：C151350

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.3151
100+
￥0.2564
300+
￥0.2271

有货

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P沟道耐压:50V 电流:130mA

型号：BSS84DW-7-F 编号：C161617

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.3233
100+
￥0.2562
300+
￥0.2227

有货

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单路 2 输入正与门

型号：74LVC1G08SE-7 编号：C460522

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

10+
￥0.326
100+
￥0.2567
300+
￥0.2221

有货

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双反相器

型号：74AUP2G04FW3-7 编号：C842395

封装：X2-DFN0910-6

品牌：DIODES(美台)

高级超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池续航而设计。74AUP2G04由两个具有标准推挽输出的反相器组成，设计工作电源范围为0.8V至3.6V。该器件针对使用IOFF的部分掉电应用进行了全面规格定义

数据手册

5+
￥0.34447 ￥0.4921
50+
￥0.2613 ￥0.4355
150+
￥0.2036 ￥0.4072
500+
￥0.193 ￥0.386
2500+
￥0.1845 ￥0.369
5000+
￥0.18025 ￥0.3605

有货

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NPN 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847BS-7-F 编号：C156292

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >45V。超小表面贴装封装。非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3526
100+
￥0.2854
300+
￥0.2518
3000+
￥0.2195

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V

型号：BZT52C15T-7 编号：C460787

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

10+
￥0.3661
100+
￥0.3037
300+
￥0.2725

有货

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80V 125mA

型号：1N4148WTQ-7 编号：C526201

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。非常小的表面贴装封装。用于通用开关应用。高电导。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.3854
100+
￥0.3182
300+
￥0.2846

有货

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独立式耐压:3V 电流:10uA@1V

型号：DZ9F3V0S92-7 编号：C5244901

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.3991
50+
￥0.3536
150+
￥0.3308
500+
￥0.3137
2500+
￥0.3
5000+
￥0.2932

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：BZT52HC5V1WF-7 编号：C5244730

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

特性：扁平引脚封装设计，实现低外形和高功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，为“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

10+
￥0.4067
100+
￥0.3254
300+
￥0.2847
3000+
￥0.2542

有货

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1对共阴极耐压:6.8V

型号：DZ23C6V8-7-F 编号：C150450

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

数据手册

10+
￥0.4147
100+
￥0.30321 ￥0.3369
300+
￥0.2384 ￥0.298
3000+
￥0.21504 ￥0.2688
6000+
￥0.1964 ￥0.2455
9000+
￥0.18712 ￥0.2339

有货

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耐压:60V 电流:300mA

型号：DMN601K-7 编号：C260937

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4171
100+
￥0.3403
300+
￥0.3019
3000+
￥0.2731
6000+
￥0.25

有货

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TVS 5V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：D5V0L1B2T-7 编号：C460441

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电±30kV，接触放电±30kV。 1通道ESD保护。低通道输入电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子设备

数据手册

10+
￥0.4255
100+
￥0.3391
300+
￥0.2959
3000+
￥0.2634

有货

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NPN 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847BFA-7B 编号：C155299

封装：DFN-3(0.8x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。集电极电流高：IC = 100mA。功率耗散：PD = 435mW。封装占地面积0.48mm²，比SOT23小16倍。封装高度0.4mm，可减少板外轮廓。互补PNP型BC857BFA。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。有单独数据手册的汽车兼容部件（BC847BFAQ）

数据手册

5+
￥0.4264 ￥1.04
50+
￥0.284332 ￥0.9172
150+
￥0.181566 ￥0.8646
500+
￥0.167769 ￥0.7989
2500+
￥0.161637 ￥0.7697
5000+
￥0.157941 ￥0.7521

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:510mA

型号：DMN2990UFA-7B 编号：C151598

封装：XFDFN-3(0.6x0.8)

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4326
100+
￥0.3579
300+
￥0.3205
1000+
￥0.2925
5000+
￥0.2664

有货

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三态输出，单缓冲门

型号：74LVC1G126SE-7 编号：C460528

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G126 是一款单路、同相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能 (OE) 引脚施加低电平时，输出将进入高阻抗状态

数据手册

10+
￥0.4342
100+
￥0.3483
300+
￥0.3054
3000+
￥0.2732

有货

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三态输出，双缓冲门

型号：74LVC2G125RA3-7 编号：C842614

封装：X2-DFN1210-8

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G125是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

5+
￥0.43551 ￥0.4839
50+
￥0.34264 ￥0.4283
150+
￥0.28028 ￥0.4004
500+
￥0.26572 ￥0.3796
2500+
￥0.25403 ￥0.3629
5000+
￥0.24815 ￥0.3545

有货

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P沟道耐压:50V 电流:130mA

型号：BSS84W-7-F 编号：C110490

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4371
100+
￥0.3494
300+
￥0.3056
3000+
￥0.2727

有货

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N沟道耐压:60V 电流:380mA

型号：2N7002KQ-7 编号：C111971

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制。

数据手册

10+
￥0.4435
100+
￥0.3602
300+
￥0.3185
3000+
￥0.2872

有货

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单通道限流负载开关

型号：AP2331SA-7 编号：C500764

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

AP2331是一款单通道限流集成高端功率开关，专为热插拔应用而优化。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并为承受重容性负载和可能发生短路的应用提供全面的保护解决方案。它具备反向电流阻断、过流、过温和短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能

数据手册

5+
￥0.4553
50+
￥0.3867
150+
￥0.3524
500+
￥0.3266
3000+
￥0.306
6000+
￥0.2957

有货

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5V 100mA 30V

型号：AS78L05RTR-E1 编号：C90471

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

适用于各种应用，包括本地、板载调节。具备内部限流、热关断保护和安全区补偿功能，几乎不受输出过载影响。若提供足够散热，可提供高达 100mA 的输出电流。有 TO-92（散装）、SOT-89 和 SOIC-8 封装。

数据手册

10+
￥0.471
100+
￥0.3899
300+
￥0.3494

有货

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400V 1.5A

型号：S2GA-13-F 编号：C674403

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理/符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

数据手册

10+
￥0.4794
100+
￥0.3857
300+
￥0.3389
1000+
￥0.3038

有货

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单施密特触发器反相器

型号：74AUP1G14FS3-7 编号：C842350

封装：X2-DFN0808-4

品牌：DIODES(美台)

先进超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池使用寿命而设计。AUP1G14是一款单路单输入施密特触发反相器门电路，具有标准推挽输出，设计工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件针对使用IOFF的部分掉电应用进行了全面规格定义

数据手册

5+
￥0.4874
50+
￥0.3794
150+
￥0.3254
500+
￥0.2849
2500+
￥0.2525

有货

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1对共阳极耐压:3.6V

型号：AZ23C3V6-7-F 编号：C780785

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.5118
100+
￥0.4189
300+
￥0.3725

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.5A

型号：DMP2160UW-7 编号：C99272

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻：100mΩ @ VGS =-4.5V。低导通电阻：120mΩ @ VGS =-2.5V。低导通电阻：160mΩ @ VGS =-1.8V。极低的栅极阈值电压 VGS(TH) ≤ 1V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册 DMP2160UWQ）

数据手册

5+
￥0.5129
50+
￥0.4167
150+
￥0.3686
500+
￥0.3325
3000+
￥0.2751

有货

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1.8V 150mA 6V

型号：AP7311-18WG-7 编号：C460369

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

150mA、可调及固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当使能（EN）引脚设置为逻辑高电平时，器件开启

数据手册

5+
￥0.5287
50+
￥0.4525
150+
￥0.407206 ￥0.4198
500+
￥0.367727 ￥0.3791
3000+
￥0.350073 ￥0.3609
6000+
￥0.3395 ￥0.35

有货

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耐压:600V 电流:1A 反向恢复时间：75ns

型号：US1J-13-F 编号：C85095

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。高电流能力。非常适合自动组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5304
50+
￥0.4183
150+
￥0.3622
500+
￥0.3202
2500+
￥0.2865

有货

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