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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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低电压通用比较器
型号：AZV331KTR-G1 编号：C132221
封装：SOT-23-5
品牌：DIODES(美台)
AZV331是一款低压（2.5V至5.5V）单比较器，其电源电流极低，仅为60μA，是便携式电子系统的理想选择。该器件与LMV331引脚兼容，可直接替换。 AZV331采用BiCMOS工艺制造，具有双极型输入和输出级，可改善噪声性能。对于便携式消费产品而言，它是一种经济高效的解决方案，在这些产品的电路设计中，空间、低电压、低功耗和成本是主要考量因素。
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    独立式 耐压:3.6V 电流:5uA@1.0V
    型号：BZT52C3V6LP-7 编号：C151430
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    单路缓冲器/驱动器，漏极开路输出
    型号：74LVC1G07FZ4-7 编号：C526340
    封装：X2-DFN1410-6
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G07是一款带有漏极开路输出的单缓冲门。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。
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    TVS 34V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
    型号：D34V0H1U2LP-7B 编号：C1977336
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。其小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和 MP3 播放器等便携式应用。
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    3引脚微处理器复位电路
    型号：APX809-46SAG-7 编号：C6125270
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    APX809/810用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与5V、3.3V、3.0V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调整环节，提供了出色的电路可靠性和低成本优势。 这些电路执行单一功能：只要VCC电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后，至少保持该信号240ms。有适用于多种电源电压操作的复位阈值可供选择。APX809/810具有推挽输出。APX809具有低电平有效复位输出，而APX810具有高电平有效复位输出。复位比较器设计为忽略VCC上的快速瞬变，并且保证在VCC低至1V时输出处于正确的逻辑状态。低电源电流使APX809/810非常适合用于便携式设备。APX809/810采用3引脚SOT23封装。

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    1个N沟道 耐压:25V 电流:0.26A
    型号：DMG301NU-13 编号：C2759894
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (Rₒₙ)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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    微功耗电压检测器，宽范围检测电压，低供电电流，多种延迟时间选项
    型号：APX803L20-29SR-7 编号：C5589080
    封装：SOT-23R
    品牌：DIODES(美台)
    APX803L是一款微功耗电压检测器系列产品，用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。从电路设计上看，其内部固定了一系列检测电压值，范围为1.2V至5.0V，每级间隔为0.1V。它的典型电源电流仅为1μA，对于需要检测功能的系统（如智能手机、电池供电设备、网络设备等）的电源效率几乎没有影响

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    800mV~5V 300mA 9V
    型号：AP7335-WG-7 编号：C460382
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    是一款300mA可调及固定输出电压的低压差线性稳压器，包含传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低 dropout 电压和低静态电流特性使其适用于低功耗应用，如电池供电设备，典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能可防止IC在故障条件下损坏。该设备输出电压可调范围为0.8V至5.0V，也有0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.7V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定版本。有SOT25和DFN2020-6封装。
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    TVS 36V截止 峰值浪涌电流：6.9A@10/1000us
    型号：P4SMAJ36ADF-13 编号：C5244573
    封装：D-FLAT
    品牌：DIODES(美台)
    特性：采用低轮廓 D-FLAT 封装，以优化电路板空间。 玻璃钝化芯片结构。 出色的钳位能力。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保型器件

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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：20.1A@8/20us
    型号：SMAJ12CA-13-F 编号：C134948
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    三态输出，双缓冲门
    型号：74LVC2G126HD4-7 编号：C526351
    封装：DFN-8(1x2)
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G126是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。
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    独立式 耐压:20V 电流:500nA@15.2V
    型号：SMAZ20-13-F 编号：C442456
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    40V 2A
    型号：SBR2A40SA-13 编号：C177084
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低漏电流。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 +150℃工作结温。 无铅表面处理：符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS。 DC-DC转换器
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    NPN 电流:500mA 电压:300V
    型号：FMMT497TA 编号：C80781
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    -
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    74LVC1G14FZ4-7
    型号：74LVC1G14FZ4-7 编号：C526341
    封装：X2-DFN1410-6
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。
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    电压:100V 电流:3A
    型号：B3100-13-F 编号：C134447
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗，高效率。 浪涌过载额定值达100A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层，符合RoHS标准。 绿色模塑化合物（无卤素和锑）
    数据手册

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    双施密特触发器缓冲器
    型号：74LVC2G17FX4-7 编号：C842623
    封装：X2-DFN1409-6
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G17是一款双施密特触发器缓冲门，具有标准推挽输出。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。
    数据手册

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    单向TVS 78V截止 峰值浪涌电流：3.2A
    型号：SMAJ78AQ-13-F 编号：C5249231
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    适合保护敏感的汽车电路，以防ISO7637-2中定义的浪涌，并根据ISO10605防止静电放电。

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:60mA
    型号：ZVN3320FTA 编号：C260863
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

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    恒压恒流控制器
    型号：AP4306AKTR-G1 编号：C500796
    封装：SOT-23-6
    品牌：DIODES(美台)
    AP4306是一款高度集成的解决方案，适用于恒压/恒流模式的开关电源（SMPS）应用。 AP4306包含一个1.21V电压基准源、一个用于电流检测电路的低电压基准源和两个运算放大器。1.21V电压基准源与一个运算放大器结合，构成了适用于适配器和电池充电器的理想电压控制器。低电压基准源与另一个运算放大器结合，构成了用于输出低端电流检测的理想电流限制器。 除了其电流控制环路的参考电压较低外，AP4306在功能和电气特性上与AP4305完全兼容。因此，与AP4305相比，AP4306在诸如低功率充电器等开关电源应用中可实现更高的功率效率。 AP4306采用SOT26封装。
    数据手册

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    电压:90V 电流:2A
    型号：B290-13-F 编号：C134446
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达60A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：引脚处+260℃/10秒。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    双施密特触发器反相器
    型号：74LVC2G14W6-7 编号：C384558
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G14 是一款具有标准推挽输出的双施密特触发器反相门。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。
    数据手册

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    1个独立式 耐压:82V 电流:0.25uA
    型号：1SMB5947B-13 编号：C5244680
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    特性：功率耗散：3.0W。 非常适合自动组装。 标称齐纳电压范围：6.2V-200V。 标准Vz公差：45%。 人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 5+

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    单路 2 输入正与非门
    型号：74AUP1G00SE-7 编号：C842317
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    Advanced Ultra Low Power (AUP) CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池寿命而设计。是一个单路双输入正与非门，具有标准推挽输出，设计用于在0.8V至3.6V的电源范围内工作。该器件针对使用Icc5的部分掉电应用进行了全面规格设计。Icc5电路可禁用输出，防止器件掉电时产生损坏性电流回流。该门执行正布尔函数：。Y = (A × B)的非，或Y = A(overline) + B(overline)
    数据手册

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    TVS 5V截止 峰值浪涌电流：90A@8/20us
    型号：D5V0H1U2LP1610-7 编号：C1975032
    封装：DFN1610-2
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
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    双向TVS 51V截止 峰值脉冲电流：4.9A
    型号：SMAJ51CA-13-F 编号：C134995
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    30V 2A
    型号：SBR2U30P1-7 编号：C132285
    封装：PowerDI-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：专利超级势垒整流器 (SBR) 技术。 超低正向电压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利互锁夹设计，具有高浪涌电流能力。 软、快速开关能力。 +150°C工作结温。 ±16kV ESD保护 (HBM, 3B)。 ±25kV ESD保护 (IEC61000-4-2 4级, 空气放电)。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
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    P沟道 耐压:30V 电流:3.9A
    型号：DMP3085LSD-13 编号：C155216
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
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    双向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：18.5A
    型号：SMBJ20CA-13-F 编号：C135057
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=22.2V VC=32.4V IPP=18.5A 双向
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：ZUMT591TA 编号：C7417861
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：极低的饱和电压。 500mW 功耗。 1A 连续集电极电流 (Ic)。应用：适用于对空间和重量要求严苛的应用

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