美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ES2G-13-F 编号：C154907

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达50A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。绿色模塑料（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥1.5497
50+
￥1.264
150+
￥1.1415
500+
￥0.9887
3000+
￥0.9206

有货

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型号：DXT751-13 编号：C460068

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。提供互补 NPN 类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅，符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.5562
50+
￥1.2582
150+
￥1.1304
500+
￥0.9711
2500+
￥0.9001

有货

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型号：ZLLS410TA 编号：C177096

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这种紧凑的SOD323封装肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合，包括大电流工作、极低的泄漏电流和低正向电压，确保适用于需要在较高温度（高于 +85°C）下高效运行的应用。

数据手册

5+
￥1.5686
50+
￥1.2693
150+
￥1.141
500+
￥0.981

有货

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型号：DMP3020LSS-13 编号：C155319

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

P沟道，-30V,-12A

数据手册

5+
￥1.585
50+
￥1.3107
150+
￥1.1931
500+
￥1.0464

有货

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型号：SMBJ22CAQ-13-F 编号：C1975329

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

数据手册

5+
￥1.5996
50+
￥1.2655
150+
￥1.1223
500+
￥0.9436

有货

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型号：B2100AF-13 编号：C134440

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

B2100AF是一款2A、100V的单整流器，采用薄型SMAF封装。该器件正向压降（VF）低，且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。

数据手册

5+
￥1.6062
50+
￥1.3228
150+
￥1.2013
500+
￥1.0497
2500+
￥0.9823
5000+
￥0.9418

有货

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型号：AH1887-ZG-7 编号：C507859

封装：SOT-553-5

品牌：DIODES(美台)

AH1887配备两个霍尔效应片和双CMOS输出驱动器，主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话、个人数字助理）而设计。在1.8V电源供电时，总工作功耗低至15μW。足够强度的北极或南极磁场都会使输出开启

数据手册

5+
￥1.6225
50+
￥1.2746
150+
￥1.1255
500+
￥0.9394
3000+
￥0.8565

有货

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型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

数据手册

5+
￥1.6649
50+
￥1.3198
150+
￥1.1719
500+
￥0.9874

有货

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型号：74AHCT595T16-13 编号：C460504

封装：TSSOP-16

品牌：DIODES(美台)

74AHCT595是一款先进的高速CMOS器件，其引脚与74LS低功耗肖特基类型器件兼容。一个8位移位寄存器在移位寄存器时钟（STCP）的每个正跳变沿从串行输入（DS）接收数据。当复位功能（MR(上划线)）置为低电平时，会将所有移位寄存器的值置为零，且该操作与所有时钟无关

数据手册

5+
￥1.6709
50+
￥1.3624
150+
￥1.2302
500+
￥1.0653

有货

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型号：ZVN4106FTA 编号：C508255

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVDSS > 60V。 RDS(on) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V。最大连续漏极电流 ID = 200mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.714
50+
￥1.4242
150+
￥1.3001
500+
￥1.1451

有货

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型号：DMTH4007LPSQ-13 编号：C3289394

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、直流-直流转换器、负载开关。

1+
￥1.76
10+
￥1.45
30+
￥1.29
100+
￥1.14
500+
￥1.04
1000+
￥0.99

有货

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型号：DMP6185SE-13 编号：C177038

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.7634
50+
￥1.4492
150+
￥1.3145
500+
￥1.1464

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型号：B370-13-F 编号：C134456

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达100A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层，符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

数据手册

1+
￥1.84
10+
￥1.62
30+
￥1.52
100+
￥1.4
500+
￥1.35
1000+
￥1.31

有货

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型号：DFLS230-7 编号：C110495

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥1.93116 ￥2.0328
50+
￥1.396465 ￥1.6429
150+
￥1.10685 ￥1.4758
500+
￥0.950475 ￥1.2673
3000+
￥0.880875 ￥1.1745
6000+
￥0.8391 ￥1.1188

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型号：SMCJ58CA-13-F 编号：C135181

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

VBR=64.4V VC=93.6V IPP=16A 双向

数据手册

5+
￥1.9602
50+
￥1.6009
150+
￥1.4469
500+
￥1.2548

有货

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型号：DMN3016lss-13 编号：C397943

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.0118
50+
￥1.6406
150+
￥1.4815
500+
￥1.283
2500+
￥1.1505

有货

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型号：GBP808N_HF 编号：C5374697

封装：GBP

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。额定电压达800V PRV。适用于印刷电路板。采用模制塑料，结构可靠。 UL认证编号E94661。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

5+
￥2.0459
50+
￥1.629
140+
￥1.4503
490+
￥1.2273

有货

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型号：AP5100WG-7 编号：C114647

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP5100是一款1.2A电流模式降压转换器,内置功率MOSFET,支持4.75V至24V的输入电压范围,输出电压可通过外部电阻分压器调节,范围为0.81V至15V。具有1.4MHz的固定开关频率,内置过流保护和热保护功能。

数据手册

5+
￥2.1011
50+
￥1.6475
150+
￥1.4531
500+
￥1.2106

有货

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型号：ZHCS400QTA 编号：C460116

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款采用SOD323封装的紧凑型肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合，包括大电流工作、极低漏电流和低正向电压，确保其适用于需要在较高温度（高于+85°C）下高效运行的应用。该器件已通过AEC - Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持。

数据手册

5+
￥2.1485
50+
￥1.7277
150+
￥1.5473
500+
￥1.3223

有货

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型号：ZXTP08400BFFTA 编号：C156264

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款 PNP 晶体管专为需要高阻断电压的应用而设计。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

数据手册

1+
￥2.2785 ￥2.45
10+
￥1.8094 ￥2.18
30+
￥1.5111 ￥2.07
100+
￥1.4089 ￥1.93
500+
￥1.3651 ￥1.87
1000+
￥1.3359 ￥1.83

有货

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型号：DMG6898LSD-13 编号：C154904

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光、电源管理功能、DC - DC转换器。

数据手册

5+
￥2.2921
50+
￥1.831
150+
￥1.6333
500+
￥1.3867
2500+
￥1.2769

有货

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型号：SDM40E20LSQ-7-F 编号：C526767

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

特性：极低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。应用：DC-DC 转换器。移动通讯

数据手册

5+
￥2.2966
50+
￥1.8289
150+
￥1.6284
500+
￥1.3783

有货

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型号：PDS3200-13 编号：C154732

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低正向压降。极低漏电流。高度稳定的氧化钝化结。高正向浪涌电流能力。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

1+
￥2.37
10+
￥2.15
30+
￥2.04
100+
￥1.94
500+
￥1.87
1000+
￥1.84

有货

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型号：DMP4025SFGQ-13 编号：C461091

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、背光照明、DC-DC转换器、打印设备。

1+
￥2.43
10+
￥2.17
30+
￥2.06
100+
￥1.92
500+
￥1.85
1000+
￥1.82

有货

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型号：SMCJ26A-13-F 编号：C135156

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=28.9V VC=42.1V IPP=35.6A 单向

数据手册

5+
￥2.4706
50+
￥1.9667
150+
￥1.7507
500+
￥1.4812

有货

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型号：DMP10H400SK3-13 编号：C177034

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.5238
50+
￥2.0397
150+
￥1.8322
500+
￥1.5734

有货

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型号：AP2311FGEG-7 编号：C526365

封装：UDFN3030-8

品牌：DIODES(美台)

AP2301和AP2311是单通道限流集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并且集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2.03
30+
￥1.79
100+
￥1.49
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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型号：AH49ENTR-G1 编号：C314698

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AH49E是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.06
30+
￥1.8
100+
￥1.48
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：DMTH3004LK3-13 编号：C397980

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.7206
50+
￥2.2496
150+
￥2.0478
500+
￥1.796

有货

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型号：DXT2011P5-13 编号：C155259

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。最大高度仅 1.1mm。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。使用射极跟随器的电压调节器

数据手册

1+
￥2.772 ￥2.8
10+
￥2.2873 ￥2.57
30+
￥1.9434 ￥2.46
100+
￥1.8565 ￥2.35
500+
￥1.8012 ￥2.28
1000+
￥1.7775 ￥2.25

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