美台驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMTH6016LSD-13 编号：C397954

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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￥3.55
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￥2.94
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型号：ZXTP2027FTA 编号：C460293

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。高连续集电极电流:IC = -4A。峰值脉冲电流:ICM = -10A。低饱和电压:最大 40mV @ IC = -1A。低等效导通电阻:IC = 1A 时,RCE(SAT) = 45mΩ。功率耗散:1.2W。应用：驱动 MOSFET 和 IGBT 的栅极。电机驱动

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型号：PAM2421AECADJR 编号：C500792

封装：SOIC-8-EP

品牌：DIODES(美台)

PAM242x系列器件是高性能、固定频率、电流模式的PWM升压型DC/DC转换器，内置功率MOSFET。PAM242x集成了一个功率MOSFET，可支持高达3A/4.5A/5.5A的峰值电流。PAM242x采用简单的外部环路补偿，可在各种应用中对元件尺寸、成本和交流性能进行优化

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型号：FZT1049ATA 编号：C73835

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。连续集电极电流高：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。低饱和电压：VCE(sat) < 70mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。 hFE指定高达20A，实现高增益保持。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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型号：ZMR500FTA 编号：C154745

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZMR 系列三端固定正电压稳压器具备内部限流功能，在热过载情况下会自动关闭，使器件不易损坏。该电路设计具有极低的静态电流，2.5V 器件仅为 30μA，非常适合低功耗应用。该系列的首批器件可将电压稳定在 2.5V 或 5V，驱动能力高达 50mA

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型号：FZT792ATA 编号：C115948

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -70V。 Ic Max.-2A High Continuous Current。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电池供电电路

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型号：ZXTN2010GTA 编号：C326515

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。连续集电极电流 IC = 6A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。低饱和电压 VCE(SAT) < 60mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 35mΩ @ IC = 6A，低等效导通电阻。 hZ 指定高达 10A，高增益保持。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

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型号：PI4ULS5V202UEX 编号：C481697

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

PI4ULS5V202是一款2位可配置双电源双向自动感应电平转换器，无需方向控制引脚。A端口和B端口分别用于跟踪VCCA和VCCB这两个不同的电源轨。VCCA和VCCB电源轨均可在1.2V至5.5V范围内进行配置

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型号：DMTH4008LPDWQ-13 编号：C19950022

封装：PowerDI5060-8(TYPEUxD)

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，拥有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于电机控制、电源管理功能、直流-直流转换器。

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型号：ZXCT1021E5TA 编号：C780912

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1021是一款精密高端电流检测监控器。使用此类器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。 ZXCT1021为需要最小检测电压的应用提供10倍的固定增益。极低的失调电压使仅10mV的检测电压就能实现3%的典型精度，为大电流下所需的小阻值检测电阻提供了更好的容差。 20V至低至2.5V的宽输入电压范围使其适用于多种应用。仅25μA的最小工作电流，再加上SOT23 - 5封装，使其也适用于便携式电池设备。

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型号：DMTH4004LK3-13 编号：C260930

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：DMT10H015LSS-13 编号：C526581

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 的设计旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。背光电源管理功能、直流 - 直流转换器

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型号：ZVN4525E6TA 编号：C508256

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

这款250V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格参数。它具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。

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￥3.4
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￥3.02
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￥2.64
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￥2.54

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型号：ZXMN4A06GTA 编号：C155253

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥4.73
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￥3.96
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型号：FL3200037 编号：C1987109

封装：SMD3225-4P

品牌：DIODES(美台)

4 引脚 FL 系列缝封装置包含一个超小型 AT 切割晶体谐振器，封装在标准 3.2×2.5mm 陶瓷封装中。这些紧凑型晶体非常适合在高密度或小尺寸 PCB 应用中进行表面贴装。

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型号：ZXT12N50DXTA 编号：C445022

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

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型号：AP64352QSP-13 编号：C5248547

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64352Q是一款汽车级3.5A同步降压转换器,具有3.8V至40V的宽输入电压范围。该器件集成了75mΩ高侧功率MOSFET和45mΩ低侧功率MOSFET,提供高效的降压DC-DC转换。该器件采用峰值电流模式控制,内置环路补偿网络,优化了电磁干扰（EMI）减少设计,支持频率扩展谱（FSS）和外部时钟同步。

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型号：PI6C49X0204AWIEX 编号：C2672870

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

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￥6.15
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型号：DPS1135FIA-13 编号：C2150216

封装：QFN-17-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

DPS1135 是一系列专为 USB 电力传输和其他热插拔应用优化的电源开关中的一员。通过模拟接口，可报告异常状态，还能对多项功能进行编程，包括限流、过压保护和输出电压斜坡上升。该器件实现了符合 USB 电力传输规范 3.0 版 V1.0a 定义要求的快速角色切换功能，与众多流行的 USB Type C 应用兼容

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￥8.5
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￥4.98
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型号：GBJ2510-F 编号：C526644

封装：GBJ

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：2500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值：3550A峰值。适用于印刷电路板应用。 UL列名，文件编号ES4661。无铅表面处理；符合RoHS标准

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￥11.67
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￥8.04

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型号：PI6CB33202ZDIEX 编号：C1857410

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

是一款双输出的极低功耗PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4/Gen5时钟缓冲器。它采用参考输入，扇出两个100MHz低功耗差分HCSL输出，并带有片上终端。片上终端可节省八个外部电阻，使布局更轻松。每个输出都有独立的OE引脚，便于电源管理。它采用专有PLL设计，实现极低抖动，满足PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4/Gen5要求。除支持PCIe 100MHz外，该器件还通过SMBus支持50MHz、125MHz和133.33MHz的以太网应用。它通过SMBUS提供各种选项，如不同的压摆率和幅度，用户可以轻松配置设备，为其单板获得优化性能。

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￥12.8
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￥10.83
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￥9.6
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￥8.34
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￥7.77
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￥7.53

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型号：DZ9F11S92-7 编号：C5244896

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

10+
￥0.1672
100+
￥0.1639
300+
￥0.1617
1000+
￥0.1594

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型号：DDTC113ZCA-7-F 编号：C151437

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

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20+
￥0.1698
200+
￥0.132
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￥0.111
3000+
￥0.0984

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型号：BAV16W-7-F 编号：C459527

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：1mA 时最大 0.715V。快速反向恢复：最大 4ns。低电容：最大 2pF。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。适合需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在 IATF 16949 认证的工厂生产

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20+
￥0.2194
200+
￥0.1734
600+
￥0.1478
3000+
￥0.1325

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型号：MMSZ5233B-7-F 编号：C151381

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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20+
￥0.2229
200+
￥0.1785
600+
￥0.1538
3000+
￥0.139

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型号：MMSZ5226B-7-F 编号：C155250

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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20+
￥0.2271
200+
￥0.1832
600+
￥0.1587
3000+
￥0.1311

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型号：BZT52C6V8Q-7-F 编号：C19949144

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

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10+
￥0.2329
100+
￥0.182
300+
￥0.1566
3000+
￥0.1375
6000+
￥0.1222

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型号：1N4148W-13-F 编号：C112342

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：1mA 时最大 0.715V。快速反向恢复：最大 4ns。低电容：最大 2pF。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。适合需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在 IATF 16949 认证的工厂生产

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20+
￥0.2453
200+
￥0.2028
600+
￥0.1791
2000+
￥0.1649

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型号：MMBTA56-7-F 编号：C151827

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.2463
100+
￥0.1975
300+
￥0.1731
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￥0.1548
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