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首页 > 热门关键词 > ON驱动芯片
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  • LC898128DP 是一个系统 LSI,集成了一个片上 32 位 DSP、一个闪存及外围器件,包括 OIS(光学图像稳定)/ 开放式 AF(自动对焦)控制装置模拟电路、恒流驱动器
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  • MC33033 是一款高性能的第二代、功能受限的单片无刷直流电机控制器,从 MC33034 和 MC33035 控制器发展而来。它包含了开环、三相或四相电机控制实施所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、完全可访问误差放大器、脉宽调制比较器、三个开路收集器顶部驱动器,以及三个高电流图腾柱底部驱动器,适用于驱动功率 MOSFET。与前代器件不同,它没有单独的驱动电路电源和接地引脚、制动输入或故障输出信号。MC33033 中包含了保护功能,有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式,以及内部高温关断。典型电机控制功能包括开环速度、正向或反向以及运行启用。MC33033 适用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机,还可高效控制电刷直流电机。
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    FAN73832 是一款半桥、栅极驱动 IC,带关断和可编程死区时间控制功能,能驱动 MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 +600 V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路允许高侧驱动器的工作偏置电压达 V
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      ¥3.645
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    此微型集成器件提供了单组件方案,可用于开关直感负载,如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机,而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入,因此能够通过各种器件进行驱动,包括逻辑门极、逆变器和微控制器。
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      ¥1.14356
    该器件旨在用一个集成的表面贴装器件(SMT)替代三到六个分立元件组成的阵列。它采用SOT - 23封装。无需续流二极管,即可用于切换3至6 Vdc的感性负载,如继电器、螺线管、白炽灯和小型直流电机。
    数据手册
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  • 该器件用于开关直感负载,如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机,而无需续流二极管。该器件集成了 MOSFET 开关、ESD 保护和齐纳箝位等所有必要项。它接受逻辑电平输入,因此能够通过各种器件进行驱动,包括逻辑门极、逆变器和微控制器。
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      ¥39.312766
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      ¥31.218961
    NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器,针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载,传播延迟为25 ns,转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能工作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案
    数据手册
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    单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7380_OP 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。内部击穿保护电路提供 100ns 死区时间,防止输出开关器件在瞬变期间同时导通。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时,用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器的典型源/汲电流分别为 90mA/180mA,适用于荧光灯/紧凑型荧光灯镇流器应用,以及需要低 di/dt 干扰的系统。
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      ¥5.64
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      ¥3.83
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  • FAN7371 是一款单片高压侧门极驱动集成电路,可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级,所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于等离子显示面板、电机驱动逆变器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用中的维持和能量回收电路开关驱动器。
    数据手册
    • 10+

      ¥32.725195
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      ¥28.233502
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      ¥25.987656
    集成式驱动器和 MOSFET,带集成式电流监控器
    数据手册
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    • 200+

      ¥12.98
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      ¥9.86
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      ¥9.2
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      ¥8.92
  • 订货
  • FAN73894 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路,适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定、互锁功能,以及带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。从外部电流传感电阻可产生终止所有六个输出的过电流保护。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠压关断。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350mA/650mA;适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.88
    • 10+

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      ¥15.96
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  • FAN3226 - 29 系列双路 2 A 栅极驱动器旨在通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲,驱动低压侧开关应用中的 N 沟道增强型 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值可选。内部电路具备欠压锁定功能,可将输出保持在低电平,直至电源电压处于工作范围内
    数据手册
    • 1+

      ¥20.05
    • 10+

      ¥17.11
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      ¥13.38
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      ¥12.53
    • 1000+

      ¥12.16
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  • MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器,包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT,但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下功能:
    数据手册
    • 1+

      ¥23.66
    • 10+

      ¥23.12
    • 30+

      ¥22.76
    • 98+

      ¥22.39
  • 订货
  • FAN73895 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路,适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定和带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。终止所有六个输出的过电流保护可从外部电流传感电阻产生。提供开漏故障信号来表明发生了过电流或欠电压关闭。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别源汲 350 mA 和 650 mA 电流;适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.43
    • 10+

      ¥22
    • 30+

      ¥19.96
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      ¥16.63
    • 500+

      ¥15.68
    • 1000+

      ¥15.25
  • 订货
  • FAN7085_GF085 是一款带复位输入和内置充电器 FET 的高端栅极驱动 IC。它设计用于为工作电压高达300V的MOSFET或IGBT提供高压、高速驱动。
    数据手册
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      ¥36.58
    • 10+

      ¥31.64
    • 30+

      ¥28.7
    • 95+

      ¥23.92
    • 475+

      ¥22.55
    • 1045+

      ¥21.94
  • 订货
  • 该器件用于切换感性负载,如继电器、螺线管、白炽灯和小型直流电机,无需续流二极管。该器件集成了所有必要的元件,如MOSFET开关、ESD保护和齐纳钳位电路。它接受逻辑电平输入,因此可由多种设备驱动,包括逻辑门、反相器和微控制器
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    • 50+

      ¥9.790109
    • 200+

      ¥8.214988
    • 500+

      ¥6.822618
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