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封装：SOIC-8

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：LM5110-1MX/NOPB 编号：C485544

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：VNH5200ASTR-E 编号：C2150596

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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型号：TB6568KQ(O,8) 编号：C5349736

封装：HSIP-7

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6568KQ是一款全桥直流电机驱动IC，其输出功率晶体管采用MOS工艺。低导通电阻的MOS工艺和PWM控制可实现高热效率的直流电机驱动。通过IN1和IN2可选择四种运行模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短路制动和停止

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型号：DRV8711DCPR 编号：C60013

封装：HTSSOP-38-EP-4.4mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8711 具有 1/256 微步进和失速检测功能的 52V、双极步进电机栅极驱动器

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型号：TC4422AVOA(LX) 编号：C52097915

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

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型号：IXDN604SITR 编号：C2677329

封装：SOIC-8-EP

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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型号：IXDD609SIATR 编号：C2677099

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：L6491DTR 编号：C2970144

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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型号：NSD5604NE-DHTSTR 编号：C33959956

封装：HTSSOP-20

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD5604E / NSD5604NE是一款4通道低侧驱动器，适用于工业应用，包括可编程逻辑控制、通用继电器或其他螺线管驱动器。该设备包括4x并行输入接口，可控制4x独立驱动输出，适用于电阻性、电感性或电容性负载。输出通道可并联以支持高电流负载并降低设备功耗。

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型号：SIP2100DY-T1-GE3 编号：C142541

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

SIP2100是一款集成式缓冲H桥，其输入与TTL和CMOS兼容，在5V VDD电源下能够提供高达1A的连续电流。 SIP2100有两个独立的逻辑输入，可设置四种不同的电机运行模式：正转、反转、停止（空转）和制动。内部的直通保护逻辑还可防止上下输出同时导通。 SiP2100具有极高的效率，工作电流极低。该器件还具备过温保护功能，关断迟滞为20°C。SIP2100采用SOIC8封装。

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

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型号：TLE94112EL 编号：C540161

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：Infineon(英飞凌)

刷式直流电动机驱动器

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：LMG1025QDEERQ1 编号：C1858371

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

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型号：MCF8315A1VRGFR 编号：C6589896

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

MCF8315A 40V 最大电压、4A 峰值电流、无传感器 FOC 控制、三相 BLDC 电机驱动器

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型号：TC642BEOA 编号：C145620

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC642B/TC647B器件是现有TC642/TC647风扇速度控制器的新版本。这些器件为开关模式风扇速度控制器，集成了新的风扇自动重启功能。温度比例速度控制通过脉冲宽度调制实现

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型号：MP6543HGL-Z 编号：C3681371

封装：QFN-24(3x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6543H 系列产品（MP6543H、MP6543H - A 和 MP6543H - B）是三相无刷直流电机驱动器。它们集成了三个半桥，由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成，以及预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6543H 每个半桥都有使能（EN）和 PWM 输入。MP6543H - A 有独立的高端（HS）和低端（LS）输入，而 MP6543H - B 有霍尔效应传感器输入。除此之外，这三款器件相似。MP6543H 可提供高达 2A 的连续电流（取决于散热和 PCB 条件），并具有可调的过流保护（OCP）阈值。它使用内部电荷泵为高端 MOSFET 生成栅极驱动电源电压，并使用涓流充电电路来维持足够的栅极驱动电压，以实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。MP6543H 采用带有外露散热焊盘的 QFN - 24（3mmx4mm）封装。

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型号：TB6560AHQ(O,8) 编号：C19386

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于步进电机控制的PWM斩波式双极驱动IC

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型号：STSPIN32G4 编号：C7434864

封装：VFQFPN-64(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

STSPIN32G4是一款高度集成且灵活的电机控制器，用于驱动三相无刷电机，可帮助设计人员选择最合适的驱动模式，减少PCB面积和总体物料清单。它内置一个三半桥栅极驱动器，能够驱动电流能力为1 A（灌电流和拉电流）的功率MOSFET，同时还集成了三个自举二极管。由于具备集成互锁功能，同一半桥的高端和低端开关无法同时被驱动至高电平

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型号：MGD3160AM515EKR2 编号：C5191560

封装：SOT-1762-1

品牌：NXP(恩智浦)

是一款用于IGBT和SiC功率器件的单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间将IGBT/SiC的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定（UVLO）可提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压裕量。能够自主管理严重故障，并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测试、控制和保护功能，适用于高可靠性系统（ASIC C/D）的设计。符合汽车应用的严格要求，并完全符合AEC-Q100 1级标准。

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￥26.87
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￥24.06
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型号：IXDD614YI 编号：C1556549

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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￥33.78
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￥28.95
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￥26.08
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￥23.18

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型号：L6201013TR 编号：C2653492

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

DMOS全桥驱动器

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￥37.22
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￥28.47
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￥25.69

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型号：MP6540HGU-Z 编号：C5358239

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA有单独的高端和低端输入。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。使用内部电荷泵为高端MOSFET生成栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以保持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全功能包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5mmx5mm）封装。

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￥60.0148
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￥52.6661
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￥48.5815

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型号：1N4001W 编号：C41419591

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款通用二极管具备稳健的电气特性，最大整流电流IF可达1A，在反向电压VR最高为50V的情况下保证了电路的安全运行。其正向电压降VF仅为1V，有助于减少能量损耗。在室温条件下，该二极管的反向饱和电流IR小于5微安，显示出良好的阻断性能。瞬时正向浪涌电流IFSM能够承受高达30A的峰值冲击，增强了元件在面对突发大电流时的可靠性。此款二极管适用于各种消费电子产品中的整流、保护和其他基本电路功能。

100+
￥0.03021 ￥0.0318
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￥0.02356 ￥0.0248
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￥0.019855 ￥0.0209
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￥0.017575 ￥0.0185
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￥0.015675 ￥0.0165
100000+
￥0.01463 ￥0.0154

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型号：BZT52C36 编号：C41419604

封装：SOD-123

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款稳压二极管设计用于提供稳定的36伏特（VR）电压输出，同时保持较低的0.9伏特（VF）正向电压。其反向漏电流（IR）低至0.1微安，表明即使在非导通状态也能维持极低的电流泄露。最大功率耗散（PD）为0.2瓦，使得该二极管能够在保证效率的同时，有效地吸收过电压冲击。适用于各种消费电子产品中作为过压保护和电压稳定之用，特别是在那些需要精密电压控制和高可靠性的电路中，能够确保电子设备在不同环境下的正常运作。

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￥0.06422 ￥0.0676
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￥0.050065 ￥0.0527
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￥0.04218 ￥0.0444
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￥0.03743 ￥0.0394
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￥0.033345 ￥0.0351
51000+
￥0.03116 ￥0.0328

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型号：BE6208 编号：C406218

封装：SOP-8

品牌：BORN(伯恩半导体)

为控制和驱动双向马达设计的专用集成电路。该电路输入端兼容TTL/CMOS电平，具有良好的抗干扰性；内部逻辑控制电路可控制双向马达正转、反转和刹车；该电路功率管能通过典型值为100mA的持续电流；该电路内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流。

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10+
￥0.3998
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￥0.3278
300+
￥0.2918
3000+
￥0.2245
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￥0.2029
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￥0.192

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。