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封装：SOIC-8

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：A4987SESTR-T 编号：C692115

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款双 DMOS 全桥步进电机驱动器，具有并行输入通信和过流保护功能。每个全桥输出的额定电压高达 35V，电流为 ±1A。包括固定关断时间脉宽调制 (PWM) 电流调节器，以及 2 位非线性 DAC（数模转换器），允许步进电机进行全步、半步和四分之一步控制。PWM 电流调节器采用专利的混合衰减模式，可降低电机噪音、提高步进精度并降低功耗

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型号：A4975SLBTR-T 编号：C27399

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4975旨在以微步进模式驱动双极步进电机的一个绕组。输出额定连续输出电流可达±1.5 A，工作电压可达50 V。内部脉冲宽度调制（PWM）电流控制与内部三位非线性数模转换器相结合，允许电机电流在整步、半步、四分之一步或八分之一步（微步进）模式下进行控制。非线性增量可减少微步进所需的控制线数量。微步进可提高步进分辨率，并减少低速时的转矩变化和共振问题。内部电路保护包括带迟滞功能的热关断、欠压监测和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4975提供两种功率封装供选择；一种是带铜散热片引脚的16引脚双列直插式塑料封装（后缀为‘B’），另一种是带内部熔接引脚的16引脚塑料SOIC封装（后缀为‘LB’）。对于这两种封装样式，散热增强引脚处于地电位，无需电气隔离。两种封装均为无铅（Pb）封装，引脚框架镀层为100%雾锡。

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型号：DRV91680RGZR 编号：C5125831

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

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型号：MP6536DU-LF-Z 编号：C3655732

封装：QFN-40(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，25V~48V供电，4A~6A方案，

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型号：DRV8662RGPT 编号：C181554

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动器

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型号：DRV8316CRRGFR 编号：C5447274

封装：VQFN40

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C 具有集成电流检测功能、FET、增强型 CSA 规格、40V 最大电压、8A 峰值电流的三相电机驱动器

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型号：TB67S109AFNAG 编号：C89325

封装：HSSOP-36

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S109AFNAG步进电机驱动器

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型号：L9960T-TR 编号：C2680300

封装：SSOP-36-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双H桥

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型号：DRV8714SQRVJRQ1 编号：C3655767

封装：VQFN-56(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

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型号：L6208PD 编号：C503070

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

双极步进电机的L6208 DMOS驱动

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型号：BDR6120S 编号：C5455570

封装：SOT23-6

品牌：巴丁微

适用于电子锁、电动牙刷、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电运动控制产品.

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型号：GR6203 编号：C18164406

封装：SOT-23

品牌：GR(国睿)

LED驱动芯片低启动电压：0.9V，可驱动1～5个普通白光LED等；低功耗，外围简单。

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型号：XJNG2102 编号：C2940736

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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型号：BDR6300 编号：C5349299

封装：SOP-16

品牌：巴丁微

是一款三相直流无刷驱动芯片。可直接驱动三路 NMOS + PMOS 半桥，电路内部集成了稳定的 5V 输出电源。

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型号：XJNG2103 编号：C2887735

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：MHL512IR048CRT 编号：C405268

封装：插件,D=5mm

品牌：MEIHUA(美华)

为高亮度应用而设计的产品。发光颜色：红外发射: IR；晶片材质：GaAlAs/GaAlAs；胶体类型：无色透明WATER CLEAR。

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型号：UCC27524ADR(UMW) 编号：C20623194

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件，能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。此外，在其额定功率和电压范围内的所有条件下，它都具有高度的抗闩锁能力

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型号：BDR6122T 编号：C724035

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

适用于电子锁、无线充电、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电的运动控制产品。

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型号：EG2104M 编号：C480653

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

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