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封装：PDIP-16

是高性能全桥驱动器，提供比其他产品更高的电流和更低的饱和电压。包含LS-TTL兼容逻辑输入、电流检测、单稳态、热关断和功率H桥输出级。两个该产品和几个外部组件可形成一个完整的微处理器可控步进电机电源系统。需要外部高端钳位二极管。两款产品除电流检测阈值外完全相同，其中一款的阈值允许在不需要高端二极管的应用中直接替换，另一款的阈值适用于需要50%、71%和100%电流水平的半步应用。指定在0℃至70℃的环境温度下工作。

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1+
￥93.72
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型号：LY1501T 编号：C46613954

封装：SOT-23-6

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

7V输入/0.5Ω内阻/单H桥马达驱动

20+
￥0.2341
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型号：XTM4118AS8CT 编号：C7422375

封装：SOP-8

品牌：XTX(芯天下)

提供了一种单H桥电机驱动解决方案，适用于电池供电的玩具、牙刷和其他低压或电池供电的运动控制应用。该设备可以驱动一个直流有刷电机、螺线管或其他感性负载。H桥由P沟道和N沟道功率MOSFET组成，内置四种输出模式：正向、反向、滑行、制动。工作在2.4V至7.2V的电机电源电压下，可连续提供高达1.2A的输出电流，峰值为2.0A。保护功能包括欠压锁定（UVLO）和热关断（TSD）。具有PWM（IN/IN）输入接口。

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型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

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1+
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型号：DRV8832DRCR 编号：C201634

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8832 具有电压调节功能的 7V、1A、H 桥电机驱动器

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型号：TB67H401FTG(O,EL) 编号：C2150615

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款带有双集成H桥的有刷直流电机驱动器，内部H桥可独立控制。采用BiCD工艺制造，额定电压为50V，每通道电流为3.0A。

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型号：IR2132JTRPBF 编号：C537577

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：AW86224AFCR 编号：C5162563

封装：FCQFN-9L(1.4x1.4)

品牌：AWINIC(艾为)

AW86224A/B是低成本H桥单芯片LRA触觉驱动器，基于BEMF进行F0检测和跟踪，支持实时回放、内存回放、连续回放和硬件引脚触发回放，启动时间快。 AW86224A/B集成3KByte SRAM用于用户自定义波形，实现多种振动体验，支持3种采样率（12k/24k/48k）的波形加载到SRAM中，支持输出波形采样率上采样到48k。 AW86224A/B集成自动制动引擎，可将不同LRA电机上不同驱动波形（短或长）的余震抑制为零。

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型号：AW8697FCR 编号：C5125864

封装：FCQFN-20L(2x3)

品牌：AWINIC(艾为)

该器件是一款高压 H 桥单芯片线性谐振致动器（LRA）触觉驱动器，具备 LRA 谐振频率检测与跟踪功能，集成了升压转换器和波形存储器，支持实时播放和硬件引脚触发播放。最大驱动电压高达 10.5V，典型启动时间为 1.2ms，使其成为快速响应的理想触觉驱动器。

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型号：TB67H450AFNG(OEL) 编号：C22451475

封装：HSOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

PWM斩波型直流有刷电机驱动器，嵌入一个通道的电机输出模块。采用BiCD工艺制造，额定输出电压50V，最大电流3.5A。

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型号：AH5772-P-B 编号：C151386

封装：SIP-4

品牌：DIODES(美台)

AH5772 是一款用于驱动单线圈无刷直流（BLDC）风扇和电机的单芯片解决方案。集成的全桥驱动器输出级采用软开关技术，以最大限度降低可听开关噪声和电磁干扰（EMI），提供低噪声解决方案。为简化系统电路并减少外部元件数量，该器件集成了稳定的高灵敏度霍尔效应传感器、经过电压和温度补偿的内部参考源、放大器以及具有低导通电阻（RDoN）的输出 H 桥功率开关

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型号：TB67H482FNG(O,EL) 编号：C48643056

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：BD6231F-E2 编号：C253180

封装：SOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个集成电路可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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型号：BD6232FP-E2 编号：C3681104

封装：HSOP-25

品牌：ROHM(罗姆)

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个IC可在宽范围的电源电压（6V至32V）下工作，输出电流高达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM速度控制。集成的VREF电压控制功能可直接替代停产的电机驱动IC。这些高效的H桥驱动IC有助于低功耗设计。

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型号：ISL83088EIBZ-T 编号：C2671939

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL83202是一款中频H桥FET驱动器，能够提供1A（典型值）的峰值驱动电流，设计用于驱动中压应用中的高侧和低侧N沟道MOSFET。

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型号：TB67H420FTG,EL 编号：C2150535

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款带无感测电阻电流控制的有刷直流电机驱动器。内部H桥可独立控制，可作为两个有刷直流电机驱动器或使用双H桥模式的单步进电机驱动器。采用BiCD工艺制造，额定电压为50V，电流为9.0A。

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型号：BD63130AFM-E2 编号：C2150575

封装：HSOP-M36-300mil

品牌：ROHM(罗姆)

是一款用于直流有刷电机的H桥电机驱动器。该驱动器可通过直接PWM或PWM恒流控制实现低功耗。该IC内置保护电路，可输出用于线或连接的异常检测信号，通知各保护电路的工作状态，有助于实现高可靠性。

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型号：MAX253CUA+ 编号：C1519340

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：MAX22210ATJ+ 编号：C23889876

封装：TQFN-32(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX22210是一款两相步进电机驱动器。它集成了两个36V、3.8A的MAX H桥。H桥场效应管的阻抗极低，可实现高驱动效率并将产生的热量降至最低

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型号：MC34932EK 编号：C1556936

封装：SOIC-54-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款采用坚固散热增强型封装的单片 H 桥功率 IC，同一封装内有两个独立的单片 H 桥功率 IC，专为在本规格规定的电流和电压限制内的任何低压直流伺服电机控制应用而设计，采用 SMARTMOS 技术。每个 H 桥能够控制峰值电流高达 5.0 A 的感性负载，RMS 电流能力取决于为器件封装提供的散热程度。内部峰值电流限制（调节）在负载电流超过 6.5A±1.5A 时激活。输出负载可以进行脉冲宽度调制（PWM），频率高达 20 kHz

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型号：MC33HB2001EK 编号：C513827

封装：SOIC-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款SMARTMOS单片H桥功率IC，具有SPI可配置性和诊断功能。主要设计用于指定电流和电压限制内的直流电机或伺服电机控制应用。能够控制峰值电流大于10A的感性负载，标称连续平均负载电流为3.0A。电流镜输出提供与负载电流成比例的模拟反馈信号。专门针对ISO 26262安全要求进行设计，满足汽车应用的严格要求，并通过了AEC-Q100 1级认证。

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型号：MAX22205ATU+ 编号：C3681230

封装：TQFN-38(5x7)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

65V, 7.6A大电流单h桥集成电流感应，最高电压最高电流h桥带电流感应节省空间和外部组件

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￥38.75
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型号：VNH5019ATR-E 编号：C2653552

封装：MultiPowerSO-30

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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￥163.040773
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￥135.86731

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型号：MC33931EK 编号：C1556878

封装：SOIC-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款采用增强散热封装的单片 H 桥功率 IC，主要用于汽车电子节气门控制，也适用于本规格书中规定的电流和电压范围内的任何低压直流伺服电机控制应用。该 H 桥能够控制峰值电流高达 5.0 A 的感性负载，RMS 电流能力取决于提供给器件封装的散热程度。内部峰值电流限制（调节）在负载电流超过 6.5A±1.5A 时激活，输出负载可以在高达 11 kHz 的频率下进行脉冲宽度调制。负载电流反馈功能提供一个与负载电流成比例（负载电流的 0.24%）的电流输出，适合由微控制器的 A/D 输入进行监控

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￥68.52
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￥65.12
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￥59.22

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型号：IR2130JPBF 编号：C537570

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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1+
￥71.03
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￥68.75

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型号：MC33931EKR2 编号：C2150686

封装：SOIC-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款采用坚固热增强封装的单片H桥功率IC。主要设计用于汽车电子节气门控制，但适用于本规格书中规定的电流和电压限制内的任何低压直流伺服电机控制应用。它满足汽车应用的严格要求，并完全符合AEC-Q100 1级标准。H桥能够控制峰值电流高达5.0 A的感性负载

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￥57.95793
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￥53.238882
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￥45.872506
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￥42.936253
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￥39.862427

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型号：MC34931EK 编号：C1556927

封装：SOIC-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款采用坚固热增强封装的单片H桥功率IC，专为在本规格规定的电流和电压限制内的任何低压直流伺服电机控制应用而设计。该器件采用SMARTMOS技术。能够控制峰值电流高达5.0A的感性负载。RMS电流能力取决于提供给器件封装的散热程度。当负载电流超过6.5A±1.5A时，内部峰值电流限制（调节）将启动。输出负载可以进行脉宽调制（PWM），频率高达20kHz。负载电流反馈功能提供负载电流的0.24%比例电流输出，适合微控制器的A/D输入进行监控。状态标志输出报告欠压、过流和过热故障情况。两个独立输入提供两个半桥图腾柱输出的极性控制。禁用输入用于强制H桥输出为三态（高阻抗关断状态）。

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