igbt驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27323DR-JSM 编号：C18195045

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

1+
￥3.61
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￥2.85
30+
￥2.53
100+
￥2.12
500+
￥1.95
1000+
￥1.84

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型号：JSM2000G 编号：C7498994

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

100%占空比，适合高频开关应用或者要求快速接通或关断时间的静态开关应用，高边开关控制器、静态开关驱动器、开关电源、光伏关断器等

1+
￥4.22
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￥3.72
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￥3.46
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￥3.21
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￥3.06
1000+
￥2.98

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型号：SCT52242STDR 编号：C719316

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52242是一款宽电源、双通道、高速、用于功率MOSFET和IGBT的低端栅极驱动器。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

数据手册

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￥4.27
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￥3.77
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￥3.52
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￥3.27
500+
￥3.13
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￥3.05

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型号：IR2127STRPBF 编号：C371089

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

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￥4.54
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￥3.67
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￥3.23
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￥2.46
500+
￥2.2
1000+
￥2.07

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型号：NSG2011 编号：C53436441

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.013 ￥5.57
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￥4.122 ￥4.58
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￥3.672 ￥4.08
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￥3.231 ￥3.59
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￥2.961 ￥3.29
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￥2.826 ￥3.14

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型号：TC4420VOA713 编号：C624916

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

数据手册

1+
￥5.53
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￥4.45
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￥3.91
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￥3.38
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￥3.06
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￥2.89

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型号：NSG2113N 编号：C54348597

封装：SOP-16

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.586 ￥5.88
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￥4.522 ￥4.76
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￥3.99 ￥4.2
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￥3.4675 ￥3.65
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￥3.154 ￥3.32
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￥2.9925 ￥3.15

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型号：VNN3NV04PTR-E 编号：C443999

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

数据手册

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￥6.67
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￥5.42
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￥4.8
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￥4.01
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￥3.64
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￥3.45

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型号：TF2117-TAH 编号：C2683755

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥7.02
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￥5.81
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￥5.21
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￥4.61
500+
￥4
1000+
￥3.81

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型号：IXDN602SIATR 编号：C431679

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

数据手册

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￥7.1
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￥5.88
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￥5.21
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￥4.45
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￥4.11
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￥3.96

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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

数据手册

1+
￥7.73
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￥6.62
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￥6.06
100+
￥5.51
500+
￥5.18
1000+
￥5

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥8.1795 ￥8.61
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￥6.745 ￥7.1
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￥5.9565 ￥6.27
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￥5.0635 ￥5.33
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￥4.788 ￥5.04
1000+
￥4.6075 ￥4.85

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型号：BD16950EFV-CE2 编号：C2676964

封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD16950EFV是一款符合AEC Q100汽车级标准的双通道半桥栅极驱动器，由外部MCU通过16位串行外设接口（SPI）进行控制。通过独立控制低端和高端N沟道MOSFET，可实现多种MCU控制模式。该驱动器具备可编程驱动电流，可调节转换速率，以满足电磁干扰（EMI）和功耗要求

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￥8.73
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￥7.95
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￥7.46
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￥6.96
500+
￥6.74
1000+
￥6.64

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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1+
￥9.72
10+
￥8.2
30+
￥7.37
100+
￥6.43

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型号：UCC27211ADRMR 编号：C1848363

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

数据手册

1+
￥11.31
10+
￥9.56
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￥8.6
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￥7.22
500+
￥6.74

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型号：IRS2453DSTRPBF 编号：C52141

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

集成的600V全桥门驱动器

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1+
￥11.78
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￥9.88
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￥8.69
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￥7.48
500+
￥6.93

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型号：BM6104FV-CE2 编号：C507464

封装：SSOP-20-6.1mm

品牌：ROHM(罗姆)

BM6104FV-C是一款栅极驱动器，隔离电压为2500Vrms，I/O延迟时间为150ns，最小输入脉冲宽度为90ns，集成了故障信号输出功能、欠压锁定（UVLO）功能和短路电流保护（SCP、DESAT）功能。

数据手册

1+
￥12.21
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￥10.25
30+
￥9.03
100+
￥7.77
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￥7.21
1000+
￥6.96

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥13.15
10+
￥11.68
30+
￥10.63
100+
￥9.68
500+
￥9.24

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型号：SLMi335CG-DG 编号：C6332183

封装：SOP-16W

品牌：Sillumin(数明半导体)

隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器，用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流，具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V，带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V，输出侧电源范围为14V至40V

1+
￥13.5
10+
￥11.39
30+
￥10.07
100+
￥8.72
500+
￥8.11

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型号：BD6232HFP-TR 编号：C2981752

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

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￥17.92
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￥15.21
30+
￥13.51
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￥11.78
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￥10.99
1000+
￥10.65

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

1+
￥29.82
10+
￥25.8
30+
￥23.41
100+
￥19.5
500+
￥18.38
1000+
￥17.88

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型号：LM5101CSD/NOPB 编号：C1880281

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥31.26
10+
￥26.74
30+
￥24.06
100+
￥21.35

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型号：UCC27517DBVR-S-JSM 编号：C52711846

封装：TSOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道栅极驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥0.65544 ￥0.8193
50+
￥0.52104 ￥0.6513
150+
￥0.45384 ￥0.5673
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￥0.40344 ￥0.5043
3000+
￥0.34224 ￥0.4278
6000+
￥0.322 ￥0.4025

有货

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型号：DGD0211CWT-TP 编号：C51939542

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.408128 ￥1.8528
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￥1.113172 ￥1.4647
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￥0.986784 ￥1.2984
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￥0.829084 ￥1.0909
3000+
￥0.75886 ￥0.9985
6000+
￥0.71668 ￥0.943

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型号：GBI7250TJBR 编号：C5451739

封装：TSOT23-5

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。