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封装：TO-220-5

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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型号：X096-2864KSWPG01-H30 编号：C18723026

封装：-

品牌：Wisevision(新智景)

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

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型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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￥12.52
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型号：1EDB8275FXUMA1 编号：C17236640

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术实现隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。

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型号：DRV91670TPHPR 编号：C5378671

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

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型号：DRV8834RGER 编号：C400392

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：DRV8830DGQR 编号：C127591

封装：MSOP-10-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8830 具有速度调节和 I2C 控制的 7V、1A H 桥电机驱动器

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型号：LF-3011VA 编号：C5781283

封装：SMD-10P

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：LM5060Q1MM/NOPB 编号：C2653802

封装：VSSOP-10

品牌：TI(德州仪器)

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：L6474H 编号：C1556884

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：ST(意法半导体)

高达16微步的步进电机驱动器，具有SPI和高级电流控制

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型号：N177-1216TCWPG01-H14 编号：C5123575

封装：-

品牌：Wisevision(新智景)

TFT显示模块彩色焊接14PIN ST7735

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型号：DRV8308RHAR 编号：C181641

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8308 具有 SPI 的最大 42V 含传感器正弦控制三相 BLDC 栅极驱动器

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型号：STSPIN830 编号：C503310

封装：TQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

紧凑型通用三相三路感应BLDC电机驱动器

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型号：A3941KLPTR-T 编号：C83516

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3941是一款全桥控制器，可与外部N沟道功率MOSFET配合使用，专门为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机。独特的电荷泵稳压器可为低至7 V的电池电压提供全幅（>10 V）栅极驱动，并允许A3941在低至5.5 V的降低栅极驱动电压下工作。

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型号：HS24CG003-ARX 编号：C5329583

封装：-

品牌：HS(汉昇)

视窗:38.12*50.36；SPI通讯,,宽视角，软件实现横屏竖屏。FPC焊接16PIN。

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￥24.35
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型号：TMC2210ATJ+T 编号：C22356062

封装：TQFN-32-EP(5x5)

品牌：TRINAMIC

TMC2210是一款高性能步进电机驱动IC，可通过封装引脚进行配置，还具备额外的诊断输出功能。它集成了业界最先进的步进电机驱动器，支持256细分微步，内置分度器和两个完全集成的36V、3.0A（最大值）H桥，此外还具备无耗散集成式电流感应（ICS）功能。

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￥24.66
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￥21.17
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￥19.1
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型号：DRV8243HQRXYRQ1 编号：C3040833

封装：VQFN-HR-14(3x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8243-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、12A H 桥驱动器

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1+
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型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

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￥30.26
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型号：DRV8244HQRYJRQ1 编号：C5699906

封装：VQFN-HR-16(3x6)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：DS90CF384AMTDX/NOPB 编号：C2652882

封装：TSSOP-56-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DS90CF384A接收器将四个LVDS数据流（最高1.8 Gbps吞吐量或227 MB/s带宽）转换为并行28位CMOS/TTL数据（24位RGB和4位Hsync, Vsync, DE和CNTL）。支持20至65 MHz移位时钟。

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￥33.65
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￥29.05
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型号：IXDD614YI 编号：C1556549

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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1+
￥33.78
10+
￥28.95
30+
￥26.08
100+
￥23.18

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型号：HS24S010B 编号：C5329587

封装：-

品牌：HS(汉昇)

视窗:38.12*50.36；SPI通讯,可外挂集通字库或者8pin串口FLASH作为图片存储扩展，彩色TFTF显示屏,宽视角，软件实现横屏竖屏。单排2.54间距10PIN

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￥34.3664 ￥36.56
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￥29.375 ￥31.25
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￥26.414 ￥28.1
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￥23.4154 ￥24.91
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￥22.0336 ￥23.44
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￥21.4038 ￥22.77

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型号：DRV8262DDWR 编号：C22427252

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

一款宽电压、高功率H桥电机驱动器，适用于各种工业应用。该器件集成了两个H桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。在双路H桥模式下支持高达16A的峰值电流，在单路H桥模式下支持高达32A的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路

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1+
￥51.11
10+
￥43.55
30+
￥38.94

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型号：HS32B01A 编号：C19632786

封装：-

品牌：HS(汉昇)

液晶显示模组尺寸(mm)：56.0x89.4x5.9mm 视窗:49.4*65.5，8位/16位/4SPI串口通讯,可外挂集通字库或者8pin串口FLASH作为图片存储扩展，彩色TFTF显示屏,宽视角，软件实现横屏竖屏,工作温度范围-20℃—+70℃。SPI单排2.54间距10PIN和并口双排2.54的24PIN接口

1+
￥52.0352 ￥56.56
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￥44.712 ￥48.6
30+
￥40.25 ￥43.75
100+
￥36.5056 ￥39.68

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型号：STM32MP153DAB1 编号：C1236722

封装：LFBGA-354

品牌：ST(意法半导体)

MPU，配备 Arm Dual Cortex-A7 800 MHz、Arm Cortex-M4 实时协处理器、TFT 显示屏、FD-CAN、安全启动

数据手册

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￥52.3917 ￥75.93
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￥44.1969 ￥74.91
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￥35.8386 ￥73.14
100+
￥35.084 ￥71.6

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

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