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型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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￥9.39
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型号：BD63800MUF-CE2 编号：C3681308

封装：VFQFN-32-EP

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：XD7135 编号：C521138

封装：DIP-28

品牌：XINLUDA(信路达)

采用高效CMOS技术制造。这些4 1/2位、双斜率积分、模数转换器 (ADC) 旨在为微处理器和可视化显示器提供接口。数字驱动输出D1至D4以及复用二进制编码十进制输出B1、B2、B4和B8为LED或LCD解码器/驱动器以及微处理器提供接口。提供50 ppm（二万分之一）的分辨率，最大线性误差为一个计数

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型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：A4954ELPTR-T 编号：C2688265

封装：TSSOP-16-EP-175mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4954专为两个直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够提供高达±2 A的峰值输出电流，工作电压可达40 V。该器件设有输入端子，可利用外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成同步整流控制电路，可降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护功能包括过流保护、电机引线对地或电源短路保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测以及交越电流保护。A4954采用带外露散热焊盘的低外形16引脚TSSOP封装（后缀LP），符合无铅（Pb）标准，引脚框采用100%雾锡电镀。

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￥11.73
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型号：DRV8834RGER 编号：C400392

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：UCC27211DR 编号：C2871979

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥11.466 ￥11.7

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型号：VNH5050ATR-E 编号：C2653543

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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型号：TC4422AVOA713 编号：C157601

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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￥20.62
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型号：DRV8323RSRGZR 编号：C545497

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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单价：
￥15.2604 / 个

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型号：TC4429CPA 编号：C640801

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这些驱动器采用CMOS制造，与双极型驱动器相比，功耗更低，运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入，可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V，而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同，这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件，节省了PCB面积和元件数量，并提高了整个系统的可靠性。

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

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￥29.82
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型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：TMC5160A-TA-T 编号：C516354

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：TRINAMIC

TMC5160 / TMC5160A是一款带有串行通信接口的高功率步进电机控制器和驱动IC。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。通过使用外部晶体管，可实现高动态、高扭矩驱动。基于TRINAMIC先进的SpreadCycle和StealthChop斩波器，该驱动器可确保在实现最高效率和最佳电机扭矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够小型化和可扩展，从而实现经济高效的解决方案。完整的解决方案将学习成本降至最低，同时提供同类产品中最佳的性能。

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型号：MIC4224YM 编号：C637528

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：AM3352BZCZD60 编号：C468245

封装：NFBGA-324

品牌：TI(德州仪器)

AM3352 Sitara 处理器: Arm Cortex-A8、1Gb 以太网、支持显示效果、CAN

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型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：IXDN630CI 编号：C1524123

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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￥58.01
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￥49.59
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￥44.46
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￥40.16

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型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器

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￥62.14
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￥52.88
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￥47.24
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￥42.52

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型号：HS242L01W4S01 编号：C5139768

封装：-

品牌：HS(汉昇)

外形:72.0*43.0；IIC/4SPI串口通讯,9PIN黑底白光。

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￥67.3716 ￥73.23
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￥64.1516 ￥69.73
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￥58.5672 ￥63.66
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￥53.7004 ￥58.37

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型号：LPC4357FET256K 编号：C1020272

封装：LBGA-256(17x17)

品牌：NXP(恩智浦)

是基于ARM Cortex-M4的微控制器，带有浮点单元（FPU），适用于嵌入式应用。包含ARM Cortex-M0协处理器，高达1 MB的闪存、136 kB的片上SRAM、16 kB的EEPROM内存、两个高速USB控制器、以太网、LCD、外部内存控制器、支持执行即取的Quad SPI闪存接口（SPIFI）、先进的可配置外设（如状态可配置定时器（SCTimer/PWM）和串行通用I/O（SGPIO）接口）以及多个数字和模拟外设。可在高达204 MHz的CPU频率下运行。ARM Cortex-M4是32位内核，具有低功耗、增强的调试功能和高度的支持块集成等系统增强特性

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￥122.28
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￥116.5
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￥106.49
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￥92.8625 ￥97.75

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型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

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￥163.85
30+
￥155.16

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型号：MX6208(MS) 编号：C20627212

封装：SOIC-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MX6208(MS)是为5V 和12V 供电电压下工作的系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车四个功能。MX6208(MS)集成了温度保护功能，当芯片温度超过内部温度保护电路设置得最高温度点后，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流，避免温度过高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。

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￥0.306 ￥0.34
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￥0.2412 ￥0.268
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￥0.2088 ￥0.232
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￥0.1845 ￥0.205
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￥0.16506 ￥0.1834
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￥0.15525 ￥0.1725

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型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

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单价：
￥0.378 / 个

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型号：BDR6301 编号：C48579941

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款高压大功率 MOS 管/IGBT管栅极驱动专用芯片,应用领域：电动工具、移动电源高压快充开关电源、变频水泵控制器、电动车控制、无刷电机驱动器等。

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￥0.5267
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￥0.4187
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￥0.3647
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￥0.3242
2500+
￥0.2918

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型号：AP1511 编号：C19631830

封装：SOT-23-6

品牌：GR(国睿)

AP1511系列是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC，用来开关红外线滤光片。 AP1511系列具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路，内建保护二极管疏通ICR，所产生的反馈电流，以及防止ESD的破坏。 AP1511系列内的双向H-bridge 驱动电路其内阻比较小，ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。